一种显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决水和氧气容易入侵到显示器件中，导致显示器件的信赖性较低的问题。所述显示基板包括硅基底和设置在所述硅基底上的显示器件，所述硅基底包括：基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构，所述阻挡结构包围所述显示器件，且所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度，高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度。本发明专利技术提供的显示基板用于实现显示功能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，硅基的微型有机发光二极管显示器件(以下简称micro-OLED)，以其高对比度、低功耗等优点逐渐受到人们的广泛关注。将这种硅基的micro-OLED拼接在一起后能够实现具有超高分辨率的大尺寸显示屏，而且在将该显示屏应用于虚拟现实(英文：VirtualReality，简称VR)技术中，能够实现更逼近于现实世界且在光学放大后没有颗粒感的效果。随着硅基的micro-OLED的应用越来越广泛，其信赖性的问题也越来越受到重视，影响micro-OLED信赖性的主要因素包括水和氧气的入侵，现有技术中为了避免水和氧气入侵到显示器件内，会对其进行封装，但是现有的封装方式仍然无法保证显示器件的信赖性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用于解决水和氧气容易入侵到显示器件中，导致显示器件的信赖性较低的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术的第一方面提供一种显示基板，包括硅基底和设置在所述硅基底上的显示器件，其特征在于，所述硅基底包括：基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构，所述阻挡结构包围所述显示器件，且所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度，高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度。进一步地，所述基底本体和所述阻挡结构为一体结构。进一步地，所述显示基板还包括：位于所述显示器件和所述阻挡结构之间的硅基通道区，所述硅基通道区设置有贯穿所述基底本体，且与所述显示器件连接的硅基通道；设置在所述基底本体背向所述显示器件的一侧，且与所述硅基通道连接的驱动单元，所述驱动单元通过所述硅基通道为所述显示器件提供驱动信号。进一步地，所述硅基通道包括贯穿所述基底本体的硅基过孔和填充在所述硅基过孔中的导电材料。进一步地，所述阻挡结构包括挡墙图形，所述挡墙图形在垂直于所述基底本体的方向上的厚度在20μm～100μm之间；所述挡墙图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度在10μm～30μm之间；和/或，所述基底本体的厚度在0.3mm～0.5mm之间。基于上述显示基板的技术方案，本专利技术的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。基于上述显示基板的技术方案，本专利技术的第三方面提供一种显示基板的制作方法，包括：制作硅基底，所述硅基底包括：基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构；在所述基底本体上，由所述阻挡结构限定出的区域内制作显示器件，所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度，高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度。进一步地，当所述基底本体和所述阻挡结构为一体结构时，所述制作硅基底的步骤具体包括：提供一硅基材；对所述硅基材进行刻蚀，形成所述基底本体和位于所述基底本体上的阻挡结构。进一步地，所述制作方法还包括：在所述基底本体上制作贯穿所述基底本体的硅基通道，所述硅基通道位于所述显示器件与所述阻挡结构之间，且与所述显示器件连接；在所述基底本体背向所述显示器件的一侧绑定驱动单元，所述驱动单元与所述硅基通道连接，所述驱动单元通过所述硅基通道为所述显示器件提供驱动信号。进一步地，在所述基底本体上制作硅基通道的步骤具体包括：在所述基底本体上形成贯穿所述基底本体的硅基过孔；在所述硅基过孔中填充导电材料。本专利技术提供的技术方案中，采用包括基底本体和阻挡结构的硅基底，将显示器件形成在由阻挡结构限定的区域内，并同时设置阻挡结构的高度要高于显示器件的整体厚度，使得阻挡结构能够将显示器件完全包围，这样在对显示器件进行封装后，阻挡结构和封装薄膜能够共同阻挡水和氧气入侵到显示器件中，从而有效提升了显示器件的信赖性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的显示基板的截面示意图；图2为本专利技术实施例提供的一体结构的硅基底的示意图；图3为本专利技术实施例提供的显示基板的俯视示意图；图4为本专利技术实施例提供的母板的硅基底的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的图5中沿A1A2方向的截面示意图。