发声装置及电子设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种发声装置及电子设备。其中，发声装置包括磁路系统、振动系统及收容固定所述磁路系统和振动系统的壳体；所述磁路系统位于所述振动系统下方；所述振动系统包括振膜，所述振膜包括朝向所述磁路系统弯折的折环部；所述磁路系统包括边磁路，所述边磁路的上端面设置有避让所述折环部振动的第一凹弧面。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案能在保证振膜的振动空间的同时，降低对磁路系统BL值的影响程度。

【技术实现步骤摘要】
发声装置及电子设备
本技术属于电声转换装置
，具体地，本技术涉及一种发声装置及电子设备。
技术介绍
发声装置是电子产品中的重要声学部件，用于完成电信号与声音信号之间的转换，是一种能量转换器件。在发声装置中，磁路设计的好坏直接影响产品的灵敏度。在小型化发声装置中，折环部的凸面通常是朝下设置(即朝向磁路系统设置)。现有技术中，为了留出振膜的振动空间，会将磁路系统中边磁路部分的高度整体降低相同高度且边磁路部分的端面整体位于折环部最低点的下方。这样的设计严重影响了磁路系统BL值(衡量发声器中驱动系统强度的一个参数)，使得现有技术中的小型化发声装置的声学性能较差。
技术实现思路
本技术的一个目的是在保证振膜的振动空间的同时，降低对磁路系统BL值的影响程度。本技术一实施例提供了一种发声装置，包括：磁路系统、振动系统及收容固定所述磁路系统和振动系统的壳体；所述磁路系统位于所述振动系统下方；所述振动系统包括振膜，所述振膜包括朝向磁路系统弯折的折环部；所述磁路系统包括边磁路，所述边磁路的上端面设置有避让所述折环部振动的第一凹弧面。可选地，所述第一凹弧面的曲率与所述折环部的折弯曲率相等。可选地，所述第一凹弧面与水平面相切的点与所述折环部振动时的最低点之间的距离不小于预设距离。可选地，所述边磁路包括边磁铁和边导磁板；所述边磁铁的上端面设置有向下凹陷的第二凹弧面；所述边导磁板具有与所述边磁铁的上端面适配的弧形结构，且与所述边磁铁的上端面贴合；所述边导磁板的弧形结构的上端面形成有所述第一凹弧面。可选地，所述磁路系统还包括中心磁路；所述中心磁路与所述边磁路之间形成有磁间隙；所述边磁路上端面的靠近所述中心磁路的第一侧低于所述边磁路上端面的远离所述中心磁路的第二侧；所述边磁路上端面的第一侧与所述边磁路上端面的第二侧通过所述第一凹弧面连接。可选地，所述第一侧和所述第二侧均为平面。可选地，所述边磁路为两个；两个所述边磁路分别位于所述中心磁路的相对两侧；所述振动系统中的音圈悬设在所述磁间隙中。可选地，所述边磁路为四个；四个所述边磁路两两相对，且围绕所述中心磁路设置；所述振动系统中的音圈悬设在所述磁间隙中。可选地，所述壳体为两端开口结构；所述磁路系统还包括导磁轭；所述振动系统固定于所述壳体的第一端开口处，且所述第一端开口处结合有用于保护所述振动系统的前盖；所述磁路系统固定于所述壳体的第二端开口处；所述边磁路位于所述导磁轭的上端面。本技术又一实施例提供了一种电子设备，包括上述任一项所述的发声装置。与现有技术中为了保证振膜的振动空间，将边磁路部分的高度整体降低相同高度的方法相比，本技术实施例提供的技术方案中，为了保证振膜的振动空间，在边磁路的上端面设置第一凹弧面来避让振膜折环部的振动，可减低对边磁路部分的体积和形状的改变量，因此，对磁路系统BL值的影响较小。通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本技术的原理。图1是本技术一实施例提供的发声装置的剖面图；图2是本技术一实施例提供的发声装置的结构示意图；图3是本技术一实施例提供的发声装置的爆炸图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。图1是本技术一实施例提供的发声装置的结构示意图。如图1所示，该发声装置，包括：磁路系统1、振动系统2及收容固定磁路系统1和振动系统2的壳体3；磁路系统1位于振动系统2下方；振动系统2包括振膜21，振膜21包括朝向磁路系统弯折的折环部211；磁路系统1包括边磁路11，边磁路11的上端面设置有避让折环部211振动的第一凹弧面110。边磁路11的朝向振动系统1的面为边磁路11的上端面。与现有技术中为了保证振膜的振动空间，将边磁路部分的高度整体降低相同高度的方法相比，本技术实施例提供的技术方案中，为了保证振膜的振动空间，在边磁路的上端面设置第一凹弧面来避让振膜折环部的振动，可减低对边磁路部分的体积和形状的改变量，因此，对磁路系统BL值的影响较小。具体实施时，可根据实际情况将第一凹弧面110设置在边磁路11上端面的某一位置处，只要能够使边磁路11避让振膜21的折环部211的振动即可。通常，磁路系统1还包括中心磁路；中心磁路与边磁路之间形成有磁间隙。在一种可实现的方案中，如图1所示，边磁路11上端面的靠近中心磁路12的第一侧低于边磁路11上端面的远离中心磁路12的第二侧；边磁路11上端面的第一侧与边磁路11上端面的第二侧通过第一凹弧面110连接。通过凹弧面的设计，可使得边磁路11的第二侧高度不用降低，边磁路11中部高度逐渐降低，有效减小了边磁路的体积和形状的改变量，有效降低了对磁路系统BL值的影响。具体地，如图1所示，第一侧和第二侧可均设为平面。为了保证设计的第一凹弧面能够有效避让折环部的振动，所述第一凹弧面与水平面相切的点与所述折环部振动时的最低点之间的距离不小于预设距离。这个预设距离可根据实际情况进行设定，本技术实施例对此不作具体限定。例如：可根据振膜折环部的振动幅度来设置。在保证有效的振膜振动空间的情况下，为了进一步降低边磁路的体积和形状的改变量，可将第一凹弧面110的曲率设计的与折环部211的折弯曲率相等。在一具体结构中，如图1所示，边磁路11包括边磁铁111和边导磁板112；边磁铁111的上端面设置有向下凹陷的第二凹弧面1110；边导磁板112具有与边磁铁111的上端面适配的弧形结构，且与边磁铁111的上端面贴合；边导磁板112的弧形结构的上端面形成有所述第一凹弧面110。上述磁路系统1可以为三磁路系统或五磁路系统。当磁路系统1为三磁路系统时，如图1所示，磁路系统1还包括中心磁路12；边磁路11为两个；两个边磁路11分别位于中心磁路12的相对两侧；中心磁路12与边磁路11之间形成有磁间隙；振动系统2中的音圈22悬设在磁间隙中。当磁路系统1为五磁路系统时，磁路系统1还包括中心磁路12；边磁路11为四个；四个边磁路11两两相对，且围绕中心磁路12设置；中心磁路12与边磁路11之间形成有磁间隙；振动系统2中的音圈22悬设在磁间隙中。如图3所示，上述中心磁路12包括中心磁铁121和中心导磁板122。如图2和图3所示，壳体3为两端开口结构；磁路系统1还包括导磁轭13，振动系统2固定于壳体3的第一端开口处，且第一端开口处结合有用于保护振动系统2的前盖4；磁路系统1固定于壳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发声装置，其特征在于，包括：磁路系统、振动系统及收容固定所述磁路系统和振动系统的壳体；所述磁路系统位于所述振动系统下方；所述振动系统包括振膜，所述振膜包括朝向所述磁路系统弯折的折环部；所述磁路系统包括边磁路，所述边磁路的上端面设置有避让所述折环部振动的第一凹弧面。

【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于，包括：磁路系统、振动系统及收容固定所述磁路系统和振动系统的壳体；所述磁路系统位于所述振动系统下方；所述振动系统包括振膜，所述振膜包括朝向所述磁路系统弯折的折环部；所述磁路系统包括边磁路，所述边磁路的上端面设置有避让所述折环部振动的第一凹弧面。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一凹弧面的曲率与所述折环部的折弯曲率相等。3.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一凹弧面与水平面相切的点与所述折环部振动时的最低点之间的距离不小于预设距离。4.根据权利要求1-3中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路包括边磁铁和边导磁板；所述边磁铁的上端面设置有向下凹陷的第二凹弧面；所述边导磁板具有与所述边磁铁的上端面适配的弧形结构，且与所述边磁铁的上端面贴合；所述边导磁板的弧形结构的上端面形成有所述第一凹弧面。5.根据权利要求1-3中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统还包括中心磁路；所述中心磁路与所述边磁路之间形成有磁间隙；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩菲菲，杨鑫峰，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37