一种模拟功率型开关管寄生电容预调驱动信号的方法技术

在驱动级开关管在对功率型开关管驱动的调试过程中，由于功率型开关管电容参数的影响，经常使功率型开关管MOSFET管栅极驱动电路电压输出额定电压值与实际栅极驱动电压出现差异。影响功率型MOSFET管工作效果的同时，还要进行后期电路的反复调整，在半桥及全桥的电路应用中，由于栅极驱动电压信号的配合由于栅源极寄生电容存在及寄生电容容值偏移的影响，引起栅极驱动电压信号出现畸变，甚至出现驱动级MOSFET管损坏情况。本发明专利技术提供了一种调试方法，通过使用电容模拟功率型开关管寄生电容来进行驱动级MOSFET驱动信号的预调，通过这个方法缩短研发调试周期，并降低调试过程中由于失误造成的损失。

【技术实现步骤摘要】
一种模拟功率型开关管寄生电容预调驱动信号的方法
本专利技术属于电子电路设计领域，具体涉及一种模拟功率型开关管寄生电容预调驱动级开关管驱动信号的方法。
技术介绍
功率开关管，以其开关速度快、驱动功率小、过载能力强等优点，在开关电源等领域中广泛应用，使用电源的进一步小型化成为现实。现代MOSFET管技术也已朝着更精密更优良的方向发展。开关管的寄生参数对开关管的性能起着重要的影响,图1为MOSFET管结构示意图。其中MOSFET管的漏极与源极之间的寄生电容的存在会对输出信号的电压、电流、频率等存在影响。由此可见，开关管管的寄生参数的变化更会对开关管的性能起到至关重要的作用，并且对驱动级电路输出信号影响较大。功率开关管在电压应力的情况下，栅极相对于其他极，能承受的电压相对较低，在更容易被击穿。由此可见栅极端对开关管的影响至关重要。尤其是与栅极相关的两个寄生参数栅源电容Cgs和漏源电容Cgd对开关管的开关瞬态响应影响。通过研究表明Cgs和Cgd会对MOSFET管的瞬态响应产生影响，这是由于电容值的改变，影响系统零极点，从而造成MOSFET管输出信号瞬态响应的变动。相对于Cgd，Cgs的参数对M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种模拟功率型开关管寄生电容预调栅极驱动信号的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：第一步、根据不同型号功率型开关管的数据手册查询相应型号功率型开关管的输入寄生电容Ciss、反向传输电容Crss，然后计算得到该型号功率型开关管的栅极电容参数；利用电桥对待预调的功率型开关管实测栅源电容值Cgs，根据实测栅源电容值及该型号功率型开关管的栅极电容参数得出待预调功率型开关管栅源电容Cgs的电容偏移范围，即：取值应在手册参数与实测参数之间取值；第二步、根据第一步得到的待预调功率型开关管的栅源电容Cgs的电容偏移范围，选择模拟电容Cgs*；第三步、将第二步选定的模拟电容接入待预调功率开关管栅极驱动电...

【技术特征摘要】
1.一种模拟功率型开关管寄生电容预调栅极驱动信号的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：第一步、根据不同型号功率型开关管的数据手册查询相应型号功率型开关管的输入寄生电容Ciss、反向传输电容Crss，然后计算得到该型号功率型开关管的栅极电容参数；利用电桥对待预调的功率型开关管实测栅源电容值Cgs，根据实测栅源电容值及该型号功率型开关管的栅极电容参数得出待预调功率型开关管栅源电容Cgs的电容偏移范围，即：取值应在手册参数与实测参数之间取值；第二步、根据第一步得到的待预调功率型开关管的栅源电容Cgs的电容偏移范围，选择模拟电容Cgs*；第三步、将第二步选定的模拟电容接入待预调功率开关管栅极驱动电路中进行模拟驱动试验，进行栅极驱动电路参数预调；第四步、将第三步已经预调过的功率型开关管接入标准功率型开关管栅极驱动电路中，比对功率型开关管栅极驱动信号与第三步预调时栅极驱动信号，如差异超过3％应返回第三步继续调整，直到差异不超过3％后进行带载测试。2.根据权利要求1所述的模拟功率型开关管寄生电容预调栅极驱动信号的方法，其特征在于：在第二步中，通过第一步中得到的功率开关管的栅源电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，齐志坤，吴发龙，
申请(专利权)人：北京四方继保自动化股份有限公司，保定四方三伊电气有限公司，北京四方继保工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11