【技术实现步骤摘要】
多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器
本专利技术属于远场涡流无损检测
，更为具体地讲，涉及一种多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器。
技术介绍
无损检测是指不损害被测工件的内部结构为前提，利用一些物理、化学方法来对工件进行检测，进而评估其性能。涡流检测是无损检测中最常见的一种检测方法，因其无需接触、无需耦合剂、成本低等优点一直受到国内外学者的青睐。远场涡流技术是涡流技术的一类，最先发现于管道的检测中，是指在距离激励线圈2～3倍管道内径处会产生远场涡流现象，通常激励线圈产生的能量分为两部分，一部分是直接耦合能量，沿着管道轴向传播；另一部分是间接耦合能量，沿着管道径向即管道壁传播。直接耦合能量由于管道的屏蔽作用呈指数性的衰减，而间接耦合能量穿过管道壁后在空气中传播，比管道内的传播速度更快，且衰减很少，所以在距离管道2～3倍内径处，间接耦合能量又再次穿透管壁，在返回到管道内的过程中携带了管壁的信息，在此位置直接耦合能量经衰减后远小于间接耦合能量，所以在该位置处放置检测线圈可以检测远场信号。正是基于上述理论，利用多层电磁屏蔽技术，将管道的远场涡流检测技术推广到平板之中，...
【技术保护点】
1.一种多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器，其特征在于包括激励线圈、第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层和检测线圈，5个部件的中轴线均相同，其中：激励线圈为空心圆柱型结构，设置有两根引线作为外部激励信号的接口，记其内径为d11，外径为d12，高度为h1；第一屏蔽层由高磁导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第一屏蔽层的内径为d21且d21＝d12，外径为d22，内高为h21，外高为h22；第二屏蔽层由高电导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第二屏蔽层的内径为d31，外径为d32，内高为h31，外高为h32，...
【技术特征摘要】
1.一种多层电磁屏蔽脉冲远场涡流检测传感器，其特征在于包括激励线圈、第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层和检测线圈，5个部件的中轴线均相同，其中：激励线圈为空心圆柱型结构，设置有两根引线作为外部激励信号的接口，记其内径为d11，外径为d12，高度为h1；第一屏蔽层由高磁导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第一屏蔽层的内径为d21且d21＝d12，外径为d22，内高为h21，外高为h22；第二屏蔽层由高电导率材料制成，为空心圆柱型结构，顶部设置有完全覆盖圆柱顶面的圆柱屏蔽盖，第二屏蔽层的内径为d31，外径为d32，内高为h31，外高为h32，其中d31＞d22，h3...
【专利技术属性】
技术研发人员：高斌，杨昌荣，
申请(专利权)人：四川沐迪圣科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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