附图标记：1-显示基板，11-硅基底，111-基底本体，112-阻挡结构，12-显示器件，13-封装薄膜，131-第一层薄膜，132-第二层薄膜，133-第三层薄膜，14-硅基通道区。具体实施方式为了进一步说明本专利技术实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术实施例提供了一种显示基板1，包括硅基底11和设置在硅基底11上的显示器件12，所述硅基底11包括：基底本体111和设置在基底本体111上的阻挡结构112，阻挡结构112包围显示器件12，且阻挡结构112在垂直于基底本体111的方向上的高度，高于显示器件12在垂直于基底本体111的方向上的厚度。具体地，在制作上述显示基板1时，可先制作一包括基底本体111和阻挡结构112的硅基底11，然后在基底本体111上，由阻挡结构112限定出的区域内制作显示器件12，该显示器件12可包括多个发光单元和位于多个发光单元的周边区域的电路结构，在完成显示器件12的制作后，再对显示基板1进行全面的薄膜封装，即将显示器件12以及硅基底11完全封装。根据上述显示基板1的具体结构和制作过程可知，本专利技术实施例提供的显示基板1中，采用包括基底本体111和阻挡结构112的硅基底11，将显示器件12形成在由阻挡结构112限定的区域内，并同时设置阻挡结构112的高度要高于显示器件12的厚度，使得阻挡结构112能够将显示器件12完全包围，这样在对显示器件12进行封装后，阻挡结构112和封装薄膜13能够共同阻挡水和氧气入侵到显示器件12中，从而有效提升了显示器件12的信赖性。如图2所示，在一些实施例中，可设置基底本体111和阻挡结构112为一体结构。具体地，当基底本体111和阻挡结构112为一体结构时，可在一次刻蚀工艺中同时制作出基底本体111和阻挡结构112。示例性的，先提供一硅基材，然后在硅基材的表面涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶保留区域对应阻挡结构112所在的区域，光刻胶去除区域对应未被阻挡结构112覆盖的基底本体111所在的区域，然后可利用硅片减薄机对位于光刻胶去除区域的硅基材进行刻蚀，形成基底本体111，最后将光刻胶保留区域的光刻胶去除，形成位于基底本体111上的阻挡结构112。上述设置基底本体111和阻挡结构112为一体结构，不仅能够简化硅基底11的制作过程，而且由于基底本体111和阻挡结构112之间不存在接缝，使得阻挡结构112对水和氧气入具有更好的阻挡效果。为了满足实际应用需求，硅基的micro-OLED逐渐向窄边框化发展，而micro-OLED的边框的尺寸不仅与位于micro-OLED的周边区域的电路结构的大小有关，还与位于micro-OLED的周边区域的绑定区(用于绑定能够为显示器件12提供驱动信号的驱动单元)的大小有关，为了进一步缩小边框宽度，如图3所示，上述实施例提供的显示基板1还包括：位于显示器件12和阻挡结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，包括硅基底和设置在所述硅基底上的显示器件，其特征在于，所述硅基底包括：基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构，所述阻挡结构包围所述显示器件，且所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度，高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括硅基底和设置在所述硅基底上的显示器件，其特征在于，所述硅基底包括：基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构，所述阻挡结构包围所述显示器件，且所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度，高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底本体和所述阻挡结构为一体结构。3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述显示器件和所述阻挡结构之间的硅基通道区，所述硅基通道区设置有贯穿所述基底本体，且与所述显示器件连接的硅基通道；设置在所述基底本体背向所述显示器件的一侧，且与所述硅基通道连接的驱动单元，所述驱动单元通过所述硅基通道为所述显示器件提供驱动信号。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述硅基通道包括贯穿所述基底本体的硅基过孔和填充在所述硅基过孔中的导电材料。5.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡结构包括挡墙图形，所述挡墙图形在垂直于所述基底本体的方向上的厚度在20μm～100μm之间；所述挡墙图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度在10μm～30μm之间；和/或，所述基底本体的厚度在0.3mm～0.5mm之间。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：张粲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11