一种耐高温包层光纤温度传感器制造技术

本发明专利技术提供的一种耐高温包层光纤温度传感器，包括光源、分光路器、参考光路、敏感光路、光功率计、数据处理和存储装置；所述参考光路、敏感光路并联，其一端与分光路器、光源依次连接，另一端与光功率计、数据处理和存储装置依次连接；参考光路和敏感光路均为敏感光纤。该耐高温掺杂耐高温包层光纤温度传感器采用蓝宝石晶体材料作为敏感光纤，包括光纤纤芯以及包覆于光纤纤芯外的包层材料，光纤纤芯制备工艺简单，具有优异的吸收特性和上转换强度，大大提高了蓝宝石光纤的应用范围；包层材料使用掺杂多晶氧化铝和Er

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温包层光纤温度传感器
本专利技术涉及温度检测设备领域，特别一种耐高温包层光纤温度传感器。
技术介绍
光纤自20世纪70年代问世以来，随着科学技术的发展，涌现了许许多多的耐高温包层光纤温度传感器。光纤具有体积小、重量轻、结构灵活，抗电磁干扰、电绝缘的优点。目前耐高温包层光纤温度传感器主要包括光纤布拉格光栅(FBG)温度传感器、半导体吸收式耐高温包层光纤温度传感器和光纤法布里-波罗腔干涉式温度传感器等。其中，光纤布拉格光栅温度传感器是通过精密工艺在光纤中进行雕刻，使光纤内的折射率成周期性分布，形成光纤布拉格光栅(FBG)。当外界因素变化时，光纤光栅的有效折射率和光栅常数会发生变化，从而导致FBG特征波长的变化，因此光纤光栅温度传感器是利用布拉格波长对温度的敏感特性而制成的一种光纤传感器。但光纤布拉格光栅温度传感器采用波长调制，导致解调系统复杂，以及容易引起温度-应力交叉感应的问题。半导体吸收型耐高温包层光纤温度传感器是利用半导体材的吸收光谱随温度变化而变化的特性实现的，当光通过半导体薄膜时，如果入射光子能量超过半导体导带和价带之间的禁带宽度时，半导体薄膜就会对通过的光产生吸收。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：包括光源(1)、分光路器(2)、参考光路(3)、敏感光路(4)、光功率计(5)、数据处理和存储装置(6)；所述参考光路(3)、敏感光路(4)并联，其一端与分光路器(2)、光源(1)依次连接，另一端与光功率计(5)、数据处理和存储装置(6)依次连接；参考光路(3)和敏感光路(4)均为敏感光纤。

【技术特征摘要】
1.一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：包括光源(1)、分光路器(2)、参考光路(3)、敏感光路(4)、光功率计(5)、数据处理和存储装置(6)；所述参考光路(3)、敏感光路(4)并联，其一端与分光路器(2)、光源(1)依次连接，另一端与光功率计(5)、数据处理和存储装置(6)依次连接；参考光路(3)和敏感光路(4)均为敏感光纤。2.根据权利要求1所述的一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：所述敏感光纤为耐高温包层蓝宝石晶体材料，包括蓝宝石光纤纤芯以及包覆于蓝宝石光纤纤芯外的包层材料；所述包层材料为掺杂多晶氧化铝和Er3+的多组分磷酸盐玻璃，所述蓝宝石光纤纤芯材料为蓝宝石激光晶体材料，所述蓝宝石激光晶体为Sm3+/Rh3+/Mn2+/Ti3+:Al2O3。3.根据权利要求1所述的一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：Sm3+、Rh3+、Mn2+的摩尔比为(2-4)：(1-3)：1。4.根据权利要求1所述的一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：所述Sm3+、Rh3+、Mn2+的总摩尔数与Ti3+:Al2O3摩尔数之比为(1-5)：100。5.根据权利要求1所述的一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：所述掺杂多晶氧化铝和Er3+的多组分磷酸盐玻璃中，多晶氧化铝的掺量为5-15重量份，Er3+的掺量为0.5-1.5重量份，以重量份计。6.根据权利要求1所述的一种耐高温包层光纤温度传感器，其特征在于：所述多组分磷酸盐玻璃组成为：P2O5：45～65重量份；K2O：10～20重量份；BaO：5～10重量份；Al2O3：10～20重量份。7.根据权利要求1所述的一种耐高...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈荣存，
申请(专利权)人：南京同溧晶体材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32