本发明专利技术提供一种偏振片保护膜，包含在190℃、负荷2.16kg时的熔体流动速率M[g/min]满足式(1)：5g/min≤M式(1)的树脂层，对具有在输出300W、放电量200W·min/m
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】偏振片保护膜、偏振片和显示装置
本专利技术涉及偏振片保护膜以及包含该偏振片保护膜的偏振片和显示装置。
技术介绍
作为显示装置，已知具有显示体和偏振片的显示装置。例如已知具有液晶显示体和偏振片的液晶显示装置，上述液晶显示体包含成对设置的透明的基板及封入这些基板之间的液晶化合物，上述偏振片设置于该液晶显示体的单侧或两侧。此外，例如已知具有有机电致发光显示体(以下有时适当称为“有机EL显示体”。)和偏振片的有机电致发光显示装置(以下有时适当称为“有机EL显示装置”。)，上述有机电致发光显示体包含基板、电极和发光层，上述偏振片设置为用于抑制该有机EL显示体中的光的反射。上述那样的显示装置具有的偏振片一直以来通常具有起偏器和分别贴合于该起偏器两侧的偏振片保护膜。而且，该偏振片大多使用粘接剂而贴合于显示体。近年来，为了使显示装置变薄，尝试着使偏振片变薄。因此，提出了省略一方的偏振片保护膜而仅在起偏器的单侧具有偏振片保护膜的偏振片(专利文献1和2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-145645号公报；专利文献2：日本特开2009-109860号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题像上述那样，仅在起偏器的单侧具有偏振片保护膜的偏振片通常在起偏器的与偏振片保护膜相反侧的面经由粘接剂贴合于显示体。然而，当像这样使用省略了一方的偏振片保护膜的偏振片时，有时起偏器的保护变得不充分而因湿气导致发生偏光度的下降、因受到热冲击导致在起偏器产生龟裂。此外，当省略偏振片保护膜时，有时偏振片的刚性受损，偏振片变得易于受到损伤。进而，基于粘接剂的贴合有时在高温环境或高湿度环境中会发生剥离，有因该剥离而难以进行起偏器的保护的情况。本专利技术是鉴于上述问题而创造的，目的在于提供能够将设置了偏振片的显示装置变薄且能够良好地保护起偏器的偏振片保护膜、以及包含上述偏振片保护膜的偏振片和显示装置。用于解决问题的方案本专利技术人为了解决上述问题而进行了深入研究。其结果，本专利技术人发现通过将具有期望的特性且即使不使用粘接剂也能够贴合于显示体的膜用作偏振片保护膜，从而能够解决上述问题，完成了本专利技术。即，本专利技术包含下述的内容。[1]一种偏振片保护膜，包含在190℃、负荷2.16kg时的熔体流动速率M[g/min]满足下述式(1)的树脂层，5g/min≤M式(1)对具有在输出300W、放电量200W·min/m2的条件下实施了电晕处理的算术平均粗糙度为3nm的面的玻璃板的上述面，以温度110℃、线压力25N/mm、速度0.04m/min的条件压合上述树脂层时的密合力为1.0N/10mm以上，且拉伸弹性模量E[MPa]满足下述式(2)，200MPa≤E≤1200MPa式(2)。[2]根据[1]所述的偏振片保护膜，其中，上述树脂层包含烷氧基甲硅烷基。[3]根据[1]或[2]所述的偏振片保护膜，其中，上述偏振片保护膜的换算为厚度100μm时的水蒸气透过率W[g/m2/day]满足式(3)：W≤10g/m2/day式(3)。[4]根据[1]～[3]中任一项所述的偏振片保护膜，其中，上述树脂层包含烷氧基甲硅烷基改性物[3]，上述烷氧基甲硅烷基改性物[3]为将嵌段共聚物[1]的主链和侧链的碳-碳不饱和键和芳香环的碳-碳不饱和键的90％以上氢化了的氢化物[2]的烷氧基甲硅烷基改性物，上述嵌段共聚物[1]具有以芳香族乙烯基化合物单元为主成分的、相对于1分子的上述嵌段共聚物[1]为2个以上的聚合物嵌段[A]，以及以链状共轭二烯化合物单元为主成分的、相对于1分子的上述嵌段共聚物[1]为1个以上的聚合物嵌段[B]，上述聚合物嵌段[A]在上述嵌段共聚物[1]总体中所占的重量百分比wA与上述聚合物嵌段[B]在上述嵌段共聚物[1]总体中所占的重量百分比wB之比(wA/wB)为30/70～60/40。[5]根据[1]～[4]中任一项所述的偏振片保护膜，其中，上述树脂层包含增塑剂。[6]一种偏振片，包含[1]～[5]中任一项所述的偏振片保护膜和起偏器。[7]一种显示装置，具有显示体和[6]所述的偏振片，上述显示体具有基板，上述偏振片的偏振片保护膜与上述基板相接。专利技术效果根据本专利技术能够提供：能够使设置了偏振片的显示装置变薄且能够良好地保护偏振片的偏振片保护膜、以及包含上述偏振片保护膜的偏振片和显示装置。具体实施方式以下，对本专利技术示出实施方式和示例物进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于以下所示的实施方式和示例物，在不脱离本专利技术所要求保护的范围及与其同等的范围的范围内可以任意地变更实施。以下的说明中，“偏振片”和“基板”只要没有特别说明，则不仅包含刚直的构件，而且也包含例如树脂制的膜这样具有可挠性的构件。[1.偏振片保护膜的概要]本专利技术的偏振片保护膜为用于与起偏器贴合从而保护上述起偏器的膜，满足下述的要件(i)～(iii)。(i)偏振片保护膜具有树脂层，该树脂层具有规定范围的熔体流动速率。(ii)上述树脂层对玻璃板具有规定范围的密合力。(iii)偏振片保护膜具有规定范围的拉伸弹性模量。在以下说明中，有时将上述的树脂层适当称为“特定树脂层”。[2.特定树脂层的熔体流动速率]偏振片保护膜包含具有规定的熔体流动速率M的特定树脂层。在此，特定树脂层的熔体流动速率是指该特定树脂层所包含的树脂的熔体流动速率。因此，偏振片保护膜包含由具有规定的熔体流动速率M的树脂形成的特定树脂层。具体而言，上述的特定树脂层在190℃、负荷2.16kg时的熔体流动速率M[g/min]满足下述式(1)。5g/min≤M式(1)更详细而言，特定树脂层的熔体流动速率M通常为5g/min以上，优选为6g/min以上，更优选为7g/min以上。这样的熔体流动速率高的特定树脂层在基于加热压合的贴合时会发挥高的流动性，因此，能够容易地延展。因此，在将偏振片加热压合于显示体时，包含上述的特定树脂层的偏振片保护膜能够以高的密合面积密合于显示体，因此能够抑制气泡和空隙的产生、特别是能够使边缘部的密合良好。因此，能够抑制水蒸气通过上述气泡或空隙进入，因而能够使偏振片的耐湿性提高。此外，具有上述的熔体流动速率M的特定树脂层在加热压合时能够容易地延展，因此偏振片保护膜不易发生局部的变形，从而易于抑制褶皱的产生。进而，具有上述的熔体流动速率M的特定树脂层能够得到高的密合面积，因此能够提高偏振片保护膜的密合力。此外，具有上述的熔体流动速率M的特定树脂层在高温时变得柔软，而且密合力不易受损，因此，能够抑制在高温环境中的偏振片保护膜的剥离。特定树脂层的熔体流动速率M优选为80g/min以下，更优选为60g/min以下，特别优选为40g/min以下。通过熔体流动速率M为上述上限值以下，从而在加热压合偏振片保护膜时，能够抑制偏振片保护膜的流动性变得过剩，容易地进行贴合。特定树脂层的熔体流动速率M可以基于JISK7210，使用熔融指数测定仪作为测定装置，在温度190℃、负荷2.16kg的条件下进行测定。[3.特定树脂层对玻璃板的密合力]就特定树脂层而言，对具有在输出300W、放电量200W·min/m2的条件下实施了电晕处理的算术平均粗糙度为3nm的面的玻璃板的上述面，以温度110℃、线压力25N/mm、速度0.04m/min的条件进行压合时的密合力为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种偏振片保护膜，包含在190℃、负荷2.16kg时的熔体流动速率M满足下述式(1)的树脂层，5g/min≤M 式(1)对具有在输出300W、放电量200W·min/m2的条件下实施了电晕处理的算术平均粗糙度为3nm的面的玻璃板的所述面，以温度110℃、线压力25N/mm、速度0.04m/min的条件压合所述树脂层时的密合力为1.0N/10mm以上，并且拉伸弹性模量E满足下述式(2)，200MPa≤E≤1200MPa 式(2)所述熔体流动速率M、拉伸弹性模量E的单位分别为g/min、MPa。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 JP 2016-1303201.一种偏振片保护膜，包含在190℃、负荷2.16kg时的熔体流动速率M满足下述式(1)的树脂层，5g/min≤M式(1)对具有在输出300W、放电量200W·min/m2的条件下实施了电晕处理的算术平均粗糙度为3nm的面的玻璃板的所述面，以温度110℃、线压力25N/mm、速度0.04m/min的条件压合所述树脂层时的密合力为1.0N/10mm以上，并且拉伸弹性模量E满足下述式(2)，200MPa≤E≤1200MPa式(2)所述熔体流动速率M、拉伸弹性模量E的单位分别为g/min、MPa。2.根据权利要求1所述的偏振片保护膜，其中，所述树脂层包含烷氧基甲硅烷基。3.根据权利要求1或2所述的偏振片保护膜，其中，所述偏振片保护膜的换算为厚度100μm时的水蒸气透过率W满足式(3)：W≤10g/m2/day式(3)所述水蒸气透过率W的单位为g/m2/day。4.根据权利要求1～3中任一项所述的偏振片保护膜，...
【专利技术属性】
技术研发人员：真岛启，猪股贵道，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。