紫外线发光半导体器件及其制造方法技术

提供不易产生裂纹和着色的紫外线发光半导体器件(即，紫外线耐久性高的紫外线发光半导体器件)。紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于上述基材上的紫外线发光元件、和将上述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，上述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，上述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，上述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有特定的有机聚硅氧烷结构的树脂，上述第1密封材料层不与上述紫外线发光元件的光射出面相接触。

Ultraviolet Light Emitting Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

Ultraviolet light emitting semiconductor devices (i.e., ultraviolet light emitting semiconductor devices with high durability) that are not easy to crack and stain are provided. The ultraviolet light emitting semiconductor device has a base material, an ultraviolet light emitting element disposed on the base material, and a sealing material layer for sealing at least part of the ultraviolet light emitting element. The sealing material layer has a first sealing material layer and a second sealing material layer. The first sealing material layer comprises an additive silicone sealing material or a polycondensation silicone sealing material. The polycondensation type silicone sealing material comprises a resin having a dialkyl siloxane structure, the second sealing material layer comprises a polycondensation type silicone sealing material, the polycondensation type silicone sealing material comprises a resin having a specific organic polysiloxane structure, and the first sealing material layer is not in contact with the light emitting surface of the ultraviolet light emitting element.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】紫外线发光半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及紫外线发光半导体器件及其制造方法。
技术介绍
作为半导体发光器件的制造方法，例如，可举出包括下述工序的制造方法：在基板上设置半导体发光元件的工序；以覆盖基板上的半导体发光元件的方式将固化前的缩聚型有机硅密封材料灌封的工序；和使经灌封的固化前的缩聚型有机硅密封材料固化的工序。该制造方法包括形成密封材料层的工序。具体而言，在专利文献1中，为了提高半导体发光器件所具有的密封材料层的耐热冲击性，记载了包括下述工序的半导体发光器件的制造方法：以将设置于基板上的半导体发光元件覆盖的方式形成使用了密封材料(i)的密封材料层(i)，所述密封材料(i)为选自由加聚型有机硅密封材料及缩聚型有机硅密封材料组成的组中的至少一种；接着，在该密封材料层(i)上形成使用了缩聚型有机硅密封材料(ii)的密封材料层(ii)。利用该制造方法制造的半导体发光器件中，在半导体发光元件上形成了密封材料层(i)及密封材料层(ii)这两层。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2015/125713号
技术实现思路
专利技术要解决的课题就利用上述专利文献1中记载的半导体发光器件的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于所述基材上的紫外线发光元件、和将所述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，所述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，所述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，所述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有下述通式(2A‑1)或(3A‑1)表示的有机聚硅氧烷结构的树脂，所述第1密封材料层不与所述紫外线发光元件的光射出面相接触，[化学式1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.08 JP 2016-1363881.紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于所述基材上的紫外线发光元件、和将所述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，所述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，所述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，所述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有下述通式(2A-1)或(3A-1)表示的有机聚硅氧烷结构的树脂，所述第1密封材料层不与所述紫外线发光元件的光射出面相接触，[化学式1]通式(2A-1)中，R1各自独立地表示烷基，R2各自独立地表示烷氧基或羟基，p1、q1、a1及b1表示满足[p1+b1×q1]：[a1×q1]＝1：0.25～9的正数，[化学式2]通式(3A-1)中，R1各自独立地表示烷基，R2各自独立地表示烷氧基或羟基，p2、q2、r1、a2及b2表示[a2×q2]/[(p2+b2×q2)+a2×q2+(r1+q2)]成为0.3以上且小于0.6的整数。2.如权利要求1所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料。3.如权利要求1所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述具有二烷基硅氧烷结构的树脂为具有下述通式(1)表示的二烷基硅氧烷结构的树脂X，[化学式3]通式(1)中，R3各自独立地表示烷基，n表示5～4000的整数。4.如权利要求3所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述n为5～1000的整数。5.如权利要求1～4中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第2密封材料层形成于所述第1密封材料层及所述紫外线发光元件的光射出面之上，且所述第2密封材料层与所述第1密封材料层相接触的面积小于所述第1密封材料层所形成的面积。6.如权利要求1～5中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第1密封材料层的肖氏硬度为A80以下。7.如权利要求1～6中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，在所述第1密封材料层与第2密封材料层的界面处，所述第1密封材料层与所述第2密封材料层具有密合性。8.如权利要求1～7中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，具有两层以上的所述第2密封材料层。9.如权利要求1～8中任一项所述的紫外线发光半导体器件，其中，所述第2密封层的形状为凸透镜形状。10.紫外线发光半导体器件的制造方法，其是具有基材、配置于所述基材上的紫外线发光元件、和将所述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层的紫外线半导体器件的制造方法，所述制造方法包括下述工序：第1工序，在基材上设置紫外线发光元件；第2工序，以不覆盖所述紫外线发光元件的光射出面的方式灌封第1密封材料，其中，所述第1密封材料具有加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂；第3工序，使经灌封的固化前的第1密封材料固化，从而形成第1密封材料层；和第4工序，将第2密封材料灌封于所述紫外线发光元件及所述第1密封材料层之上，并使经灌封的固化前的第2密封材料固化，从而形成第2密封材料层，其中，所述第2密封材料具有缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀田翔平，高岛正之，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP