一种带有储能系统的多电平逆变器及其控制方法技术方案

技术编号:20164192 阅读:34 留言:0更新日期:2019-01-19 00:17
本发明专利技术公开了一种带有储能系统的多电平逆变器,包括若干串联的子拓扑电路,所述子拓扑电路包括低压电池及H桥电路,H桥电路连接于低压电池的两端,且H桥电路桥臂的中点为子拓扑电路的输出端,且多个子拓扑电路依次通过其输出端串联。每次仅一个功率管做高频开关,降低了系统损耗,实现了较高的转换效率;各个子拓扑轮流工作,实际上降低了整个拓扑工作的平均时间,即大大延长了系统拓扑的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种带有储能系统的多电平逆变器及其控制方法
本专利技术涉及光伏逆变器领域,更确切地说是一种带有储能系统的多电平逆变器及控制方法。
技术介绍
目前的储能逆变系统中,储能采用DC48V电池,为了能够输出AC(230Vac/50or60Hz)。传统的升压再逆变结构,能量变换环节多,且多使用高压器件,高频开关,导致系统效率较低,成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种带有储能系统的多电平逆变器,其可以实现利用简单的子拓扑通过有效的组合实现逆变功能,实现较高的系统效率,实现各电池模组间自动的能量平衡。本专利技术采用以下技术方案:一种带有储能系统的多电平逆变器,包括若干串联的子拓扑电路,所述子拓扑电路包括低压电池及H桥电路,H桥电路连接于低压电池的两端,且H桥电路桥臂的中点为子拓扑电路的输出端,且多个子拓扑电路依次通过其输出端串联。所述H桥电路为H4桥电路。H桥电路包括的S1,S2,S3,S4为MOSFET功率器件。所述低压电池的电压为48V。所述子拓扑电路设有八个。所述低电压电池可为直流电源。一种带有储能系统的多电平逆变器的控制方法,起始中每个子拓扑中S3,S4均开通状态,任意一个子拓扑中,S3由开通状态转为断开状态,S1依据正弦调制方式变频开关,占空比D由0逐渐至1,到占空比D=1时,S1一直导通并保持导通状态不变,在此过程中,其它子拓扑电路中功率管状态不变,S1,S2断开,S3,S4开通,拓扑输出由0V逐渐升至48V。保持第一个拓扑电路的状态不变,第二个拓扑电路重复第一个子拓扑电路的动作,即第二个子拓扑电路的S3由开通状态转为断开状态,第二个拓扑的S1依据正弦调制方式变频开关,占空比D由0逐渐至1,当占空比D=1时,系统拓扑输出将由48V逐渐升至96V。各子拓扑电路重复上述过程。各子拓扑电路按序逐个由占空比D=1降至占空比D=0,最终回到交流输出电压为0V。本专利技术的优点是:每次仅一个功率管做高频开关,降低了系统损耗,实现了较高的转换效率;采用低压功率器件,器件选择范围更广,价格更低,从而降低了系统成本,输入为储能电池,在放电过程中,子拓扑电池电压较高,则放电时间较长,子拓扑电池电压较低,则放电时间较短。从而间接的也达到了在各电池系统间能量的均衡;可双向运行,即交流输出端接电网等设备,可反向给电池充电,由多个子拓扑构成,各个子拓扑轮流工作,实际上降低了整个拓扑工作的平均时间,即大大延长了系统拓扑的使用寿命。附图说明下面结合实施例和附图对本专利技术进行详细说明,其中:图1是本专利技术的子拓扑电路的电路示意图。图2是本专利技术的实施例1的电路图。图3是本专利技术的实施例2的电路图。具体实施方式下面进一步阐述本专利技术的具体实施方式:本专利技术提出了一种新的带有储能系统的逆变器拓扑架构,该拓扑架构基于子拓扑电路串联架构,通过独特的调制及控制方式工作,使得多个子拓扑电路协调工作,每个子拓扑电路中器件仅承受低压电池两端电压,每阶段仅子拓扑电路中一个功率器件有高频开关动作,系统损耗大大降低。由于功率器件只承受低压低电流,故功率器件选择范围更大,成本更低。一种带有储能系统的多电平逆变器,包括若干串联的子拓扑电路,如图1所示,所述子拓扑电路包括低压电池及H桥电路,H桥电路连接于低压电池的两端,且H桥电路桥臂的中点为子拓扑电路的输出端,且多个子拓扑电路依次通过其输出端串联,本专利技术中的H桥电路为H4桥电路,也可以是其他类型的H桥电路,且H桥电路包括的S1,S2,S3,S4为MOSFET功率器件,所述低压电池的电压为48V。一种带有储能系统的多电平逆变器,其拓扑如图2所示,系统由8个子系统连接而成,在一定的调制及控制策略下产生230VAC50/60Hz的交流输出。一种带有储能系统的多电平逆变器的控制方法,起始当每个子拓扑中S3,S4均开通时,系统交流输出电压为0V。逆变器运行正半周,任意一个子拓扑中,S3由开通状态转为断开状态,S1依据正弦调制方式变频开关,占空比D由0逐渐至1,到占空比D=1时,S1一直导通并保持导通状态不变。在此过程中,其它子拓扑中功率管状态不变,S1,S2断开,S3,S4开通。系统拓扑输出将由0V逐渐升至48V。保持第一个拓扑状态不变,第二个拓扑重复第一个拓扑的动作,即第二个拓扑的S3由开通状态转为断开状态,第二个拓扑的S1依据正弦调制方式变频开关,占空比D由0逐渐至1,当占空比D=1时,系统拓扑输出将由48V逐渐升至96V。以此方式类推,直至达到正弦交流230VAC的峰值电压325V左右。而后其子拓扑按序逐个由占空比D=1降至占空比D=0.最终回到交流输出电压为0V。同理,逆变器运行负半周,S4由开通状态转为断开状态,S2依据正弦调制方式变频开关,运行过程与正半周原理一致,则完成了逆变器在负半周的运行,最终回到交流输出电压为0V。本专利技术中拓扑每次仅一个功率管做高频开关,降低了系统损耗,实现了较高的转换效率;该专利拓扑采用低压功率器件,器件选择范围更广,价格更低,从而降低了系统成本,拓扑输入为储能电池,在放电过程中,子拓扑电池电压较高,则放电时间较长,子拓扑电池电压较低,则放电时间较短。从而间接的也达到了在各电池系统间能量的均衡。拓扑可双向运行,即交流输出端接电网等设备,可反向给电池充电。由多个子拓扑构成,各个子拓扑轮流工作,实际上降低了整个拓扑工作的平均时间,即大大延长了系统拓扑的使用寿命。如图3所示,该拓扑的一个具体实施案例,其中亦可以将其中某一个电池改用独立的48V直流源。只需要6个48V储能电池即可实现输出230VAC,50/60Hz,且带有电池子拓扑均采用工频开关,即输出电流正半周,某个子拓扑工作时,该子拓扑中的S1一直导通,通过隔离的48V直流电源连接的H桥中功率管按照正弦调制方式高频开通关闭以输出正弦波。该方案有利于电磁干扰的降低,并且需高频控制的功率管数量降低有利于控制系统的设计。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,包括若干串联的子拓扑电路,所述子拓扑电路包括低压电池及H桥电路,H桥电路连接于低压电池的两端,且H桥电路桥臂的中点为子拓扑电路的输出端,且多个子拓扑电路依次通过其输出端串联。

【技术特征摘要】
1.一种带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,包括若干串联的子拓扑电路,所述子拓扑电路包括低压电池及H桥电路,H桥电路连接于低压电池的两端,且H桥电路桥臂的中点为子拓扑电路的输出端,且多个子拓扑电路依次通过其输出端串联。2.根据权利要救1所述的带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,所述H桥电路为H4桥电路。3.根据权利要求2所述的带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,H桥电路包括的S1,S2,S3,S4为MOSFET功率器件。4.根据权利要求1所述的带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,所述低压电池的电压为48V。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,所述子拓扑电路设有八个。6.根据权利要示5所述的带有储能系统的多电平逆变器,其特征在于,所述低电压电池可为直流电源。7.一种如权利要求1至6中任意一项所述的带有储能系统的多电平逆变器的控制方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:克里斯托弗·弗雷塔斯
申请(专利权)人:瑞壳科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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