一种固晶方法及终端技术

本发明专利技术公开了一种固晶方法及终端，方法包括：分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到待固定晶元的坐标偏差；根据待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到待固晶位置的坐标偏差；根据待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。可大大提高固晶效率和固晶精度，适用于对Mini LED进行批量固晶。

A Crystallization Method and Terminal

The invention discloses a crystallization method and a terminal, which includes: obtaining the first image information of at least two unfixed crystals, calculating the coordinate deviation of the unfixed crystals according to the first image information and the reference point of the unfixed crystals, and adjusting at least two unfixed crystals according to the coordinate deviation of the unfixed crystals and the reference point of the unfixed crystals; Do not acquire the second image information of at least two positions of the crystal to be fixed; calculate the coordinate deviation of the position of the crystal to be fixed according to the second image information and the reference point of the position of the crystal to be fixed; adjust at least two positions of the crystal to be fixed according to the coordinate deviation of the position of the crystal to be fixed and the reference point of the crystal to be fixed; fix at least two adjusted fixed elements after adjustment. At least two of them are in the positions to be fixed. It can greatly improve the crystallization efficiency and accuracy, and is suitable for batch crystallization of Mini LED.

【技术实现步骤摘要】
一种固晶方法及终端
本专利技术涉及固晶
，尤其涉及一种固晶方法及终端。
技术介绍
随着LED技术的发展，MiniLED将会作为下一代背光技术的核心，当采用传统固晶设备对MiniLED的晶元进行固晶时，其固晶速度慢，效率低，并且对位精度低，将会严重影响后期MiniLED的使用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种固晶方法及终端，可大大提高固晶效率和固晶精度。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种固晶方法，包括：分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。本专利技术涉及的另一技术方案为：一种固晶终端，包括处理器、存储器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。本专利技术的有益效果在于：分别对每一个待固定晶元和待固晶位置进行坐标偏差的计算，然后进行相应的调整，有利于提高固晶精度；同时将多个待固定晶元固定在多个的待固晶位置上，其固晶效率高。本专利技术的固晶方法及终端适用于对MiniLED进行固晶。附图说明图1为本专利技术实施例一的固晶方法的流程图；图2为本专利技术实施例二的固晶终端的结构示意图。标号说明：100、固晶终端；1、处理器；2、存储器。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：对每一个待固定晶元和待固晶位置进行调整，然后将多个待固定晶元同时固定在多个的待固晶位置上，可大大提高固晶效率和固晶精度。请参照图1，一种固晶方法，包括：分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：分别对每一个待固定晶元和待固晶位置进行坐标偏差的计算，然后进行相应的调整，有利于提高固晶精度；同时将多个待固定晶元固定在多个的待固晶位置上，其固晶效率高。进一步的，所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为：根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。由上述描述可知，将多个待固定晶元的坐标偏差进行平均值的计算，然后根据平均值来调整多个待固定晶元，其调整效率高，并且使得各个待固定晶元的坐标偏差在可接受的范围内。进一步的，所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为：根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。由上述描述可知，将多个待固晶位置的坐标偏差进行平均值的计算，然后根据平均值来调整多个待固晶位置，其调整效率高，并且使得各个待固晶位置的坐标偏差在可接受的范围内。进一步的，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上之前还包括：在待固晶位置上涂覆粘接层。进一步的，至少两个的所述待固定晶元分别固定设置于膜材料上，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上具体为：同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动，并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料与待固定晶元分离，完成固晶。由上述描述可知，通过真空吸附的方式吸附膜材料，有利于使膜材料与待固定晶元快速分离，提高固晶效率。请参照图2，本专利技术涉及的另一技术方案为：一种固晶终端100，包括处理器1、存储器2以及存储在存储器2上并可在处理器1上运行的计算机程序，所述处理器1执行所述计算机程序时实现以下步骤：分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。进一步的，所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为：根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。进一步的，所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为：根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。进一步的，所述处理器1执行所述计算机程序时还实现以下步骤：所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固晶方法，其特征在于，包括：分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

【技术特征摘要】
1.一种固晶方法，其特征在于，包括：分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。2.根据权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为：根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。3.根据权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为：根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。4.根据权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上之前还包括：在待固晶位置上涂覆粘接层。5.根据权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，至少两个的所述待固定晶元分别固定设置于膜材料上，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上具体为：同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动，并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料与待固定晶元分离，完成固晶。6.一种固晶终端，包括处理器、存储器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃春，梁国康，梁国城，李金龙，程飞，
申请(专利权)人：先进光电器材深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44