一种连续生产的区熔炉制造技术

本实用新型专利技术属于悬浮区熔单晶炉技术领域，具体涉及一种连续生产的区熔炉。针对上述现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉每生产一根晶体棒都需要进行一次抽真空和降真空，导致能耗及惰性气体的消耗较高，提高了工艺的成本，且生产效率较低的问题。本实用新型专利技术的技术方案是：包括炉室，炉室顶部设置有上轴，上轴的末端设置有夹具，炉室底部设置有保温室，保温室中设置有下轴，炉室侧面设置有原料切换室，原料切换室中设置有用于更换上轴上的原料晶体棒的原料切换装置；保温室侧面设置有产品存储室，产品存储室中设置有用于取走保温室中产品的产品拾取装置；下轴顶端设置有转盘Ⅰ，转盘Ⅰ上设置有多个籽晶安装装置。本实用新型专利技术适用于单晶生长工艺。

A Continuous Production Zone Furnace

The utility model belongs to the technical field of suspended zone melting single crystal furnace, in particular to a continuous zone melting furnace. The existing suspension zone melting furnace for producing longer single crystal rods needs to vacuum and reduce the vacuum once for each crystal rod, which leads to higher energy consumption and inert gas consumption, higher process cost and lower production efficiency. The technical scheme of the utility model is as follows: a furnace chamber is provided with an upper shaft at the top of the furnace chamber, a clamp at the end of the upper shaft, a heat preservation chamber at the bottom of the furnace chamber, a lower shaft in the heat preservation chamber, a material switching chamber at the side of the furnace chamber, and a material switching device for replacing the material crystal bar on the upper shaft in the material switching chamber; and a product storage chamber at the side of the heat preservation chamber. The product storage room is equipped with a product pickup device for taking products from the insulation room, the top of the lower shaft is equipped with a turntable I, and the top of the turntable I is equipped with a plurality of seed crystal installation devices. The utility model is suitable for single crystal growth process.

【技术实现步骤摘要】
一种连续生产的区熔炉
本技术属于悬浮区熔单晶炉
，具体涉及一种连续生产的区熔炉。
技术介绍
悬浮区熔单晶炉用于悬浮区熔提纯与悬浮单晶生长的装置。主要用于区熔硅的提纯和单晶生长，已用于工业生产半导体材料。悬浮区熔单晶炉结构由两部分组成，即炉室和机械传动部分以及电气控制柜和高频发生器部分。炉室为一不锈钢水套式直立容器，可抽高真空或通入流动氩气。从炉室顶底端各插入上轴和下轴，上轴下端夹持一根多晶硅棒，下轴顶端夹持一籽晶。炉室中央装设一单匝高频加热线圈。上下轴可分别旋转和升降。电气控制柜上装有指示仪表、调速旋钮、按钮开关。柜内装有电机控制系统等。现有的区熔炉通常将一根原料晶体棒安装在上轴下端后开始抽真空、通入惰性气体。在这一根原料晶体完成区熔提纯后，再降真空取出产品晶体棒并再次装入原料晶体棒以备下一次工艺。也即是说每进行一根晶体棒的区熔提纯，设备就要进行一次抽真空和降真空的操作。这样的缺点是能耗及惰性气体的消耗较高，提高了工艺的成本。且抽真空需要较长的时间导致生产效率较低。
技术实现思路
针对上述现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉每生产一根晶体棒都需要进行一次抽真空和降真空，导致能耗及惰性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连续生产的区熔炉，包括炉室(1)，炉室(1)顶部设置有上轴(2)，上轴(2)的末端设置有夹具，炉室(1)底部设置有保温室(12)，保温室(12)中设置有下轴(11)，其特征在于：炉室(1)侧面设置有原料切换室(19)，原料切换室(19)中设置有用于更换上轴(2)上的原料晶体棒的原料切换装置；保温室(12)侧面设置有产品存储室(15)，产品存储室(15)中设置有用于取走保温室(12)中产品的产品拾取装置；所述下轴(11)顶端设置有转盘Ⅰ(13)，转盘Ⅰ(13)上设置有多个籽晶安装装置。

【技术特征摘要】
1.一种连续生产的区熔炉，包括炉室(1)，炉室(1)顶部设置有上轴(2)，上轴(2)的末端设置有夹具，炉室(1)底部设置有保温室(12)，保温室(12)中设置有下轴(11)，其特征在于：炉室(1)侧面设置有原料切换室(19)，原料切换室(19)中设置有用于更换上轴(2)上的原料晶体棒的原料切换装置；保温室(12)侧面设置有产品存储室(15)，产品存储室(15)中设置有用于取走保温室(12)中产品的产品拾取装置；所述下轴(11)顶端设置有转盘Ⅰ(13)，转盘Ⅰ(13)上设置有多个籽晶安装装置。2.按照权利要求1所述的一种连续生产的区熔炉，其特征在于：所述原料切换装置包括平行设置的转盘Ⅱ(21)，所述转盘Ⅱ(21)的侧面通过伸缩杆连接有多个夹持装置Ⅰ(22)。3.按照权利要求2所述的一种连续生产的区熔炉，其特征在于：原料切换室(19)顶部设置有电机Ⅰ(24)，电机Ⅰ(24)通过转轴Ⅰ(23)与转盘Ⅱ(21)连接。4.按照权利要求1所述的一种连续生产的区熔炉，其特征在于：所述产品拾取装置包括平行设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小刚，
申请(专利权)人：峨眉山市元素新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51