一种用于VPX电源的防浪涌电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于VPX电源的防浪涌电路，供电电源通过电源开关与继电器连接，限流电阻另一端与晶闸管正极连接，继电器还与降压电阻一端连接，降压电阻另一端与二极管正极连接，二极管负极连接隔离电容，二极管负极还与单结晶体管第二基极连接，晶闸管控制极与单结晶体管第一基极连接，单结晶体管第一基极还通过负载电阻与供电电源负极连接，单结晶体管发射极通过延时电容与供电电源负极连接，单结晶体管发射极还通过可调电阻器与二极管正极连接。本实用新型专利技术的有益效果是通过控制继电器的吸和时间，防止供电电源短时间上电引起的尖峰脉冲电流，杜绝引起火花，保护供电电源及其他负载电路。

【技术实现步骤摘要】
一种用于VPX电源的防浪涌电路
本技术属于VPX电源
，具体涉及一种用于VPX电源的防浪涌电路。
技术介绍
VPX总线提升了电源供电能力，5V最高可提供115W功率，12V提供384W，48V提供768W。在VME总线的一个插槽内，使用5V电源只能提供最大90W的功率，而VPX总线仅5V电源就能提供115W功率，12V和48V电源更能提供384W和768W的功率。如此大功率的电源供给，使得VPX子卡可以集成更多的模块。由于VPX本体电源的上电时间端，可能会产生尖峰浪涌电路，引起火花，对VPX本体电源电路造成损害。
技术实现思路
为克服现有技术存在的技术缺陷，本技术公开了一种用于VPX电源的防浪涌电路，其结构简单，增加负载电路的上电时间，防止供电电源上电瞬间产生的尖峰脉冲电流对供电电源及负载电路造成损害。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种用于VPX电源的防浪涌电路，包括供电电源及延时控制电路，所述延时控制电路包括继电器、降压电阻、限流电阻、单结晶体管、晶闸管、二极管、隔离电容、延时电容及可调电阻器；所述供电电源正极与电源开关一端连接，电源开关另一端与继电器的磁感线圈一端连接，继电器的磁感线圈另一端与限流电阻一端连接，限流电阻另一端与晶闸管正极连接，晶闸管负极与供电电源负极连接，继电器另一端还与降压电阻一端连接，降压电阻另一端与二极管正极连接，二极管负极连接隔离电容，二极管负极还与单结晶体管第二基极连接，晶闸管控制极与单结晶体管第一基极连接，单结晶体管第一基极还通过负载电阻与供电电源负极连接，单结晶体管发射极通过延时电容与供电电源负极连接，单结晶体管发射极还通过可调电阻器与二极管正极连接。优选地，所述防浪涌电路还包括延时控制开关，所述延时控制开关并联至延时电容两端。优选地，所述防浪涌电路还包括保护电阻，所述保护电阻一端连接可调电阻器，其另一端与单结晶体管发射极连接。优选地，所述防浪涌电路还包括稳压管，稳压管负极与降压电阻连接，稳压管正极与供电电源负极连接。优选地，所述继电器为常开型式继电器。本技术的有益效果是所述防浪涌电路原理简单，电路元器件少，通过控制继电器的吸和时间延迟，增加与继电器控制连接的供电电源的其他负载电路的上电时间，防止供电电源短时间上电引起的尖峰脉冲电流，杜绝引起火花，保护供电电源及其他负载电路。附图说明图1是本技术的一种具体实施方式原理图。图2是本技术的另一种具体实施方式原理图。附图标记：J-继电器，E-供电电源，SCR-晶闸管，UJT-单结晶体管，B1-第一基极，B2-第二基极，D1-稳压管，D2-二极管，K1-电源开关，K2-延时控制开关，C1-隔离电容，C2-延时电容，R1-限流电阻，R2-降压电阻，R3-负载电阻，R4-保护电阻，RW-可调电阻器。具体实施方式以下结合附图及附图标记对本技术的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人在研读本说明书后能据以实施。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“水平”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例：参见附图1，附图2所示的一种用于VPX电源的防浪涌电路，包括供电电源E及延时控制电路，所述延时控制电路包括继电器J、降压电阻R2、限流电阻R1、单结晶体管UJT、晶闸管SCR、二极管R2、隔离电容C1、延时电容C2及可调电阻器RW；所述供电电源E正极与电源开关K1一端连接，电源开关K1另一端与继电器J的磁感线圈一端连接，继电器J的磁感线圈另一端与限流电阻R1一端连接，限流电阻R1另一端与晶闸管SCR正极连接，晶闸管SCR负极与供电电源E负极连接，继电器J另一端还与降压电阻R2一端连接，降压电阻R2另一端与二极管D2正极连接，二极管D2负极连接隔离电容C1，二极管D2负极还与单结晶体管UJT第二基极B2连接，晶闸管SCR控制极与单结晶体管UJT第一基极B1连接，单结晶体管UJT第一基极B1还通过负载电阻R3与供电电源E负极连接，单结晶体管UJT发射极通过延时电容C2与供电电源E负极连接，单结晶体管UJT发射极还通过可调电阻器RW与二极管D2正极连接。