锍盐、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法技术

技术编号:20284931 阅读:36 留言:0更新日期:2019-02-10 17:40
本发明专利技术为锍盐、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。涂布包含衍生自具有聚合性基团的特定结构的锍盐的重复单元的聚合物,以形成因为改进的LWR、CDU和分辨率而适于精确图案化的抗蚀剂膜。

Sulfonium salt, polymer, corrosion inhibitor compositions and patterned methods

The invention relates to a matte salt, a polymer and an anticorrosive agent composition and a patterned method. Polymers containing repetitive units derived from specific structures of matte salts with polymeric groups are coated to form precisely patterned anti-corrosion film due to improved LWR, CDU and resolution.

【技术实现步骤摘要】
锍盐、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法相关申请的交叉引用本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2017年7月27日于日本提交的第2017-145057号专利申请的优先权,所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及锍盐、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。
技术介绍
为了满足LSI的更高集成度和运行速度的要求,减小图案尺度(patternrule)的努力正在迅速进行。广泛的闪存市场和对增加存储容量的需求推动了小型化技术的发展。作为先进的小型化技术,已经大规模实施通过ArF光刻法制造65nm节点的微电子器件。通过下一代ArF浸没式光刻法制造45纳米节点器件正在接近大批量应用的边缘。下一代32纳米节点的候选者包括与高折射率透镜和高折射率抗蚀剂膜组合使用具有比水更高的折射率的液体的超高NA透镜浸没式光刻法,已对波长为13.5nm的EUV光刻法和ArF光刻法的双重图案化版进行积极的研究工作。由于图案特征尺寸减小,接近光的衍射极限,光对比度降低。在正型抗蚀剂膜的情况下,光对比度的降低导致孔和沟槽图案的分辨率和聚焦裕度的降低。随着图案特征尺寸减小,线图案的边缘粗糙度(L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.锍盐,其包含具有式(1a)的阴离子和具有式(1b)或(1c)的锍阳离子:

【技术特征摘要】
2017.07.27 JP 2017-1450571.锍盐,其包含具有式(1a)的阴离子和具有式(1b)或(1c)的锍阳离子:其中,R为含有至少一个碘原子的C1-C20直链、支链或环状一价烃基,其可以含有不同于碘的杂原子,Rf1和Rf2各自独立地为氢、氟或三氟甲基,n为0至5的整数,和L1为单键或含有醚键、硫醚键、酯键、磺酸酯键、碳酸酯键或氨基甲酸酯键的二价基团,其中,A为具有聚合性基团的有机基团,R1、R2和R3各自独立地为卤素、硝基、氰基或可以含有杂原子的C1-C20直链、支链或环状一价烃基,当包括多个基团R1、R2或R3时,两个相邻的基团R1、R2或R3可以键合在一起以与它们所连接的碳原子形成环,X为单键或-O-、-NH-、-S-、-SO-、-SO2-、-CO-或-CH2-,p为0至4的整数,q和r各自独立地为0至5的整数,q’和r’各自独立地为0至4的整数。2.根据权利要求1所述的锍盐,其中所述锍阳离子具有式(1b-1)或(1c-1):其中,R1、R2、R3、X、p、q、r、q’和r’如上述所定义,L2为可以含有杂原子的C1-C20直链、支链或环状二价烃基,和RA各自独立地为氢或甲基。3.根据权利要求1所述的锍盐,其中所述阴离子具有式(1a-1):其中,Rf1、Rf2、L1和n如上述所定义,R4为可以含有杂原子的C1-C20直链、支链或环状一价烃基,s为1至5的整数,t为0至4的整数,和1≤s+t≤5。4.根据权利要求3所述的锍盐,其中所述阴离子具有式(1a-2):其中,R4、s和t如上述所定义,L3为可以含有杂原子的C1-C20直链、支链或环状二价烃基,u和v各自独立地为0或1。5.聚合物,其包含衍生自根据权利要求1所述的锍盐的重复单元。6.根据权利要求5所述的聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员:大桥正树畠山润阿达铁平
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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