羰基硫的制备方法及制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于工业气体制备技术领域，涉及羰基硫的制备方法及制备装置。所述羰基硫的制备方法包括：将一氧化碳和单质硫蒸汽通入装有金属硫化物催化剂的反应器中，进行合成反应，获得混合气体；所述混合气体经分离后得到未反应的单质硫蒸汽、未反应的一氧化碳和羰基硫，所述未反应的单质硫蒸汽和未反应的一氧化碳返回至反应器中进行循环反应；所述羰基硫经低温收集罐冷凝收集，然后再进入纯化系统进行纯化，获得高纯度的羰基硫。本发明专利技术使用金属硫化物作催化剂，提高了反应效率，将未反应完的原料循环使用，避免了浪费，减轻后续有害物质排放处理的难度，节省成本，针对粗产品中各杂质的特性，采用了相应的提纯手段，有效除去了羰基硫中杂质。

【技术实现步骤摘要】
羰基硫的制备方法及制备装置
本专利技术属于工业气体制备
，涉及羰基硫的制备，具体而言，涉及一种羰基硫的制备方法及制备装置。
技术介绍
羰基硫(化学式：COS)又称氧硫化碳、硫化羰，由匈牙利科学家KarolyThanz于1867年首次合成，在1970年日本伊哈拉化学工业公司首先实现大规模工业化生产，是农药、医药和其它有机合成的重要原料气，也可以作为重要的粮食熏蒸剂和石化标准气原料。近年来，发现高纯氧硫化碳可用作集成电路制造的蚀刻气，以代替难以降解并具有温室效应的氟化物蚀刻气。随着各国政府对环保的日益重视，氧硫化碳这种对环境影响小于氟化物的气体作为电子芯片制造、光伏、LED等行业的原辅料气将会越来越受到关注，可以预见其需求量在未来几年将会呈快速增长趋势。氧硫化碳的合成工艺较多，主要有一氧化碳法、尿素法、硫氰酸钾法、硫氰酸铵法等，例如专利公开号为CN103328379A、CN1774396A、CN102674349A、CN101973547A的专利所公开的氧硫化碳的合成方法。其中，一氧化碳法又分为有溶剂和无溶剂，该工艺流程较简单，收率高，从成本和原料来源考虑，工业生产一般采用该工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种羰基硫的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将一氧化碳和单质硫蒸汽通入装有金属硫化物催化剂的反应器中，进行合成反应，获得混合气体；所述混合气体经分离后得到未反应的单质硫蒸汽、未反应的一氧化碳和羰基硫，所述未反应的单质硫蒸汽和未反应的一氧化碳返回至反应器中进行循环反应；所述羰基硫经低温收集罐冷凝收集，然后再进入纯化系统进行纯化，获得高纯度的羰基硫。

【技术特征摘要】
1.一种羰基硫的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将一氧化碳和单质硫蒸汽通入装有金属硫化物催化剂的反应器中，进行合成反应，获得混合气体；所述混合气体经分离后得到未反应的单质硫蒸汽、未反应的一氧化碳和羰基硫，所述未反应的单质硫蒸汽和未反应的一氧化碳返回至反应器中进行循环反应；所述羰基硫经低温收集罐冷凝收集，然后再进入纯化系统进行纯化，获得高纯度的羰基硫。2.根据权利要求1所述的羰基硫的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物中的金属包括IIB族和/或VIII族金属；优选地，所述金属硫化物包括BaS、FeS、FeS2或CaSO4中的至少一种；优选地，所述金属硫化物的装入体积量为反应器体积的1/2～9/10；优选地，所述金属硫化物的装入体积量为反应器体积的2/3～4/5。3.根据权利要求1所述的羰基硫的制备方法，其特征在于，所述一氧化碳的质量纯度≥99.9％；和/或，所述单质硫的质量纯度≥99.9％；优选地，一氧化碳与单质硫的进料摩尔比为1.5～3：1。4.根据权利要求1所述的羰基硫的制备方法，其特征在于，合成反应的温度为400～500℃；优选地，合成反应的温度为420～480℃。5.根据权利要求1所述的羰基硫的制备方法，其特征在于，合成反应的压力为0～0.2MPa；优选地，合成反应的压力为0～0.1MPa。6.根据权利要求1所述的羰基硫的制备方法，其特征在于，反应得到的混合气体进入气固分离器，将未反应的单质硫蒸汽截留，剩余气体通入低温收集罐中，未反应的一氧化碳经过低温收集罐气液分离得到，得到的未反应的一氧化碳以及未反应的单质硫蒸汽再返回至反应器中进行循环利用；所述低温收集罐将羰基硫冷凝成液体，并进行羰基硫粗产品的收集；优选地，分离得到的未反应的一氧化碳经过气囊、压缩机和/或缓冲罐后返回至反应器中进行循环利用；优选地，分离得到的未反应的单质硫蒸汽经气固分离器收集，收集至一...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷海平，张建长，吕其明，
申请(专利权)人：欧中汇智电子材料研究院重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50