有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在玻璃基板(1)上包括：第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)和第一金属膜～第三金属膜(5、9、12)；和将第一金属膜和第二金属膜(5、9)电连接的接触孔(CH)，上述接触孔(CH)具有分别形成在第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)中的第一孔～第三孔(H1、H2、H3)，在第一孔(H1)的内侧，第一金属膜和第三金属膜(5、12)接触，在上述第三孔(H3)的下方的区域，第二绝缘膜(6)和氧化物半导体膜(7)重叠，在上述第一绝缘膜(4)的上方且第三孔(H3)的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜(9、12)接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法
本专利技术涉及用于显示装置的有源矩阵基板。
技术介绍
液晶显示装置、有机EL显示装置、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微电子机械系统)显示器等显示装置中使用排列有多个TFT(薄膜晶体管)的有源矩阵基板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开特许公报“特开2011-43856号公报(2011年3月3日公开)”
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题有源矩阵基板通常包含使形成在不同层的两个金属膜经由接触孔电连接的构造，但是会因在接触孔内产生的金属膜的断接(disconnection，连接断开)而产生两者间的连接不良。本专利技术的目的之一在于提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。用于解决技术问题的手段本专利技术的一个方式的有源矩阵基板包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜；在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜；和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔，所述接触孔具有：形成在第一绝缘膜中的第一孔；形成在第二绝缘膜中的第二孔；和形成在第三绝缘膜中的第三孔，在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜接触，在所述第三孔的下方的区域，第二绝缘膜和氧化...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.28 JP 2016-1281091.一种有源矩阵基板，其特征在于，包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜；在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜；和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔，所述接触孔具有：形成在第一绝缘膜中的第一孔；形成在第二绝缘膜中的第二孔；和形成在第三绝缘膜中的第三孔，在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜接触，在所述第三孔的下方的区域，第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠，在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜接触。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：第二孔形成在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜在第二孔的内侧接触。3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述氧化物半导体膜具有第一部分，该第一部分形成在第三孔的下方且第一孔的内侧的区域，该第一部分与第三金属膜接触。4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述氧化物半导体膜具有第二部分，该第二部分形成在所述第三孔的下方且第一绝缘膜的上方的区域，该第二部分与第三金属膜接触。5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述氧化物半导体膜中的形成在第三孔的下方的部分全都与第二绝缘膜重叠。6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述第二部分与第二金属膜接触。7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述第一部分和第二绝缘膜以及第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，锦博彦，家根田刚士，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP