一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器制造技术

技术编号:20207931 阅读:71 留言:0更新日期:2019-01-25 23:21
本实用新型专利技术公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括1个基本差分整流单元、n‑1个使能差分整流单元和n个控制单元。本实用新型专利技术通过地端控制的接入,降低整流器的关断功耗,主要解决现有技术关断功耗较大的问题,并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器,可以实现工作阶数可控功能,实现最大功率工作。本实用新型专利技术能够显著降低整流器的关断功耗,为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。

【技术实现步骤摘要】
一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器
本技术涉及集成电路设计
,具体涉及一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器。
技术介绍
随着无线充电技术飞快发展,人们要求设备在更远距离保持较高功率转换效率(PCE)充电。无线充电核心技术之一是整流器的设计。由于空间中无线信号能量比较低,需要将多阶整流器级联才能满足设备供电。但是阶数过多会使PCE降低,阶数过少会造成输出电压满足不了负载供电需求。根据输入功率(PIN)和输出电压的大小,合理控制整流器的阶数,可以实现多阶整流器在输出电压满足负载要求下,保持较高的PCE。整流器的阶数控制电路是实现高PCE和低关断功耗(POFF)的重要保障。
技术实现思路
本技术针对现有固定阶数整流器适用的输入功率过窄和关断功耗POFF较大的问题,提供一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器。为解决上述问题,本技术是通过以下技术方案实现的:一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元;其中n为大于等于1的正整数;基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+,基本差分整流单元和所有使能差分整流单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括多阶射频整流器本体,其特征是,包括1个基本差分整流单元、n‑1个使能差分整流单元和n个控制单元;其中n为大于等于1的正整数;基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+,基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入负端接负射频信号RF‑;每个使能差分整流单元的使能端接使能信号;基本差分整流单元的输出端接第一使能差分整流单元的输入端,前一使能差分整流单元的输出端接后一使能差分整流单元的输入端;第一控制单元的控制端接第一控制信号OCtr1,第一控制单元的输入端接基本差分整流单元的输出端,第一控制单元的输出端输出整流信号Vo...

【技术特征摘要】
1.一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,包括多阶射频整流器本体,其特征是,包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元;其中n为大于等于1的正整数;基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+,基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入负端接负射频信号RF-;每个使能差分整流单元的使能端接使能信号;基本差分整流单元的输出端接第一使能差分整流单元的输入端,前一使能差分整流单元的输出端接后一使能差分整流单元的输入端;第一控制单元的控制端接第一控制信号OCtr1,第一控制单元的输入端接基本差分整流单元的输出端,第一控制单元的输出端输出整流信号Vout1;第i控制单元的控制端接第i控制信号OCtri,第i控制单元的输入端接第i-1使能差分整流单元的输出端,第i控制单元的输出端输出整流信号Vouti,其中i=2,3,n。2.根据权利要求1所述的一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器,其特征是,基本差分整流单元由NMOS管MN1、MN2,PMOS管MP1、MP2,以及电容C1、C2、Co1构成;NMOS管MN1的漏极、PMOS管MP1的漏极、NMOS管MN2的栅极、PMOS管MP2的栅极和电容C1的下极板相连,电容C1的上极板形成基本差分整流单元的差分输入正端;NMOS管MN2的漏极、PMOS管MP2的漏极、NMOS管MN1的栅极、PMOS管MP1的栅极和电容C2的上极板相连,电容C2的下极板形成基本差分整...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦保林韩怀宇李兴旺韦雪明徐卫林段吉海
申请(专利权)人:桂林电子科技大学
类型:新型
国别省市:广西,45

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