一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料制造技术

本发明专利技术涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。本发明专利技术光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明专利技术提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu

An Eu Ion Doped Bismuth Halide Semiconductor Optical Anti-counterfeiting Material

The invention relates to an Eu ion doped bismuth halide semiconductor optical anti-counterfeiting material, belonging to the technical field of optical anti-counterfeiting materials. The chemical formula of the optical anti-counterfeiting material of the invention is Bi3_xEuxO4M, where x = 0.001~0.3, M is one or more of the elements F, Cl and Br. Eu in bismuth halide semiconducting material doped with rare earth Eu ion provided by the invention

【技术实现步骤摘要】
一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料
本专利技术涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料

技术介绍
目前市场化的普通光学防伪材料，主要采用的稀土掺杂发光材料或者量子点材料作为油墨颜料。这些发光颜料作为印刷和打印油墨颜料的一部分，通过印刷和打印可以得到防伪标志。这些颜料，以Er3+掺杂的GdOS3为例。当采用肉眼不可见的紫外或者近红光作为激发光源时，可以发出源于Er明亮的可见光；当作为防伪标志时，在照射前后可以显示出明显的反差图案效果，以此达到明示防伪和目的。这类光学材料作为颜料具有发光效率高、易于识别的特点。但是这类材料当采用不同效果，例如波长、强度不同光源进行激发时，只能产生发光强度的改变。这种光学强度的变化对于肉眼识别相对显著，应用相对简单。但是缺乏更为可以利用仪器检测的显著和精细的特征变化。因此这类材料同时也存在对光学照射效果响应方式简单化，不精细、不敏感，导致防伪效果和原理较为简单，使得这类防伪材料易于仿制，存在防伪性的不高的缺点。
技术实现思路
本专利技术针对现有光学防伪材料易于仿制，防伪性的不高的缺点，提供一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，其特征在于：其化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。

【技术特征摘要】
1.一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，其特征在于：其化学通式为Bi3-xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。2.一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）按照Bi离子、Eu离子和卤素离子的摩尔比为(3-x):x:1的比例称料，其中x=0.001~0.3，分别将硝酸铋、Eu(NO3)3、卤盐溶解于水、有机溶剂或水与有机溶剂的混合液中配制成硝酸铋溶液、Eu(NO3)3溶液和卤盐溶液；将硝酸铋溶液、Eu(NO3)3溶液和卤盐溶液混合均匀得到混合溶液，再采用盐酸、氨水或氢氧化钠调节pH值至2~10，然后加入带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中，其中水热釜的装填度为0.4~0.8，匀速升温至110~250℃，反应2~24h；（2）将步骤（1）所得反应产物用去离子水、乙醇洗涤，烘干；然后将烘干产物置于温度为200~800℃条件下热处理0.5~4h即得化学式为Bi3-xEuxO4M的稀土Eu3...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋志国，胡锐，李永进，张庆福，邱建备，杨正文，徐祖元，张相周，周大成，尹兆益，杨勇，韩缙，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53