切割带和切割芯片接合薄膜制造技术

提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有DAF的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性的切割带和DDAF。对于本发明专利技术的切割带(10)，在以拉伸速度1000mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力相对于在以拉伸速度10mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力的比值为1.4以上。本发明专利技术的DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。

Cutting tape and chip bonding film

The invention provides a cutting band and DDAF suitable for expanding the process of using cutting chip bonding film to obtain semiconductor chip with chip bonding film. The cutting band and DDAF with DAF after cutting on the cutting band can suppress the rising from the cutting band while enlarging the separation distance, and are suitable for realizing good pickup in the pickup process. For the cutting strip (10) of the invention, the ratio of the tensile stress produced under 20% strain value in the tensile test (20 mm width of test piece, 100 mm initial chuck spacing, 23 C) at the tensile speed of 1000 mm/min to that produced under 20% strain value in the tensile test (20 mm width of test piece, 100 mm initial chuck spacing, 23 C) at the tensile speed of 10 mm/min is 1.4, compared with that produced under 20% strain value in the tensile test (20 mm width of test piece, 100 mm initial chuck spacing, 23 Up. The DDAF of the invention comprises a DAF (20) on a cutting belt (10) and an adhesive layer (12).

【技术实现步骤摘要】
切割带和切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及在半导体装置的制造过程中能使用的切割带和切割芯片接合薄膜。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一同被割断而能单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使切割芯片接合薄膜的切割带扩展。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，第2拉伸应力相对于第1拉伸应力的比值为1.4以上，所述第2拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度1000mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的，所述第1拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度10mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的。

【技术特征摘要】
2017.07.04 JP 2017-1308671.一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，第2拉伸应力相对于第1拉伸应力的比值为1.4以上，所述第2拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度1000mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的，所述第1拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度10mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的。2.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述第2拉伸应力与所述第1拉伸应力之差为2.5MPa以上。3.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述基材具有40～200μm的厚度。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：三木香，小坂尚史，靏泽俊浩，木村雄大，高本尚英，大西谦司，杉村敏正，赤泽光治，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP