化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法技术

提供了一种化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法。所述化学气相沉积设备包括室、支撑基底的基座、施加有电力的背板、提供沉积气体的扩散器和第一绝缘体。第一绝缘体可以包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖背板的顶表面，所述第二部分与第一部分组装在一起并覆盖背板的侧壁。

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法本申请要求于2017年7月11日提交的第10-2017-0087963号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
专利技术的实施例涉及一种化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法，更具体地，涉及一种利用等离子体的化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法。
技术介绍
显示设备的制造工艺包括在基底的表面上形成薄层的沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。例如，沉积工艺包括溅射沉积工艺和化学气相沉积(CVD)工艺。溅射沉积工艺是薄层颗粒与基底直接碰撞并直接吸附到基底上的物理沉积工艺。在化学气相沉积工艺中，可以在基底上方引起自由基的化学反应，并且反应产物的薄层颗粒可以落到并吸附到基底上。具体地，利用富含自由基和高能量的等离子体的等离子体化学气相沉积工艺可以用作化学气相沉积工艺。
技术实现思路
专利技术的实施例可以提供一种能够防止施加到背板的射频(RF)电力泄漏的化学气相沉积设备。专利技术的实施例也可以提供一种能够在基底上均匀地形成无机封装层的制造显示设备的方法。在专利技术的一方面中，化学气相沉积设备可以包括室、基座、背板、扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：室；基座，设置在所述室中，并支撑具有有机发光二极管的基底；背板，设置在所述基座上方，并与所述基座分隔开预定距离；扩散器，设置在所述背板与所述基座之间，并将沉积气体提供到所述基底；以及第一绝缘体，包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述背板的顶表面，所述第二部分与所述第一部分组装在一起并覆盖所述背板的侧壁。

【技术特征摘要】
2017.07.11 KR 10-2017-00879631.一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：室；基座，设置在所述室中，并支撑具有有机发光二极管的基底；背板，设置在所述基座上方，并与所述基座分隔开预定距离；扩散器，设置在所述背板与所述基座之间，并将沉积气体提供到所述基底；以及第一绝缘体，包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述背板的顶表面，所述第二部分与所述第一部分组装在一起并覆盖所述背板的侧壁。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述第一部分和所述第二部分中的每个包括多个组装的块。3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其中，所述第一部分完全覆盖所述背板的所述顶表面。4.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述第一绝缘体包括聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯和聚氟乙烯中的至少一种。5.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备还包括第二绝缘体，所述第二绝缘体与所述第一绝缘体组装在一起并连接到所述室和所述扩散器。6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备，其中，所述第二绝缘体具有暴露所述扩散器的框架形状，并包括多个组装的块。7.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备，其中，所述第二绝缘体包括陶瓷，并使所述扩散器与所述室绝缘。8.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备，其中，所述背板包括：导电板；冷却水管，嵌入所述导电板中，并且被构造为承载冷却水；以及绝缘口，设置在所述导电板的顶表面上，并包括与所述冷却水管的入口和出口对准的连接管。9.根据权利要求8所述的化学气相沉积设备，其中，所述绝缘口包括塑料，并且所述绝缘口的至少一部分被所述第一部分围绕。10.根据权利要求8所述的化学气相沉积设备，其中，所述背板还包括设置在所述绝缘口上的供给管和排出管，并且其中，所述供给管连接到所述连接管中的一个，并且所述排出管连接到所述连接管中的另一个。11.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述室中的温度在80摄氏度至100摄氏度的范围内。12.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟勋，郑石源，朱儇佑，崔宰赫，闵庚柱，朴元雄，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR