有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在玻璃基板(1)上包括：第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)和第一金属膜～第三金属膜(5、9、12)；和将第一金属膜和第二金属膜(5、9)电连接的接触孔(CH)，上述接触孔(CH)具有分别形成在第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)中的第一孔～第三孔(H1、H2、H3)，在第一孔(H1)的内侧，第一金属膜和第三金属膜(5、12)接触，在上述第三孔(H3)的下方的区域，第二绝缘膜(6)和氧化物半导体膜(7)重叠，在上述第一绝缘膜(4)的上方且第三孔(H3)的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜(9、12)接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法
本专利技术涉及用于显示装置的有源矩阵基板。
技术介绍
液晶显示装置、有机EL显示装置、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微电子机械系统)显示器等显示装置中使用排列有多个TFT(薄膜晶体管)的有源矩阵基板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开特许公报“特开2011-43856号公报(2011年3月3日公开)”
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题有源矩阵基板通常包含使形成在不同层的两个金属膜经由接触孔电连接的构造，但是会因在接触孔内产生的金属膜的断接(disconnection，连接断开)而产生两者间的连接不良。本专利技术的目的之一在于提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。用于解决技术问题的手段本专利技术的一个方式的有源矩阵基板包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜；在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜；和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔，所述接触孔具有：形成在第一绝缘膜中的第一孔；形成在第二绝缘膜中的第二孔；和形成在第三绝缘膜中的第三孔，在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜接触，在所述第三孔的下方的区域，第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠，在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜接触。专利技术效果采用上述结构，能够实现难以在接触孔内产生导体膜的断接的有源矩阵基板。附图说明图1是表示实施方式1的显示装置的结构的示意图。图2是表示实施方式1的光闸基板的结构的截面图。图3是表示实施方式1的光闸基板的结构的电路图。图4是表示实施方式1的有源矩阵基板的结构(TFT部分)的截面图。图5是表示实施方式1的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。图6是表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的流程图。图7是表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的截面图。图8是表示实施方式2的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。图9是表示实施方式3的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。图10是表示实施方式4的有源矩阵基板的结构(接触孔部分)的截面图。图11是表示实施方式5的显示装置的结构的示意图。图12是表示实施方式5的有源矩阵基板的结构的截面图。图13是表示实施方式5的有源矩阵基板的另一结构的截面图。图14是表示参考方式的有源矩阵基板的结构的截面图。具体实施方式下面，基于图1～图14对本专利技术的实施方式进行说明。〔实施方式1〕(MEMS显示器)如图1所示，实施方式1的MEMS显示器80包括：光闸装置60，其包括光闸基板20和与光闸基板20相对的对置基板30；和背光源BL，其经由对置基板30向光闸基板20照射LED光或激光。(光闸基板的结构)如图2所示，光闸基板20包括：包含薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵基板17；和配置在该有源矩阵基板17的背光源BL侧且为MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微电子机械系统)的多个光闸机构21。光闸机构21按每个像素设置，在光闸基板20上设置有使通过了光闸机构21的光通过的光透射路径。如图1和图2所示，光闸机构21包括：具有开口28k的闸体28；与闸体28的一侧端连接的闸梁23x；与闸体28的另一侧端连接的闸梁23y；与闸梁23x相对的驱动梁22x；和与闸梁23y相对的驱动梁22y。闸梁23x经由闸固定器23b与有源矩阵层的闸线连接，闸梁23y经由闸固定器23d与有源矩阵层的闸线连接，驱动梁22x经由驱动固定器22b与有源矩阵层的TFT连接，驱动梁22y经由驱动固定器22d与有源矩阵层的另一TFT连接，通过驱动梁22x、22y的电位控制，弹簧状的闸梁23x、23y发生变形，闸体28在与基板面平行的方向滑动。由此，可控制通过光闸机构和光透射路径而向观看者50出射的光的光量，显示图像。图3是表示光闸基板20的一部分的结构的电路图。如图3所示，光闸基板包括：扫描线SC、数据线DS、驱动线AC、更新线UD、闸线ST、预充电线PC和使能线EN这7根信号线；晶体管TR1～TR5；数据保持电容C1以及主电容C2和从电容C3。在图3的结构中，当选择扫描线SC时，决定光闸机构的开闭的数据电压经由数据线DS和晶体管TR3蓄积在数据保持电容C1中。该期间，使更新线UD为高电平(High)，不论数据电压如何，都使晶体管TR4截止。接着，当选择预充电线PC时，来自驱动线AC的电压经由晶体管TR1和TR2而蓄积在与主电容C2连接的驱动梁22x和与从电容C3连接的驱动梁22y中。接着，当更新线UD从高电平(High)变化为低电平(Low)时，根据数据电压来控制TR4。具体而言，在数据电压为高电平(High)的情况下，晶体管TR4导通，在数据电压为低电平(Low)的情况下，晶体管TR4保持截止状态。接着，当使能线EN从高电平(High)变化为低电平(Low)时，根据驱动梁22x的电压来控制晶体管TR5。具体而言，在数据电压为低电平(Low)且驱动梁22x为高电平(High)时，晶体管TR5导通，当数据电压为高电平(High)且驱动梁22x为低电平(Low)时，晶体管TR5截止。这样，驱动梁22x和驱动梁22y彼此极性相反，极性与闸体28的极性相反的驱动梁(22x或22y)通过电的力将闸体28拉到跟前。为了防止带电，从闸线ST向闸体28供给极性周期性地反转的信号。如图1和图2所示，在光闸机构21中，当闸体28被拉到驱动梁22y侧时，如图1的(b)和图2的(a)所示的那样，光闸机构成为开(打开)状态，当闸体28被拉到驱动梁22x侧时，如图1的(c)和图2的(b)所示的那样，光闸机构成为闭(关闭)状态。在图2的光闸装置中，在光闸基板20与背光源BL之间设置有通过在玻璃基板31上形成金属等遮光层32而形成的对置基板30，且形成有从在对置基板30的遮光层32形成的狭缝32s向与基板面垂直的方向去而到达光闸基板20的遮光膜2的狭缝2s的光透射路径LW，在如图2的(a)所示的那样闸体28的开口28k与光透射路径LW重叠(光闸机构为打开状态)时，背光源光通过光闸机构和光透射路径LW向观看者50侧出射，在如图3的(b)所示的那样闸体28的开口以外的部分与光透射路径LW重叠(光闸机构为关闭状态)时，背光源被遮断。(有源矩阵基板的结构)图4的(a)是实施方式1的有源矩阵基板的TFT部分的截面图，图4的(b)是与图4的(a)对应的透视平面图。图5的(a)是实施方式1的有源矩阵基板的金属膜的接触部分的截面图，图5的(b)是与图5的(a)对应的透视平面图。如图4和图5所示，有源矩阵基板17包括：玻璃基板1；形成在玻璃基板1的上层的遮光膜2；形成在遮光膜2的上层的无机膜3a；形成在无机膜3a的上层的第一金属膜5；形成在第一金属膜5的上层的第一绝缘膜4；形成在第一绝缘膜4的上层的无机膜3b；形成在无机膜3b的上层的第二绝缘膜6；形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜；在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜；和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔，所述接触孔具有：形成在第一绝缘膜中的第一孔；形成在第二绝缘膜中的第二孔；和形成在第三绝缘膜中的第三孔，在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜接触，在所述第三孔的下方的区域，第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠，在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.28 JP 2016-1281091.一种有源矩阵基板，其特征在于，包括：基板；形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜；形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜；形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜；形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜；在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜；一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜；在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜；和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔，所述接触孔具有：形成在第一绝缘膜中的第一孔；形成在第二绝缘膜中的第二孔；和形成在第三绝缘膜中的第三孔，在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜接触，在所述第三孔的下方的区域，第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠，在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜接触。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：第二孔形成在所述第一孔的内侧，第一金属膜和第三金属膜在第二孔的内侧接触。3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述氧化物半导体膜具有第一部分，该第一部分形成在第三孔的下方且第一孔的内侧的区域，该第一部分与第三金属膜接触。4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述氧化物半导体膜具有第二部分，该第二部分形成在所述第三孔的下方且第一绝缘膜的上方的区域，该第二部分与第三金属膜接触。5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述氧化物半导体膜中的形成在第三孔的下方的部分全都与第二绝缘膜重叠。6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述第二部分与第二金属膜接触。7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述第一部分和第二绝缘膜以及第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，锦博彦，家根田刚士，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP