导电性基板、电子装置以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及导电性基板、电子装置以及显示装置。导电性基板的特征在于具备：基材、被设置于基材上的基底层、被设置于基底层上的沟槽形成层、包含金属镀敷的导电图形层。形成具有基底层露出的底面的沟槽。导电图形层填充沟槽。基底层具有：混合区域，从基底层的导电图形层侧的表面形成到其内侧且含有构成导电图形层的金属并且包含进入到基底层的金属颗粒。

Conductive substrates, electronic devices and display devices

The invention relates to a conductive base plate, an electronic device and a display device. The conductive base plate is characterized by having a base material, a base layer set on the base material, a groove forming layer set on the base layer, and a conductive graphic layer containing metal plating. A groove with a bottom exposed from the basement is formed. The conductive pattern layer fills the groove. The base layer has a mixed region, which is formed from the surface of the conductive pattern layer side of the base layer to the inside of the conductive pattern layer and contains metals constituting the conductive pattern layer and metal particles entering the base layer.

【技术实现步骤摘要】
导电性基板、电子装置以及显示装置
本专利技术涉及导电性基板、电子装置以及显示装置。
技术介绍
在触摸面板或者显示器的表面上会有安装搭载有具有透明性和导电性的导电性基板的透明天线的情况。近来，伴随于触摸面板以及显示器要大型化和多样化而变得对于导电性基板要求高透明性和高导电性并且还要求可挠性。现有的导电性基板例如在透明基材上具有由含有ITO、金属箔、或者导电性纳米线(nanowire)的树脂形成的、形成有微细图形的导电图形层。但是，ITO或者导电性纳米线都是一种昂贵的材料。另外，作为将微细的导电图形层形成于基材上的方法一般是蚀刻(腐蚀)法，由蚀刻来完成的方法其必要的工序分别为曝光工序、显影工序、蚀刻工序、以及剥离工序等，即工序繁多。根据如此理由，对于以低成本来制作导电性基板来说是有限度的。作为以低成本来制作导电性基板的方法，在日本专利申请公开2016-164694号公报中所公开的方法是使沟槽(trench)形成于树脂制的透明基材上，由蒸镀法或者溅射法来使铜等导电性材料填充到透明基材整个面上，用蚀刻法除去沟槽内部以外的导电性材料从而形成导电层。另外，在国际公开第2014/153895号中所公开的方法是使沟槽形成于树脂制的透明基材上，并使导电性材料填充于沟槽内部。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，具有填充沟槽的导电图形层的现有的导电性基板在被重复弯曲的时候会有所谓发生导电层的剥离并且导电性降低的问题。本专利技术的目的在于提供一种具有填充沟槽的导电图形层并且由弯曲引起的导电图形层剥离以及导电性降低被抑制的导电性基板、以及使用了该导电性基板的电子装置及显示装置。解决技术问题的手段本专利技术的一方面提供导电性基板，具备：基材、包含被设置于基材上的催化剂的基底层、被设置于基底层上的沟槽(trench)形成层、包含金属镀敷的导电图形层。形成具有基底层露出的底面和包含沟槽形成层表面的侧面的沟槽。导电图形层填充了沟槽。基底层具有：混合区域，从基底层的导电图形层侧的表面形成到其内侧且包含含有构成导电图形层的金属并且进入到基底层的金属颗粒。混合区域的厚度相对于基底层的厚度之比优选为0.1～0.9。导电图形层的宽度也可为0.3～5.0μm。导电图形层的厚度相对于导电图形层的宽度之比优选为0.1～10.0。导电图形层的与沟槽底面相反侧的面的表面粗糙度Ra优选为100nm以下。优选在导电图形层侧面当中的至少一部分与沟槽侧面之间形成间隙。导电图形层也可以具有：黑化层，构成包含与沟槽底面相反侧的面的导电图形层表面。黑化层的表面粗糙度Ra优选为15～60nm。导电性基板也可以进一步具备：保护膜，覆盖沟槽形成层以及导电图形层的与基材相反侧的面的至少一部分。保护膜的折射率优选大于1.0并且小于沟槽形成层的折射率。导电图形层也可以形成网目状图形。本专利技术的另一方面提供电子装置，其具备上述的导电性基板、被安装于导电性基板的电子部件。本专利技术的另一方面提供显示装置，其具备上述的导电性基板、被安装于导电性基板的发光元件。电子装置或显示装置进一步具备被设置于导电性基板的导电图形层上的连接部，电子部件或发光元件可以经由连接部被连接于导电性基板。电子装置或显示装置进一步具备：紧密附着层，被设置于导电性基板的导电图形层上；绝缘层，被设置于沟槽形成层上以及紧密附着层上并覆盖沟槽形成层的与基底层相反侧的表面并且具有所述紧密附着层的一部分露出的开口部；UBM层，被设置于露出于紧密附着层开口部内的紧密附着层的面上；连接部，被设置于UBM层上；电子部件或发光元件可以通过连接部和UBM层以及紧密附着层被连接于导电性基板。附图说明图1是表示一个实施方式所涉及的导电性基板的示意截面图。图2是图1所表示的导电性基板的部分放大图。图3是示意性地表示图1所表示的导电性基板的制造方法的截面图。图4A是表示一个实施方式所涉及的导电性基板的部分放大图，图4B是表示现有导电性基板的一个例子的部分放大图。图5是表示一个实施方式所涉及的导电性基板的示意截面图。图6是示意性地表示制造显示装置的方法的一个实施方式的截面图。图7是示意性地表示制造显示装置的方法的其他实施方式的截面图。图8是示意性地表示图7所表示的方法的变形例的截面图。图9是示意性地表示由图6～图8所表示的方法制得的显示装置主要部分的平面图。图10是表示现有导电性基板制造方法的工程图。图11是耐弯曲性试验机的概略图。具体实施方式以下是适当参照附图并就本专利技术的实施方式进行说明。但是，本专利技术并不限定于以下所述的实施方式。图1是表示一个实施方式所涉及的导电性基板的示意截面图。图1所表示的导电性基板1A具备薄膜状的基材2、被设置于基材2上的基底层3、被设置于底基层3的与基材2相反侧的面上的沟槽形成层4、导电图形层8。形成具有基底层3露出的底面6a和包含沟槽形成层4表面的侧面6b,6c的沟槽6，导电图形层8填充沟槽6。基材2优选为透明基材，特别是优选为透明树脂薄膜。透明树脂薄膜例如可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、环烯烃聚合物(COP)、或者聚酰亚胺(PI)的薄膜。或者，基材2也可以是玻璃基板或者Si晶片等。基材2的厚度可以是10μm以上、20μm以上、或者35μm以上，另外，可以是500μm以下、200μm以下、或者100μm以下。基底层3含有催化剂以及树脂。树脂可以是固化性树脂，作为其例子可以列举氨基树脂、氰酸酯树脂、异氰酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、氧杂环丁烷树脂、聚酯树脂、烯丙基树脂、酚醛树脂、苯并恶嗪树脂(benzoxazineresin)、二甲苯树脂、酮树脂、呋喃树脂、COPNA树脂、硅树脂、双环戊二烯树脂、苯并环丁烯树脂、环硫树脂、烯硫醇树脂(ene-thiolresin)、聚甲亚胺树脂、聚乙烯基苄基醚化合物、苊烯(acenaphthylene)、不饱和双键和环醚以及乙烯基醚等的包含以紫外线发生聚合反应的官能团的紫外线固化树脂等。包含于基底层3的催化剂优选为无电解电镀催化剂。无电解电镀催化剂可以是选自Pd、Cu、Ni、Co、Au、Ag、Pd、Rh、Pt、In、以及Sn当中的金属，优选为Pd。催化剂也可以是单独1种或者2种以上的组合。通常是催化剂作为催化剂颗粒分散于树脂中。基底层3中催化剂的含量可以是将基底层全量作为基准来设定为3质量％以上、4质量％以上、或者5质量％以上，并且可以设定为50质量％以下、40质量％以下、或者25质量％以下。基底层3的厚度可以是10nm以上、20nm以上、或者30nm以上，并可以是500nm以下、300nm以下、或者150nm以下。沟槽形成层4优选为透明树脂层。另外，沟槽形成层4也可以是包含光固化性或者热固化性树脂的层。作为构成沟槽形成层4的光固化性树脂以及热固化性树脂的例子可以列举丙烯酸树脂、氨基树脂、氰酸酯树脂、异氰酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、氧杂环丁烷树脂、聚酯树脂、烯丙基树脂、酚醛树脂、苯并恶嗪树脂(benzoxazineresin)、二甲苯树脂、酮树脂、呋喃树脂、COPNA树脂、硅树脂、双环戊二烯树脂、苯并环丁烯树脂、环硫树脂、烯硫醇树脂(ene-thiolresin)、聚甲亚胺树脂、聚乙烯基苄基醚化合物、苊烯(acenaph本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性基板，其特征在于，具备：基材；包含被设置于所述基材上的催化剂的基底层；被设置于所述基底层上的沟槽形成层；以及包含金属镀敷的导电图形层，形成有具有所述基底层露出的底面和包含所述沟槽形成层的表面的侧面的沟槽，所述导电图形层填充所述沟槽，所述基底层具有：混合区域，从所述基底层的所述导电图形层侧的表面形成到其内侧且包含含有构成所述导电图形层的金属并且进入到所述基底层的金属颗粒。

【技术特征摘要】
2017.07.28 JP 2017-1466721.一种导电性基板，其特征在于，具备：基材；包含被设置于所述基材上的催化剂的基底层；被设置于所述基底层上的沟槽形成层；以及包含金属镀敷的导电图形层，形成有具有所述基底层露出的底面和包含所述沟槽形成层的表面的侧面的沟槽，所述导电图形层填充所述沟槽，所述基底层具有：混合区域，从所述基底层的所述导电图形层侧的表面形成到其内侧且包含含有构成所述导电图形层的金属并且进入到所述基底层的金属颗粒。2.如权利要求1所述的导电性基板，其特征在于，所述混合区域的厚度相对于所述基底层的厚度之比为0.1～0.9。3.如权利要求1或者2所述的导电性基板，其特征在于，所述导电图形层的宽度为0.3～5.0μm，而且所述导电图形层的厚度相对于所述导电图形层的宽度之比为0.1～10.0。4.如权利要求1～3中任意一项所述的导电性基板，其特征在于，所述导电图形层的与所述沟槽的底面相反侧的面的表面粗糙度Ra为100nm以下。5.如权利要求1～4中任意一项所述的导电性基板，其特征在于，在所述导电图形层的侧面中的至少一部分与所述沟槽的侧面之间形成有间隙。6.如权利要求1～5中任一项所述的导电性基板，其特征在于，所述导电图形层具有：黑化层，构成包含与所述沟槽的底面相反侧的面的所述导电图形层的表面，所述黑化层的表面粗糙度Ra为15～60nm。7.如权利要求1～6中任一项所述的导电性基板，其特征在于，进一步具备：保护膜，覆盖所述沟槽形成层以及所述导电图形层的与所述基材相反侧的面的至少一部分，所述保护膜的折射率大于1.0并且小于所述沟槽形成层的折射率。8.如权利要求1～7中任一项所述的导电性基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：大德高志，谷口晋，关映子，佐藤淳，堀川雄平，折笠诚，阿部寿之，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP