【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】绝热耦合的光学系统相关申请的交叉引用本申请要求享有于2016年5月16日提交的美国临时申请No.62/337,245和于2016年9月20日提交的美国临时申请No.62/397,185的权益和优先权。上述两个申请都通过引用的方式整体并入本文。本申请涉及于2016年8月2日授权的美国专利No.9,405,066(下文称为'066专利)。'066专利通过引用的方式整体并入本文。
本文讨论的一些实施例涉及绝热耦合的光学系统。
技术介绍
除非本文另有说明，否则本文所述的材料不是本申请权利要求的现有技术，并且不因包含在本部分中而被承认是现有技术。'066专利描述了各种两级绝热耦合的光学系统。包含在这种光学系统中的BOX层的厚度可能对一些绝热耦合器的耦合效率具有显著影响。另外，如果这种光学系统中的SiN波导的锥形部分的尖端宽度可以做得足够小，例如，至少与阈值尖端宽度一样窄，则聚合物波导可以相对靠近SiN波导放置，在某些情况下，与SiN波导直接接触。然而，由于给定制造工艺的制造限制和/或其他因素，可能难以或不可能使锥形部分的尖端宽度与阈值尖端宽度一样窄。本文要求保护的主题不限于...
【技术保护点】
1.一种光学系统，包括：硅(Si)衬底；隐埋氧化物(BOX)层，其形成在所述Si衬底上；氮化硅(SiN)波导层，其形成在所述BOX层上方；SiN波导，其形成在所述SiN波导层中，所述SiN波导包括锥形部分；中介层波导，其绝热地耦合到所述SiN波导以形成SiN‑中介层绝热耦合器，该SiN‑中介层绝热耦合器至少包括所述SiN波导的所述锥形部分；及空腔，其至少在所述SiN‑中介层绝热耦合器下方形成在所述Si衬底中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.16 US 62/337,245;2016.09.20 US 62/397,1851.一种光学系统，包括：硅(Si)衬底；隐埋氧化物(BOX)层，其形成在所述Si衬底上；氮化硅(SiN)波导层，其形成在所述BOX层上方；SiN波导，其形成在所述SiN波导层中，所述SiN波导包括锥形部分；中介层波导，其绝热地耦合到所述SiN波导以形成SiN-中介层绝热耦合器，该SiN-中介层绝热耦合器至少包括所述SiN波导的所述锥形部分；及空腔，其至少在所述SiN-中介层绝热耦合器下方形成在所述Si衬底中。2.根据权利要求1所述的光学系统，其中，在所述Si衬底中形成的所述空腔的宽度为至少20μm。3.根据权利要求1所述的光学系统，还包括回填到在所述Si衬底中形成的所述空腔中的低折射率材料。4.根据权利要求3所述的光学系统，其中，所述低折射率材料具有1.4至1.6之间的折射率。5.根据权利要求3所述的光学系统，其中，所述低折射率材料包括环氧树脂。6.根据权利要求1所述的光学系统，其中，在所述Si衬底中形成的所述空腔的长度在所述SiN中介层绝热耦合器的相互作用长度的量级上。7.根据权利要求1所述的光学系统，其中，在所述空腔的一端和所述Si衬底的边缘之间沿光传播方向的剩余Si衬底的厚度至少为250微米。8.根据权利要求1所述的光学系统，还包括有包括所述SiN-中介层绝热耦合器的多个SiN-中介层绝热耦合器，其中，所述空腔至少在所述多个SiN-中介层绝热耦合器中的两个SiN-中介层绝热耦合器下方形成在所述Si衬底中。9.根据权利要求8所述的光学系统，其中，所述空腔的宽度小于1毫米。10.根据权利要求1所述的光学系统，还包括形成在所述SiN波导的SiN核心的顶部与所述中介层波导的底部之间的氧化物覆盖层。11.根据权利要求1所述的光学系统，还包括：Si波导层，其形成在所述BOX层上方且所述SiN波导层下方；和多模Si波导，其形成在所述Si波导层中，所述Si波导包括尖端宽度大于或等于100纳米(nm)的Si锥形；其中：所述多模Si波导绝热耦合到在所述SiN波导层中形成的多模SiN波导；和所述多模SiN波导包括与所述Si锥形不重叠的SiN锥形。12.一种光学系统，包括：硅(Si)衬底；隐埋氧化物(BOX)层，其形成在所述Si衬底上；氮化硅(SiN)波导层，其形成在所述BOX层上方；SiN波导，其形成在所述SiN波导层中，所述SiN波导包括锥形部分；中介层波导，其绝热地耦合到所述SiN波导以形成SiN-中介层绝热耦合器，该SiN-中介层绝热耦合器至少包括所述SiN波导的所述锥形部分；及氧化物覆盖层，其形成在所述SiN波导的SiN核心的顶部和所述中介层波导的底部之间。13.根据权利要求12...
【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·马哈格里夫特，布赖恩·帕克，
申请(专利权)人：菲尼萨公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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