双轴取向热塑性树脂膜制造技术

本发明专利技术涉及至少一个表面的突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×10

Biaxially oriented thermoplastic resin film

The invention relates to at least one surface with a protuberance height of more than 1 nm and a protuberance number of less than 2 nm of 1*10.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双轴取向热塑性树脂膜
本专利技术涉及至少一个表面具有微细突起的双轴取向热塑性树脂膜。
技术介绍
热塑性树脂由于其加工性良好，而被利用于各种工业领域。此外，将这些热塑性树脂加工成膜状的制品在工业用途、光学制品用途、包装用途等现在的生活中发挥重要作用。近年来，在电子信息设备中，小型化、高集成化进展，伴随之对作为基材的膜要求平滑性。另一方面，在对这些膜制品进行操作时，其易滑性特别重要，如果易滑性低则可能存在在生产工序、加工工序时产生褶皱、损伤的问题。因此，对膜的表面的平滑性和易滑性的要求日益提高。然而，如果提高平滑性，则有易滑性降低的倾向，因此难以获得平滑性和易滑性均优异的膜。近年来，在印刷配线基板、半导体封装、柔性基板等的制造中，多使用将聚酯膜用作支持体的干膜抗蚀剂(DFR)。一般而言，DFR形成感光层(光致抗蚀剂层)夹在由聚酯膜形成的基材膜与由聚烯烃膜等形成的保护膜(覆盖膜)之间的夹层结构。在使用该DFR制作导体电路时，一般进行以下那样的操作。即，将保护膜从DFR剥离，以露出的抗蚀剂层的表面、与基板上的例如铜箔等导电性基材层的表面密合的方式，与基板/导电性基材层进行层压。接下来，将烧上了导体电路图案的中间掩模放置在由聚酯膜形成的基材上，从其上对以感光性树脂作为主体的抗蚀剂层照射光线，使其曝光。然后，将中间掩模和聚酯膜剥离后，通过溶剂将抗蚀剂层中的未反应成分溶解、除去。接着，用酸等进行蚀刻，将导电性基材层中的露出的部分溶解、除去。其结果是，抗蚀剂层中的光反应部分和与该光反应部分对应的导电性基材层部分原样残留。然后，如果将残留的抗蚀剂层除去，则形成基板上的导体电路。由于通过这样的方法形成导体电路，因此对作为支持体的聚酯膜要求可以无干扰地使光线透射的高光线透射性。特别是，近年来，随着OA设备、IT设备等的小型化、轻量化等，要求平滑性优异，即，透射性优异，雾度低，可以实现高析像化的干膜抗蚀剂支持体用聚酯膜。此外，随着近来的智能手机的普及，叠层陶瓷电容器的小型、高容量化进展。因此，对于叠层陶瓷电容器的制造所使用的脱模膜，平滑性高，在膜表面和内部没有缺陷的聚酯膜的需求迅速增加。作为用作基材的聚酯膜的表面特性，有其平滑面的品质对加工后的生片制品的品质也易于造成影响的倾向。此外，有粗糙面的品质也对加工后的生片制品的品质易于造成影响的倾向。例如有时虽然对于以往的聚酯膜而言不成为问题，但是进行生片加工的平滑面的起伏与叠层陶瓷电容器的品质有关联，或者粗糙面侧的突起在将生片制品卷起时转印于生片，产生损伤、凹陷。此外，液晶显示器等所使用的构件中有偏振片、相位差偏振片或相位差板，偏振片通常由偏振膜、表面保护膜、粘着剂层和脱模膜构成。偏振膜具有下述结构：通过将使碘、二色性染料等偏光成分吸附于如聚乙烯醇系膜那样的亲水性膜等并使其取向的具有偏光轴和吸收轴的起偏器，从上下用纤维素系膜被覆、或者涂布丙烯酸系树脂而形成的结构。表面保护膜使用聚酯膜等透湿性少，伸长等变形少的透明塑料膜。表面保护膜与偏振膜通过粘接剂粘附，作为该粘接剂，使用与表面保护膜牢固地粘接，但与偏振膜即使历经时日也能够容易剥离的粘接剂。粘着剂层由用于将偏振膜粘着于液晶单元的压敏型粘着剂等形成，脱模膜由聚酯膜等构成。在制造这样的偏振片时，虽然预先对作为原料的偏振膜的光的透射率、偏振度或雾度等光学特性进行检查而使用，但是存在由于在制造偏振片的工序中的对偏振膜的机械应力、异物混入或附着等而产生缺陷的可能性。因此对于最终制品中的异物混入、缺陷检查，通过正交偏光法(crossnicolmethod)(使2片偏振片的偏光面彼此正交，在其间以膜的长度方向、宽度方向分别与正交的偏振片的偏光面一致的方式夹着膜，在该状态下对透射光进行观察的方法)进行人的目视检查。在实际的偏振片的目视检查中，如果代替正交偏光法中的起偏器和膜，将检查对象的偏振片以偏光面相对于检偏器的偏光面正交的方式重叠放置在正常的检偏器上，则理论上，偏振片中的异物混入、缺陷这样的缺陷位置作为亮点而出现，因此通过目视可以检查缺陷。然而，现在，作为偏振片的脱模膜使用的双轴取向聚酯膜在通过正交偏光法进行的偏振片检查时，易于发生漏光，准确的目视检查变得困难，产生看漏代表偏振片的异物混入、缺陷的亮点的问题。此外，在作为磁记录介质的支持体使用的情况下，对磁记录介质常常要求高密度记录化，为了实现更高密度记录，磁性层的薄膜化、使用微粒磁性体使磁性层表面的平滑性进一步提高是有效的。在近年来的使用强磁性六方晶铁氧体粉末而成的磁记录介质用支持体中，随着磁性层、非磁性层、背涂层、进而支持体本身的薄膜化，不仅平滑面而且移动面的粗糙面化也被制约。在制造过程中作为磁记录介质以卷状态保存的情况下，具有形成于移动面的突起转印于磁性面，使平滑的磁性层表面形成凹坑而导致磁性层表面的平滑性恶化，引起电磁转换特性降低这样的问题。为了提高磁性层表面的平滑性，仅仅谋求支持体的移动面侧所含有的粒子的小径化、低浓度化时，粒子的厚度方向的位置控制不充分，因此依然不能改善粗大突起。此外，如果使移动面的平滑性提高，则移动性、卷绕、切割性、进而表面的耐久性变得不充分。因此，兼有移动性、卷绕性、进而表面的平滑性这样的特性改善的要求可以说是为了高密度记录化而常常产生的课题。为了应对上述要求，已知使膜表面形成对平滑性不造成影响、但可以赋予易滑性的程度的微细突起是有效的。例如为了使膜表面形成微细突起，已知含有以胶体状二氧化硅为代表的实质上为球形的二氧化硅粒子的膜(专利文献1)。此外，也已知将含有用于形成表面突起的微细粒子的薄膜层叠层于基层的聚酯膜(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭59-171623号公报专利文献2：日本特开平8-30958号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，如果使膜大量含有微细粒子，则具有由粒子的凝集引起的粗大突起的形成、由粒子的脱落引起的工序污染、或产生起因于粒子的异物的问题。本专利技术鉴于上述情况，以提供具有平滑性、易滑性，并且可以抑制粗大突起、异物的产生，并抑制加工工序中的缺陷的双轴取向热塑性树脂膜作为目的。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术采用以下构成。即，[I]一种双轴取向热塑性树脂膜，其至少一个表面的突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2。[II]根据[I]所述的双轴取向热塑性树脂膜，上述突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2的膜表面的金属摩擦系数μk为0.1～0.5。[III]根据[I]或[II]所述的双轴取向热塑性树脂膜，其雾度为0.1％～2.0％。[IV]根据[I]～[III]中任一项所述的双轴取向热塑性树脂膜，在上述突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2的膜表面，突起高度为10nm以上的突起个数为1×106个/mm2以下。[V]根据[I]～[IV]中任一项所述的双轴取向热塑性树脂膜，构成上述双轴取向热塑性树脂膜的热塑性树脂以聚酯、聚烯烃、聚苯硫醚、聚酰亚胺中的任一种作为主成分。[VI]根据[I]～[V]中任一项所述的双轴取向热塑性树脂膜，上述突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双轴取向热塑性树脂膜，其至少一个表面的突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.24 JP 2016-1255241.一种双轴取向热塑性树脂膜，其至少一个表面的突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2。2.根据权利要求1所述的双轴取向热塑性树脂膜，所述突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2的膜表面的金属摩擦系数为0.1～0.5。3.根据权利要求1或2所述的双轴取向热塑性树脂膜，其雾度为0.1％～2.0％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的双轴取向热塑性树脂膜，在所述突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2的膜表面，突起高度为10nm以上的突起个数为1×106个/mm2以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的双轴取向热塑性树脂膜，构成所述双轴取向热塑性树脂膜的热塑性树脂以聚酯、聚烯烃、聚苯硫醚、聚酰亚胺中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：东大路卓司，川原慎也，中森由佳里，铃木维允，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP