【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅位错检测方法
本专利技术涉及单晶材料位错检测
，尤其是涉及一种碳化硅位错检测方法。
技术介绍
位错是晶体材料的一种线缺陷，指在晶体中沿着特定的结晶学取向发生的晶格偏离严格周期性排列的现象，常见的有刃位错、螺旋位错和基地平面位错等。晶圆的位错密度是评价晶圆的一种非常重要的参数，位错密度太高会让半导体的实际电学性能大大降低，从而生产处的器件无法达到设计的性能。单晶碳化硅材料由于其特殊的基于物理气相传输的生长方式，长出的晶体往往位错密度较高(～104cm-2)，这也是限制单晶碳化硅材料在集成电路方面进一步应用的一个重要原因。许多专家学者在研究如何降低生长出来的碳化硅的位错密度，因此，一种针对碳化硅的位错密度进行简单、快速的测量的方法具有十分重大的意义。通常切开后的碳化硅晶圆上的位错难以直接用显微镜观察到，但是位错部位的结构没有周围完美晶格部分的结构稳定，因此可以利用这个特性，对晶圆进行刻蚀，有位错的部分因为结构不稳定，所以化学刻蚀速率较快，在刻蚀过程中会形成一个小坑，通过计算这些刻蚀坑的数目就可以知道晶圆位错的密度。传统的检测碳化硅位错密度的方法为熔融氢...
【技术保护点】
1.一种碳化硅位错检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅位错检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。2.根据权利要求1所述的碳化硅位错检测方法，其特征在于，S2中，所述带有刻蚀气体的等离子体火炬表面通入有第一惰性气体，以形成第一惰性气体火炬层。3.根据权利要求2所述的碳化硅位错检测方法，其特征在于，所述第一惰性气体火炬层表面还通入有第二惰性气体，以形成第二惰性气体火炬层。4.根据权利要求3所述的碳化硅位错检测方法，其特征在于，所述刻蚀气体为四氟化碳，所述第一惰性...
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