防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法技术

本发明专利技术提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明专利技术提供防护膜组件的制造方法，在基板(200)上形成防护膜(202)，在上述基板的与形成有上述防护膜的面相反侧的面上形成金属的掩模(204)，从上述金属掩模侧除去上述基板的一部分，除去上述金属掩模。根据本发明专利技术的一个实施方式，本发明专利技术能够提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法
本专利技术涉及光刻用掩模所使用的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。特别是本专利技术涉及作为极端紫外光(ExtremeUltraviolet：EUV)光刻用的极薄膜的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。
技术介绍
光刻工序中，为了防止在掩模或光罩(reticle)上附着尘埃等，使用了在包围掩模图案的大小的框的一端延展设置有防护膜的防护膜组件。这里，防护膜组件是用于保护光掩模不受尘埃等异物的影响而使用的，因此如果制造好的防护膜组件附着有尘埃等，则原本使用防护膜组件的意义就没有了。因此，现在殷切期盼着降低尘埃等的附着的防护膜组件及其制造方法。到目前为止，光刻波长一直在进行短波长化，作为下一代的光刻技术，进行了EUV光刻的开发。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光线。光刻时，图案的析像极限为曝光波长的1/2左右，据说即使使用液浸法也是曝光波长的1/4左右，预测即使使用ArF激光(波长：193nm)的液浸法，其曝光波长的极限也为45nm左右。因此，EUV光刻作为能够由以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防护膜组件的制造方法，在基板上形成防护膜，在所述基板的与形成有所述防护膜的面相反侧的面上形成金属掩模，从所述金属掩模侧除去所述基板的一部分，除去所述金属掩模。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.28 JP 2016-1275351.一种防护膜组件的制造方法，在基板上形成防护膜，在所述基板的与形成有所述防护膜的面相反侧的面上形成金属掩模，从所述金属掩模侧除去所述基板的一部分，除去所述金属掩模。2.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，进一步包括在所述基板与所述防护膜之间，形成表面金属涂层。3.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，所述金属掩模为铬。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保敦，小野阳介，高村一夫，藤井泰久，吉川弥，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP