【技术实现步骤摘要】
一种线栅偏振器的制造系统
本技术涉及线栅偏振器
，更准确的说涉及一种线栅偏振器的制造系统。
技术介绍
偏振器在光学元件和光电子元件中应用广泛，其用于产生和检验线偏振光，且偏振器的性能好坏直接影响上述光学元件和光电子元件的性能。偏振器的实现可分为双折射晶体、偏振分光膜、高分子膜以及线栅等，其中，线栅偏振器是一种新型的偏振器。线栅偏振器包括衍射光栅和基板，衍射光栅在基板上以短于透射光波长的间距平行分布，即线栅周期小于入射光的波长。射线栅偏振器的光中，与线栅方向平行的光大部分被反射，与线栅方向垂直的光大部分透射。线栅偏振器具有体积小、结构紧凑、易于集成、对入射角不敏感的特点，存在广阔的应用前景。为了提高线栅偏振器的性能，需要线栅具有高深宽比结构，即线栅的槽深大于其周期。现有的线栅偏振器加工方法主要包括以下三种：1、电子束直写，电子束直写的分辨率可达到几个纳米，其能够保证掩模的高精度，但是存在两个主要问题：首先，高能电子束存在散射，临近效应明显，其产生的二次离子会导致分辨率下降，不利于制作高深宽比的特征结构；其次，电子束直写加工效率低，设备昂贵。在电子束直写出光栅掩...
【技术保护点】
1.一种线栅偏振器的制造系统，其特征在于，包括镀膜机、光刻涂胶机、PECVD装置、干法刻蚀机、离子束刻蚀机、全息光刻系统、以及与所述全息光刻系统结合设置的光学对准装置，所述镀膜机用于在一基片上镀制一金属膜层，所述光刻涂胶机用于在金属膜层上涂布光刻胶，所述全息光刻系统用于在光刻胶上制作光刻胶掩模，采用离子束刻蚀机实现掩模转移，在金属膜层上形成沟槽，所述PECVD装置用于在沟槽内填入硅材料，所述干法刻蚀机用于去除硅材料，所述离子束刻蚀机还用于对制作区表面进行抛光，所述光学对准装置用于进行光栅对准。
【技术特征摘要】
1.一种线栅偏振器的制造系统，其特征在于，包括镀膜机、光刻涂胶机、PECVD装置、干法刻蚀机、离子束刻蚀机、全息光刻系统、以及与所述全息光刻系统结合设置的光学对准装置，所述镀膜机用于在一基片上镀制一金属膜层，所述光刻涂胶机用于在金属膜层上涂布光刻胶，所述全息光刻系统用于在光刻胶上制作光刻胶掩模，采用离子束刻蚀机实现掩模转移，在金属膜层上形成沟槽，所述PECVD装置用于在沟槽内填入硅材料，所述干法刻蚀机用于去除硅材料，所述离子束刻蚀机还用于对制作区...
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