本实施例中，继电器J为常开型式继电器，当电源开关K1闭合时，驱动继电器J的晶闸管SCR默认不导通，继电器J不吸和，与继电器J控制连接的负载电路无电流；供电电源E通过继电器J的磁感线圈及降压电阻R2，降压电阻R2将供电电源E输出的电压降压后经可调变阻器RW为延时电容C2充电，当延时电容C2的电压值达到单结晶体管UJT的门限值时，单结晶体管UJT瞬间导通，隔离电容C1内存储的电荷通过单结晶体管UJT和负载电阻R3放电，流过负载电阻R3两端的电流在该负载电阻R3上产生电压送至晶闸管SCR控制极，继而晶闸管SCR导通，继电器J吸和，与继电器J控制连接的负载电路与供电电源E连接，实现延时上电，其中可调变阻器RW可改变自身的电阻大小，进而改变延时电容C2的充电时间，实现延时时间的调节。优选地，所述防浪涌电路还包括延时控制开关K2，所述延时控制开关K2并联至延时电容C2两端。在另一种实施方式中，延时控制开关K2可以提高延时时间，例如，当防浪涌电路的正常延时时间为5秒后继电器J吸和，与继电器J控制连接的负载电路接通供电电源E，如果在正常延时时间5秒内闭合一次延时控制开关K2，将使延时电容C2上的电荷被释放，因此延时电容C2进入下一次充电中，进而达到增加延时时间的目的。优选地，所述防浪涌电路还包括保护电阻R4，所述保护电阻R4一端连接可调电阻器RW，其另一端与单结晶体管UJT发射极连接。在另一种实施方式中，由于调节可调变阻器RW的阻值可改变延时时间，设置保护电阻R4为防止可调变阻器RW调节至阻值为零出现的供电电源E上电继电器J立即动作的缺陷。优选地，所述防浪涌电路还包括稳压管D1，稳压管D1负极与降压电阻R2连接，稳压管D1正极与供电电源E负极连接。在另一种实施方式中，设置稳压管D1防止供电电源E输出电压过高，保护稳压管D1后的后级电路。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施方式只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术的技术方案下得出的其他实施方式，均应包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于VPX电源的防浪涌电路，其特征在于：包括供电电源（E）及延时控制电路，所述延时控制电路包括继电器（J）、降压电阻（R2）、限流电阻（R1）、单结晶体管（UJT）、晶闸管（SCR）、二极管（D2）、隔离电容（C1）、延时电容（C2）及可调电阻器（RW）；所述供电电源（E）正极与电源开关（K1）一端连接，电源开关（K1）另一端与继电器（J）的磁感线圈一端连接，继电器（J）的磁感线圈另一端与限流电阻（R1）一端连接，限流电阻（R1）另一端与晶闸管（SCR）正极连接，晶闸管（SCR）负极与供电电源（E）负极连接，继电器（J）另一端还与降压电阻（R2）一端连接，降压电阻（R2）另一端与二极管（D2）正极连接，二极管（D2）负极连接隔离电容（C1），二极管（D2）负极还与单结晶体管（UJT）第二基极（B2）连接，晶闸管（SCR）控制极与单结晶体管（UJT）第一基极（B1）连接，单结晶体管（UJT）第一基极（B1）还通过负载电阻（R3）与供电电源（E）负极连接，单结晶体管（UJT）发射极通过延时电容（C2）与供电电源（E）负极连接，单结晶体管（UJT）发射极还通过可调电阻器（RW）与二极管（D2）正极连接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于VPX电源的防浪涌电路，其特征在于：包括供电电源（E）及延时控制电路，所述延时控制电路包括继电器（J）、降压电阻（R2）、限流电阻（R1）、单结晶体管（UJT）、晶闸管（SCR）、二极管（D2）、隔离电容（C1）、延时电容（C2）及可调电阻器（RW）；所述供电电源（E）正极与电源开关（K1）一端连接，电源开关（K1）另一端与继电器（J）的磁感线圈一端连接，继电器（J）的磁感线圈另一端与限流电阻（R1）一端连接，限流电阻（R1）另一端与晶闸管（SCR）正极连接，晶闸管（SCR）负极与供电电源（E）负极连接，继电器（J）另一端还与降压电阻（R2）一端连接，降压电阻（R2）另一端与二极管（D2）正极连接，二极管（D2）负极连接隔离电容（C1），二极管（D2）负极还与单结晶体管（UJT）第二基极（B2）连接，晶闸管（SCR）控制极与单结晶体管（UJT）第一基极（B1）连接，单结晶体管（UJT）第一基极（B1...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏昌军，应霖，
申请(专利权)人：成都凌亚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51