声波谐振器及用于制造声波谐振器的方法技术

本发明专利技术提供一种声波谐振器及用于制造声波谐振器的方法。所述声波谐振器包括基板、中央部分、延伸部分和阻挡层。在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极依次堆叠在所述基板上。所述延伸部分被构造为从所述中央部分延伸并包括设置在所述压电层下方的插入层。所述阻挡层设置在所述第一电极和所述压电层之间。

Acoustic Resonator and Method for Manufacturing Acoustic Resonator

The invention provides an acoustic resonator and a method for manufacturing an acoustic resonator. The acoustic resonator comprises a substrate, a central part, an extension part and a barrier layer. In the central part, the first electrode, the piezoelectric layer and the second electrode are stacked on the substrate in turn. The extension part is constructed to extend from the central part and includes an insertion layer arranged below the piezoelectric layer. The barrier layer is arranged between the first electrode and the piezoelectric layer.

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器及用于制造声波谐振器的方法本申请要求于2017年7月4日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0085013号韩国专利申请和于2017年9月6日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0113819号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种声波谐振器及用于制造该声波谐振器的方法。
技术介绍
由于无线通信装置小型化的趋势，使得射频组件小型化的技术已成为必需。使射频组件小型化的技术的示例可包括实现为使用半导体薄膜晶圆制造的体声波(BAW)谐振器的滤波器。体声波(BAW)谐振器是实现为滤波器的薄膜型元件，其中，薄膜型元件利用在硅晶圆(半导体基板)上沉积的压电介电材料的压电特性诱发谐振。体声波(BAW)谐振器的应用领域包括移动通信装置、化学和生物装置的小型且轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对选择的构思进行介绍，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面中，一种声波谐振器包括基板、中央部分、延伸部分和阻挡层。在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极依次堆叠在所述基板上。所述延伸部分被构造为从所述中央部分延伸并包括设置在所述压电层下方的插入层。所述阻挡层设置在所述第一电极和所述压电层之间。在所述延伸部分中，所述阻挡层可被设置在所述第一电极和所述插入层之间。所述阻挡层可利用具有密排六方(HCP)结构的电介质或金属形成。所述阻挡层可利用钛(Ti)形成。所述第一电极可利用钼(Mo)形成，所述压电层可利用氮化铝(AlN)形成。所述阻挡层可利用氮化铝(AlN)形成。所述阻挡层和所述压电层可利用相同的材料形成。所述阻挡层的厚度可小于所述压电层的厚度或所述第一电极的厚度。所述压电层可包括设置在所述中央部分中的压电部和设置在所述延伸部分中的弯曲部。所述弯曲部可被构造为沿着所述插入层的轮廓从所述压电部倾斜延伸。所述第二电极的至少一部分可被设置在所述延伸部分中。在另一总体方面中，一种用于制造声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成阻挡层；在所述阻挡层的一部分上形成插入层；形成包括压电部和弯曲部的压电层；以及在所述压电层上形成第二电极。所述压电部堆叠在所述阻挡层上，所述弯曲部堆叠在所述插入层上。所述阻挡层利用具有密排六方(HCP)结构的电介质或金属形成。所述阻挡层可利用钛(Ti)或氮化铝(AlN)形成。所述第一电极可利用钼(Mo)形成，所述压电层可利用氮化铝(AlN)形成。在另一总体方面中，声波谐振器包括设置在基板上的第一电极、压电层、第二电极、插入层和阻挡层。所述压电层被设置在所述第一电极的一部分上，并且包括压电部以及从压电部延伸的弯曲部。所述第二电极设置在所述压电层的一部分上。所述插入层设置在所述弯曲部的下方。所述阻挡层设置在所述第一电极和所述压电层之间。所述弯曲部的下表面和所述插入层的上表面可具有相同的轮廓。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将会明显。附图说明图1是声波谐振器的示例的平面图。图2是沿着图1的I-I′线截取的截面图；图3是沿着图1的II-II′线截取的截面图；图4是沿着图1的III-III′线截取的截面图；图5至图8是示出用于制造声波谐振器的方法的示例的视图。图9是声波谐振器的另一示例的截面图。在整个附图和具体实施方式中，相同的标号表示相同的元件。附图可不按比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将会明显。例如，在此所描述的操作的顺序仅仅是示例，其并不限于在此所阐述的示例，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将会明显的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。在此所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，已经提供了在此所描述的示例仅用于示出在理解本申请的公开内容之后将会明显的实现在此描述的方法、设备和/或系统的诸多可行方式中的一些方式。在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可以不存在介于它们之间的其他元件。如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项以及任意两项或更多项的任意组合。虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上”、“在……之下”以及“下”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他的方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并将对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。在此描述的示例的特征可按照在理解了本申请的公开内容之后将会明显的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解了本申请的公开内容后将会明显的其他构造是可行的。图1是本公开中的声波谐振器的示例的平面图，图2是沿着图1的I-I′线截取的截面图。此外，图3是沿着图1的II-II′线截取的截面图，图4是沿着图1的III-III′线截取的截面图。参照图1至图4，本公开的声波谐振器100可以是体声波(BAW)谐振器，并且可包括基板110、牺牲层140、谐振部120、插入层17本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声波谐振器，包括：基板；中央部分，在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极依次堆叠在所述基板上；延伸部分，从所述中央部分延伸，并包括设置在所述压电层下方的插入层；以及阻挡层，设置在所述第一电极和所述压电层之间。

【技术特征摘要】
2017.07.04 KR 10-2017-0085013;2017.09.06 KR 10-2011.一种声波谐振器，包括：基板；中央部分，在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极依次堆叠在所述基板上；延伸部分，从所述中央部分延伸，并包括设置在所述压电层下方的插入层；以及阻挡层，设置在所述第一电极和所述压电层之间。2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，在所述延伸部分中，所述阻挡层设置在所述第一电极和所述插入层之间。3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述阻挡层利用具有密排六方结构的电介质或金属形成。4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述阻挡层利用钛形成。5.根据权利要求4所述的声波谐振器，其中，所述第一电极利用包括钼、钌、铱、铝、铂、钨中的任意一种、或它们中的任意两种或更多种的组合、或包括它们中的至少一种的合金的导电材料形成，以及所述压电层利用氮化铝形成。6.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述阻挡层利用氮化铝形成。7.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述阻挡层和所述压电层利用相同的材料形成。8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述阻挡层的厚度小于所述压电层的厚度或所述第一电极的厚度。9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，金成善，尹湘基，林昶贤，孙晋淑，申兰姬，庆济弘，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR