【技术实现步骤摘要】
蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法
本专利技术涉及CdS纳米材料的制备方法,具体涉及一种蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法。
技术介绍
硫化镉是一种典型的IIB-VIA族半导体材料,室温下禁带宽度为2.42eV,在可见光范围内具有强烈的光电效应,在光电子和新能源领域,如发光二极管、红外探测器、光电导气体传感器、半导体激光器、太阳能电池、光催化、光电催化中都有重要的应用前景。尤其在催化领域,纳米尺度的硫化镉因具有更高的表面积,更丰富的活性位点,表现出独特的可见光催化活性。但也因其表面活化能的提高,导致纳米尺度的硫化镉极易发生团聚,比表面积降低、表面反应活性位点减少,进而影响其稳定性和催化活性。为解决这一问题,人们通常直接在基板上生长CdS二维薄膜以获得良好的稳定性和催化活性。目前制备硫化镉薄膜的方法主要有溅射法(例如CN201510179496.8、CN201410537517.4)、热蒸发法(例如CN201410609550.3)、原子层沉积法(例如CN201510257498.4、CN201110107437.1)、化学气相沉积法(例如CN20151 ...
【技术保护点】
1.一种蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、基板的预处理:将基板分别使用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗,每次清洗的时间为15~45min;步骤二、前驱体溶液配制:镉盐溶于去离子水中,搅拌5~10min,得到0.15~0.2mol/L的镉盐溶液;硫源溶于去离子水,搅拌3~5min,得到0.25~0.3mol/L的硫源溶液;将体积比为1.2~2.5:1的镉盐溶液和硫源溶液混合,并利用3~5mol/L的NaOH溶液调节其pH值,获得前驱体溶液;步骤三、水热合成:基板和前驱体溶液均放入高压釜,将高压釜密封,加热到100~400℃,保持0.5 ...
【技术特征摘要】
1.一种蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、基板的预处理:将基板分别使用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗,每次清洗的时间为15~45min;步骤二、前驱体溶液配制:镉盐溶于去离子水中,搅拌5~10min,得到0.15~0.2mol/L的镉盐溶液;硫源溶于去离子水,搅拌3~5min,得到0.25~0.3mol/L的硫源溶液;将体积比为1.2~2.5:1的镉盐溶液和硫源溶液混合,并利用3~5mol/L的NaOH溶液调节其pH值,获得前驱体溶液;步骤三、水热合成:基板和前驱体溶液均放入高压釜,将高压釜密封,加热到100~400℃,保持0.5~6h,随后自然冷却至室温;得到蜂窝孔道状结构基底负载CdS纳米颗粒材料。2.如权利要求1所述的蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法,其特征在于,所述基板为钛片、铜片、锌片、铁片、铝片、镍片、钼片的任意一种。3.如权利要求1所述的蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法,其特征在于,所述镉盐为醋酸镉、硝酸镉、硫酸镉、草酸镉、氯化镉中的任意一种。4.如权利要求1所述的蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法,其特征在于,所述硫源为硫化钾、硫化钠、硫代甲酰胺、硫代乙酰胺、硫代硫酸钠、硫脲中的任意一种。5.如权利要求1所述的蜂窝孔道状结构基底负载纳米材料的制备方法,其特征在于,所述步骤二中,在前驱体溶液中加入0.01~0.2mol/L的其他元素源溶液;所述其他元素源溶液为硫酸亚铁溶液、硝酸银溶液、硝酸钴溶液、...
【专利技术属性】
技术研发人员:李园利,谢瑞士,黄鹤燕,郭宝刚,胡海龙,马拥军,张行泉,刘海峰,
申请(专利权)人:西南科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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