打印机纸张纠偏电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种打印机纸张纠偏电路，其包括异或门U1、与非门U2:A、电阻R1、光电隔离器U3、电阻R6、电阻R2、NPN型三极管Q1、直流纠偏电机M1、N沟道MOSFET Q3、电阻R3、P沟道MOSFET Q4、与非门U2:B、光电隔离器U4、电阻R4、电阻R5、电阻R7、NPN型三极管Q2、N沟道MOSFET Q5、直流纠偏电机M2、P沟道MOSFET Q6。该电路通过对左、右纠偏电机的精确控制，能够在打印的过程中不断实时纠偏，从而大幅度降低卡纸率，同时由于使用的都是常规元件，电路成本很低，使用此电路可以降低卡纸率90%以上，特别长期使用之后，仍然可以保存优良的卡纸率。

【技术实现步骤摘要】
打印机纸张纠偏电路
本技术涉及一种打印机纸张纠偏电路。
技术介绍
目前，各种激光打印机特别是价格比较低的激光打印机，都没有设置专门的电路进行打印纸矫偏，其矫偏方式主要是使用橡胶轮加紧或摸具夹紧等机械方式，这存在很大的问题，如果模具夹纸太紧更加容易卡纸，橡胶轮使用时间越长越夹不紧，会越来越容易卡纸，市场急需一种廉价可行的方案大幅度降低卡纸率。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，提供了一种打印机纸张纠偏电路。该电路通过对左、右纠偏电机的精确控制，能够在打印的过程中不断实时纠偏，从而大幅度降低卡纸率，同时由于使用的都是常规元件，电路成本很低，使用此电路可以降低卡纸率90%以上，特别长期使用之后，仍然可以保存优良的卡纸率。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：其包括异或门U1（1）、与非门U2:A（2）、电阻R1（3）、光电隔离器U3（4）、电阻R6（5）、电阻R2（6）、NPN型三极管Q1（7）、直流纠偏电机M1（8）、N沟道MOSFETQ3（9）、电阻R3（10）、P沟道MOSFETQ4（11）、与非门U2:B（12）、光电隔离器U4（13）、电阻R4（14）、电阻R5（15）、电阻R7（16）、NPN型三极管Q2（17）、N沟道MOSFETQ5（18）、直流纠偏电机M2（19）、P沟道MOSFETQ6（20）。所述异或门U1（1）引脚1接P1.0和与非门U2:A（2）引脚2，异或门U1（1）引脚2接P1.1和与非门U2:B（12）引脚5，异或门U1（1）引脚3接非门U2:A（2）引脚1和与非门U2:B（12）引脚4；光电隔离器U3（4）引脚1接电阻R1（3）下端和光电隔离器U4（13）引脚1，光电隔离器U3（4）引脚2接与非门U2:A（2）引脚3，光电隔离器U3（4）引脚3接电阻R2（6）左端、电阻R3（10）上端和N沟道MOSFETQ3控制栅极，光电隔离器U3（4）引脚4接+12V直流电源和光电隔离器U4（13）引脚4；电阻R1（3）上端接+5V直流电源；光电隔离器U4（13）引脚2接与非门U2:B（12）引脚6，光电隔离器U4（13）引脚3接电阻R4（14）上端、电阻R5（15）左端和N沟道MOSFETQ5（18）控制栅极；NPN型三极管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端，NPN型三极管Q1（7）发射极接地、电阻R3（10）下端和N沟道MOSFETQ3（9）源极，NPN型三极管Q1（7）集电极接电阻R6（5）下端和P沟道MOSFETQ4（11）控制栅极；NPN型三极管Q2（17）基极接电阻R5（15）右端，NPN型三极管Q2（17）发射极接地、电阻R4（14）下端和N沟道MOSFETQ5（18）源极，NPN型三极管Q2（17）集电极接电阻R7（16）下端和P沟道MOSFETQ6（20）控制栅极；直流纠偏电机M1负极接N沟道MOSFETQ3（9）源极，直流纠偏电机M1正极接P沟道MOSFETQ4（11）漏极；直流纠偏电机M2（19）负极接N沟道MOSFETQ5（18）源极，直流纠偏电机M2（19）正极接P沟道MOSFETQ6（20）漏极；+24V直流电源接电阻R6（5）上端、电阻R7（16）上端、P沟道MOSFETQ4（11）源极和P沟道MOSFETQ6（20）源极。进一步地，所述异或门U1（1）引脚1接P1.0和与非门U2:A（2）引脚2，异或门U1（1）引脚2接P1.1和与非门U2:B（12）引脚5，异或门U1（1）引脚3接非门U2:A（2）引脚1和与非门U2:B（12）引脚4；光电隔离器U3（4）引脚1接电阻R1（3）下端和光电隔离器U4（13）引脚1，光电隔离器U3（4）引脚2接与非门U2:A（2）引脚3，光电隔离器U3（4）引脚3接电阻R2（6）左端、电阻R3（10）上端和N沟道MOSFETQ3控制栅极，光电隔离器U3（4）引脚4接+12V直流电源和光电隔离器U4（13）引脚4；电阻R1（3）上端接+5V直流电源；光电隔离器U4（13）引脚2接与非门U2:B（12）引脚6，光电隔离器U4（13）引脚3接电阻R4（14）上端、电阻R5（15）左端和N沟道MOSFETQ5（18）控制栅极；NPN型三极管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端，NPN型三极管Q1（7）发射极接地、电阻R3（10）下端和N沟道MOSFETQ3（9）源极，NPN型三极管Q1（7）集电极接电阻R6（5）下端和P沟道MOSFETQ4（11）控制栅极；NPN型三极管Q2（17）基极接电阻R5（15）右端，NPN型三极管Q2（17）发射极接地、电阻R4（14）下端和N沟道MOSFETQ5（18）源极，NPN型三极管Q2（17）集电极接电阻R7（16）下端和P沟道MOSFETQ6（20）控制栅极；直流纠偏电机M1负极接N沟道MOSFETQ3（9）源极，直流纠偏电机M1正极接P沟道MOSFETQ4（11）漏极；直流纠偏电机M2（19）负极接N沟道MOSFETQ5（18）源极，直流纠偏电机M2（19）正极接P沟道MOSFETQ6（20）漏极；+24V直流电源接电阻R6（5）上端、电阻R7（16）上端、P沟道MOSFETQ4（11）源极和P沟道MOSFETQ6（20）源极。所述异或门U1（1）的型号为74LS86。所述与非门U2:A（2）和与非门U2:B（12）的型号为74HC03。所述光电隔离器U3（4）和与非门U2:B（12）的型号为PC817A。所述NPN型三极管Q1（7）和NPN型三极管Q2（17）的型号为2N1711。所述N沟道MOSFETQ3（9）和N沟道MOSFETQ5（18）的型号为IRFE024。所述P沟道MOSFETQ4（11）和P沟道MOSFETQ6（20）的型号为IRFE9024。本技术具有以下有益效果：本技术该电路通过对左、右纠偏电机的精确控制，能够在打印的过程中不断实时纠偏，从而大幅度降低卡纸率，同时由于使用的都是常规元件，电路成本很低，使用此电路可以降低卡纸率90%以上，特别长期使用之后，仍然可以保存优良的卡纸率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，打印机纸张纠偏电路包括异或门U1（1）、与非门U2:A（2）、电阻R1（3）、光电隔离器U3（4）、电阻R6（5）、电阻R2（6）、NPN型三极管Q1（7）、直流纠偏电机M1（8）、N沟道MOSFETQ3（9）、电阻R3（10）、P沟道MOSFETQ4（11）、与非门U2:B（12）、光电隔离器U4（13）、电阻R4（14）、电阻R5（15）、电阻R7（16）、N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.打印机纸张纠偏电路，其特征在于：包括异或门U1（1）、与非门U2:A（2）、电阻R1（3）、光电隔离器U3（4）、电阻R6（5）、电阻R2（6）、NPN型三极管Q1（7）、直流纠偏电机M1（8）、N沟道MOSFET Q3（9）、电阻R3（10）、P沟道MOSFET Q4（11）、与非门U2:B（12）、光电隔离器U4（13）、电阻R4（14）、电阻R5（15）、电阻R7（16）、NPN型三极管Q2（17）、N沟道MOSFET Q5（18）、直流纠偏电机M2（19）、P沟道MOSFET Q6（20）；所述异或门U1（1）引脚1接P1.0和与非门U2:A（2）引脚2，异或门U1（1）引脚2接P1.1和与非门U2:B（12）引脚5，异或门U1（1）引脚3接非门U2:A（2）引脚1和与非门U2:B（12）引脚4；光电隔离器U3（4）引脚1接电阻R1（3）下端和光电隔离器U4（13）引脚1，光电隔离器U3（4）引脚2接与非门U2:A（2）引脚3，光电隔离器U3（4）引脚3接电阻R2（6）左端、电阻R3（10）上端和N沟道MOSFET Q3控制栅极，光电隔离器U3（4）引脚4接+12V直流电源和光电隔离器U4（13）引脚4；电阻R1（3）上端接+5V直流电源；光电隔离器U4（13）引脚2接与非门U2:B（12）引脚6，光电隔离器U4（13）引脚3接电阻R4（14）上端、电阻R5（15）左端和N沟道MOSFET Q5（18）控制栅极；NPN型三极管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端，NPN型三极管Q1（7）发射极接地、电阻R3（10）下端和N沟道MOSFET Q3（9）源极，NPN型三极管Q1（7）集电极接电阻R6（5）下端和P沟道MOSFET Q4（11）控制栅极；NPN型三极管Q2（17）基极接电阻R5（15）右端，NPN型三极管Q2（17）发射极接地、电阻R4（14）下端和N沟道MOSFET Q5（18）源极，NPN型三极管Q2（17）集电极接电阻R7（16）下端和P沟道MOSFET Q6（20）控制栅极；直流纠偏电机M1负极接N沟道MOSFET Q3（9）源极，直流纠偏电机M1正极接P沟道MOSFET Q4（11）漏极；直流纠偏电机M2（19）负极接N沟道MOSFET Q5（18）源极，直流纠偏电机M2（19）正极接P沟道MOSFET Q6（20）漏极；+24V直流电源接电阻R6（5）上端、电阻R7（16）上端、P沟道MOSFET Q4（11）源极和P沟道MOSFET Q6（20）源极。...

【技术特征摘要】
1.打印机纸张纠偏电路，其特征在于：包括异或门U1（1）、与非门U2:A（2）、电阻R1（3）、光电隔离器U3（4）、电阻R6（5）、电阻R2（6）、NPN型三极管Q1（7）、直流纠偏电机M1（8）、N沟道MOSFETQ3（9）、电阻R3（10）、P沟道MOSFETQ4（11）、与非门U2:B（12）、光电隔离器U4（13）、电阻R4（14）、电阻R5（15）、电阻R7（16）、NPN型三极管Q2（17）、N沟道MOSFETQ5（18）、直流纠偏电机M2（19）、P沟道MOSFETQ6（20）；所述异或门U1（1）引脚1接P1.0和与非门U2:A（2）引脚2，异或门U1（1）引脚2接P1.1和与非门U2:B（12）引脚5，异或门U1（1）引脚3接非门U2:A（2）引脚1和与非门U2:B（12）引脚4；光电隔离器U3（4）引脚1接电阻R1（3）下端和光电隔离器U4（13）引脚1，光电隔离器U3（4）引脚2接与非门U2:A（2）引脚3，光电隔离器U3（4）引脚3接电阻R2（6）左端、电阻R3（10）上端和N沟道MOSFETQ3控制栅极，光电隔离器U3（4）引脚4接+12V直流电源和光电隔离器U4（13）引脚4；电阻R1（3）上端接+5V直流电源；光电隔离器U4（13）引脚2接与非门U2:B（12）引脚6，光电隔离器U4（13）引脚3接电阻R4（14）上端、电阻R5（15）左端和N沟道MOSFETQ5（18）控制栅极；NPN型三极管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端，NPN型三极管Q1（7）发射极接地、电阻R3（10）下端和N沟道MOSFETQ3（9）源极，NPN型三极管Q1（7）集电极接电阻R6（5）下端和P沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊浩，
申请(专利权)人：昆明理工大学津桥学院，
类型：新型
国别省市：云南,53