The ultra-low temperature preparation method of the indium tin oxide target disclosed in the present invention is to mix indium oxide powder and tin oxide powder by ball milling to obtain mixed powder; mix the mixed powder with slurry to obtain powder; form the powder in the mould to obtain indium tin oxide target material blank, pressurize and heat at the same time in the mould; keep the setting time in the air atmosphere under the rising temperature and pressure. At room temperature, indium tin oxide target with high sintering density and uniform grain size was obtained. The preparation temperature was as low as 450 C, the grain size was less than 1.0 um, and the relative density was 99.2%. The preparation time was short, and the preparation process was safe without using high concentration oxygen atmosphere. It had a good industrial application prospect.
【技术实现步骤摘要】
氧化铟锡靶材的超低温制备方法
本申请属于金属氧化物靶向材料
，具体涉及一种氧化铟锡靶材的超低温制备方法。
技术介绍
氧化铟锡，或掺锡氧化铟(IndiumTinOxide，ITO)材料是一种n型半导体材料，ITO靶材是磁控溅射制备ITO透明导电薄膜的原料。这种透明导电薄膜对可见光透过率>85％，红外光反射率>90％，且导电性好，有优良的化学稳定性、热稳定性和刻蚀性，是一种用途十分独特的薄膜材料，广泛应用于平板显示器、防辐射玻璃、薄膜太阳能电池等领域。ITO靶材的制备方法有热压法、热等静压法和烧结法。常规的热压法和热等静压法因其存在模具尺寸受控、无氧气氛条件易造成失氧问题等缺陷而逐渐被淘汰。目前流行的工艺主要是氧气氛烧结法，常压烧结工艺具有很多优点，例如工艺简单、易操作、避免了高压氧气的危险，关键是常压或无压烧结工艺效果能够使靶坯完全致密化。但是，通常烧结工艺采用高温高浓度氧气氛下长时间烧结，通常需要5天以上，造成电力、氧气和人力的严重浪费，最终产品生产成本很高，尤其是超高1500℃高温长时间烧结，使得纳米氧化物颗粒急剧长大，最终得到...
【技术保护点】
1.一种氧化铟锡靶材的超低温制备方法，其特征在于，氧化铟锡靶材素坯在升高的温度、升高的压力下，在空气气氛中烧结，得到氧化铟锡靶材。
【技术特征摘要】
1.一种氧化铟锡靶材的超低温制备方法，其特征在于，氧化铟锡靶材素坯在升高的温度、升高的压力下，在空气气氛中烧结，得到氧化铟锡靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制备方法具体包括：氧化铟粉体、氧化锡粉体球磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到粉料；粉料在模具中成形得到氧化铟锡靶材素坯，在模具中同时加压、升温；空气气氛中，在升高的温度、升高的压力下保持设定时间，降温至室温，得到氧化铟锡靶材。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铟粉体与氧化锡粉体的质量比设置为9:1。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述料浆液包括成型剂、烧结活性剂和水，其中，成型剂的含量设置在0.5％～1％之间，烧结活性剂的含量设置在1％～2％之间，水的含量设置在1％～4％之间。5.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙本双，何季麟，舒永春，陈杰，曾学云，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：河南,41
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