一种超小型中子管的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种超小型中子管制作方法，属于精密测量仪器技术领域，本发明专利技术提出的中子管直径可控制在15‑20mm范围内，通过专门的工艺制作过程，可以制作直径小于25mm的中子发生器。中子产额大于1x108中子/秒；有效使用寿命大于常温条件下1000小时；抗震性能好，价格易于接受。满足了石油测井、危险品检测和医疗应用等要求；并且通过减低中子管的设计复杂度，降低成本，对各个部件进行优化整合，提高产成品率，降低了单品的生产成本。

A Fabrication Method of Subminiature Neutron Tube

The invention relates to a method for making a miniature neutron tube, which belongs to the technical field of precision measuring instruments. The diameter of the neutron tube can be controlled in the range of 15 to 20 mm. A neutron generator with a diameter less than 25 mm can be manufactured by a special process. The neutron yield is more than 1x108 neutrons per second, the effective service life is more than 1000 hours at room temperature, the seismic performance is good and the price is easy to accept. It satisfies the requirements of oil logging, dangerous goods detection and medical application, reduces the design complexity of neutron tube, reduces costs, optimizes and integrates all parts, improves the yield of finished products and reduces the production cost of single product.

【技术实现步骤摘要】
一种超小型中子管的制作方法
本专利技术属于精密测量仪器
，具体地说，涉及一种超小型中子管的制作方法。
技术介绍
国际上，通常把直径小于30mm的中子管称作微型中子管。公开号为4996017的美国专利，详细地介绍了一种基于潘宁离子源的微型中子管的制作方法，该种方法只能制作直径为28mm—30mm的中子管。该专利公开的中子管，由潘宁离子源、耐高压绝缘密封外壳、氘氚混合自成靶、抑制电极和氘氚混合存储器构成。该潘宁离子源和耐高压绝缘密封外壳直径一样大；耐高压绝缘密封外壳较短，能够承受的高压仅约11万伏；抑制电极固定在耐高压绝缘密封外壳的封接金属管内，其靶面的直径约为11毫米左右。国内公开号为CN1142448C的微型中子管及其制作方法的专利，对上述美国专利的微型中子管进行的技术改进，通过不等粗的高压绝缘管设计，一方面提高了中子产额，也同时保证了静电高压。它由耐高压绝缘密封壳、潘宁离子源、靶室、加速电极、氢同位素存储器构成。其配备了两个氢同位素储存器，可以一个储存氘气，一个储存氚气，在后期可以重新充入气体，延长中子管的使用寿命。它的潘宁离子源由导磁金属材料做成密封盖和杯状壳、由无磁材料做本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超小型中子管的制作方法，其特征在于：包含以下步骤：步骤1）按照常规的工艺制作完成电极，排气管，铜头，上面罩，氢同位素储存器，接地柱，由阴极、磁钢、阳极、电子整形环、加速筒和阳极罩构成的离子源，耐高压陶瓷密封绝缘壳部件，靶，下面罩的安装，形成中子管的主体；按照安装顺序，依次把各个部分焊接为一个整体，耐高压陶瓷绝缘密封壳和金属之间需要进行金属化和封接，在中子管靶基体的内表面上制作好靶膜；步骤2）对中子管主体进行加热排气处理，通过排气管排气时，与排气管连接的真空管道也要同时加热排气；步骤3）中子管主体加热排气完成以后，将加热温度降至180‑200℃，如果需要制作纯氚靶，则进行下两步，否则跳过...

【技术特征摘要】
1.一种超小型中子管的制作方法，其特征在于：包含以下步骤：步骤1）按照常规的工艺制作完成电极，排气管，铜头，上面罩，氢同位素储存器，接地柱，由阴极、磁钢、阳极、电子整形环、加速筒和阳极罩构成的离子源，耐高压陶瓷密封绝缘壳部件，靶，下面罩的安装，形成中子管的主体；按照安装顺序，依次把各个部分焊接为一个整体，耐高压陶瓷绝缘密封壳和金属之间需要进行金属化和封接，在中子管靶基体的内表面上制作好靶膜；步骤2）对中子管主体进行加热排气处理，通过排气管排气时，与排气管连接的真空管道也要同时加热排气；步骤3）中子管主体加热排气完成以后，将加热温度降至180-200℃，如果需要制作纯氚靶，则进行下两步，否则跳过；步骤4）采用一套外置加热套管制成的加热环对靶底部的靶基进行加热，该套管将下面罩、以及面罩与陶瓷封接处上部20mm包含在内，采用同一速度进行加热；步骤5）此时，如果真空计的示数已经接近于排气结束时的真空示数，说明管内的氚气已经被完全吸收；如果真空计示数与排气结束时的真空示数差距较大，则说明中子管内残留的氚气还很多，加热氢同位素储存器，对管内的氚气进行吸收，管内真空会回到排气结束时的状态；氚靶制作完成，备用；步骤6）停止对靶的加热，整个中子管主体温度降为室温；步骤7）通过计量真空室，向中子管内注入氘氚混合气体，然后加热氢同位素储存器对氘氚气体进行吸气，吸气饱和后，真空计的标度稳定下来；步骤8）打开排气系统，将中子管内废气排掉，将真空继续升至10-7帕的高真空；步骤9）剪断排气管，将管内真空锁定在10-7-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘太辉，严贺，孟熙博，
申请(专利权)人：珠海市纽创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44