切割带和切割芯片接合薄膜制造技术

提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有DAF的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性的切割带和DDAF。对于本发明专利技术的切割带(10)，在以拉伸速度1000mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力相对于在以拉伸速度10mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力的比值为1.4以上。本发明专利技术的DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。

Cutting tape and chip bonding film

The invention provides a cutting band and DDAF suitable for expanding the process of using cutting chip bonding film to obtain semiconductor chip with chip bonding film. The cutting band and DDAF with DAF after cutting on the cutting band can suppress the rising from the cutting band while enlarging the separation distance, and are suitable for realizing good pickup in the pickup process. For the cutting strip (10) of the invention, the ratio of the tensile stress produced under 20% strain value in the tensile test (20 mm width of test piece, 100 mm initial chuck spacing, 23 C) at the tensile speed of 1000 mm/min to that produced under 20% strain value in the tensile test (20 mm width of test piece, 100 mm initial chuck spacing, 23 C) at the tensile speed of 10 mm/min is 1.4, compared with that produced under 20% strain value in the tensile test (20 mm width of test piece, 100 mm initial chuck spacing, 23 Up. The DDAF of the invention comprises a DAF (20) on a cutting belt (10) and an adhesive layer (12).

【技术实现步骤摘要】
切割带和切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及在半导体装置的制造过程中能使用的切割带和切割芯片接合薄膜。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一同被割断而能单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使切割芯片接合薄膜的切割带扩展。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，对于切割带上的割断后的多个芯片接合薄膜或带有芯片接合薄膜的半导体芯片，为了扩大分离距离，进行再次的扩展工序。接着，在经过例如清洗工序后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同被拾取机构的销构件从切割带的下侧顶起，然后，从切割带上拾取半导体芯片。由此，可以得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。该带有芯片接合薄膜的半导体芯片借助其芯片接合薄膜通过芯片接合而固定在安装基板等被粘物上。对于用于使用切割芯片接合薄膜来得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的技术，记载于例如下述专利文献1～3中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-158046号公报专利文献2：日本特开2016-115775号公报专利文献3：日本特开2016-115804号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在上述再次的扩展工序中，以往在切割带上的带有芯片接合薄膜的半导体芯片中，有如下情况：该芯片接合薄膜的端部从切割带上局部剥离(即，发生带有芯片接合薄膜的半导体芯片端部从切割带上浮起的情况)。这样的局部剥离即浮起的发生在扩展工序后的清洗工序等中可能会成为带有芯片接合薄膜的半导体芯片从切割带上的不希望发生的剥离的原因。在半导体晶圆表面或半导体芯片表面预先形成的布线结构越进行多层化，该布线结构内的树脂材料与半导体芯片主体的半导体材料的热膨胀率差也为一个原因而容易导致上述浮起、剥离。另外，以往有时无法在上述拾取工序中从切割带上适宜地拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片。上述局部剥离即浮起的发生也包括在拾取工序中拾取不良的原因中。本专利技术是鉴于以上的情况而做出的专利技术，其目的在于，提供一种切割带和切割芯片接合薄膜，所述切割带和切割芯片接合薄膜适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有芯片接合薄膜的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性。用于解决问题的方案根据本专利技术的第一方案，可提供一种切割带。该切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，第2拉伸应力相对于第1拉伸应力的比值为1.4以上，所述第2拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度1000mm/分钟的条件下进行的拉伸试验(第2拉伸试验)中、在应变值20％下产生的，所述第1拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度10mm/分钟的条件下进行的拉伸试验(第1拉伸试验)中、在应变值20％下产生的。对于这样的构成的切割带，在其粘合剂层侧密合有芯片接合薄膜的形态下，能够用于在半导体装置的制造过程中得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。在半导体装置的制造过程中，如上所述，为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时实施使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序即用于割断的扩展工序和之后的用于分离的扩展工序。另外，在扩展工序之后，如上所述，进行用于从切割带上拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片的拾取工序。在分离用扩展工序中，从切割芯片接合薄膜中要进行扩展或变形的切割带上对该切割带上的割断后的各芯片接合薄膜或各带有芯片接合薄膜的半导体芯片作用拉伸应力。在这样的分离用扩展工序中，从抑制各带有芯片接合薄膜的半导体芯片中自切割带上浮起这样的观点出发，优选要进行扩展的切割带上产生的拉伸应力小。另一方面，拾取工序中，从切割带中通过销构件被顶起而变形的部位，对切割带上的作为拾取对象的带有芯片接合薄膜的半导体芯片作用拉伸应力。在这样的拾取工序中，从由切割带中的变形部位适宜地剥离带有芯片接合薄膜的半导体芯片这样的观点出发，优选切割带的该变形部位产生的拉伸应力大。对于本专利技术的第一方案的切割带，如上所述，在相对高的拉伸速度或变形速度下的上述第2拉伸应力相对于在相对低的拉伸速度或变形速度下的上述第1拉伸应力的比值大至1.4以上。这样的切割带在其粘合剂层侧密合有芯片接合薄膜的形态下，对于由于变形而产生的应力，利用其变形速度依赖性而容易控制在宽范围内，因此，容易实现分离用扩展工序中产生的拉伸应力与拾取工序中产生的拉伸应力之间的大的差异。利用该切割带，在分离用扩展工序中通过在相对低的拉伸速度或变形速度下的扩展而使产生拉伸应力相对变小，另一方面在拾取工序中通过在相对高的变形速度下的顶起变形而使在该变形部位产生的拉伸应力相对变大，容易实现两种拉伸应力之间的大的差异。因此，对于本专利技术的第一方案的切割带，适于在其粘合剂层侧密合有芯片接合薄膜的形态下、通过在扩展工序中抑制产生的拉伸应力而对切割带上的割断后的带有芯片接合薄膜的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适合在拾取工序中使变形部位产生充分的拉伸应力而实现良好的拾取性。对于本专利技术的第一方案的切割带，第2拉伸应力与第1拉伸应力之差优选为2.5MPa以上、更优选为3MPa以上、更优选为3.5MPa以上、更优选为4MPa以上、更优选为4.5MPa以上。两拉伸应力之差越大，对于切割带中由于变形而产生的应力，利用其变形速度依赖性越容易控制在宽范围内，因此，如上所述，容易实现在分离用扩展工序中产生的拉伸应力与拾取工序中产生的拉伸应力之间的大的差异。本专利技术的第一方案的切割带的基材优选具有40～200μm的厚度。从确保基材具有用于作为切割带中的支撑体发挥作用的强度这样的观点出发，基材的厚度优选40μm以上。另外，从实现切割带中适度的挠性这样的观点出发，基材的厚度优选为200μm以下。对于本专利技术的第一方案的切割带，由在加热温度100℃和加热处理时间60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为2～30％、更优选为2～25％、更优选为3～20％、更优选为5～20％。该热收缩率是指所谓的MD方向的热收缩率和所谓的TD方向的热收缩率中的至少一者。这样的构成在如下方面是适宜的：该切割带在其粘合剂层侧密合有芯片接合薄膜的形态下供于上述分离用扩展工序后，局部地实施用于维持带有芯片接合薄膜的半导体芯片的分离距离的加热收缩处理时，使该切割带产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，第2拉伸应力相对于第1拉伸应力的比值为1.4以上，所述第2拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度1000mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的，所述第1拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度10mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的。

【技术特征摘要】
2017.07.04 JP 2017-1308671.一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，第2拉伸应力相对于第1拉伸应力的比值为1.4以上，所述第2拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度1000mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的，所述第1拉伸应力是对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm、23℃和拉伸速度10mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中、在应变值20％下产生的。2.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述第2拉伸应力与所述第1拉伸应力之差为2.5MPa以上。3.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述基材具有40～200μm的厚度。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：三木香，小坂尚史，靏泽俊浩，木村雄大，高本尚英，大西谦司，杉村敏正，赤泽光治，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP