光掩模坯料和光掩模制造技术

本发明专利技术涉及一种光掩模坯料和光掩模。具体涉及一种用于ArF准分子激光的曝光光的光掩模坯料，包括：透明衬底和包含钼、硅和氮的遮光膜。将该遮光膜形成为由单一组成层或组成梯度层组成的单层或者多层，远离该衬底的一侧的遮光膜的反射率为40％以下，并且所有层的衬底侧和远离衬底的一侧的表面处的折射率中，最高折射率与最低折射率之差为0.2以下，并且在表面处的消光系数中，最高与最低消光系数之差为0.5以下。该遮光膜在掩模加工中的蚀刻工艺或缺陷修正中呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。

Photomask blank and photomask

The invention relates to a photomask blank and a photomask. Specifically, a photomask blank for exposure light of an ArF excimer laser is involved, including a transparent substrate and a shading film containing molybdenum, silicon and nitrogen. The shading film is formed into a single layer or a multi-layer composed of a single layer or a gradient layer. The reflectivity of the shading film on the side far from the substrate is less than 40%. In the refractive index of the substrate side and the surface far from the substrate of all the layers, the difference between the maximum refractive index and the minimum refractive index is less than 0.2, and the extinction coefficient at the surface is the highest and the lowest. The difference of optical coefficient is less than 0.5. In the etching process or defect correction of mask fabrication, the cross section shape of the mask pattern is satisfactory and not deteriorated.

【技术实现步骤摘要】
光掩模坯料和光掩模相关申请的交叉引用本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求2017年6月29日在日本提交的专利申请No.2017-127637的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及光掩模坯料，其用作用于半导体集成电路等的微细加工的光掩模的材料，并且涉及光掩模。
技术介绍
关于用于各种用途的半导体集成电路，为了改善集成度并且减小功耗，已进行了较精细的电路设计。因此，在使用用于形成电路的光掩模的光刻技术中，微细加工技术的发展已从45nm节点发展到32nm节点，进而发展到20nm以下节点。为了获得较精细的图像，开始使用具有较短波长的曝光光源，并且在目前最先进的实际加工工艺中，将ArF准分子激光(193nm)用于曝光光源。进而，为了获得较精细的图像，在发展高分辨率技术，并且使用液体浸没式曝光、变形照明、辅助图案等。关于光刻中使用的光掩模，除了包括半透明部分和遮光部分的二元光掩模以外，作为利用光的干涉的相移型光掩模，已开发出半色调相移掩模、Levenson型相移掩模、无铬型相移掩模等。用作这样的光掩模的材料的光掩模坯料在使曝光光透射的透明衬底上设置有无机膜，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光掩模坯料，包括：透明衬底；和包含钼、硅和氮的遮光膜，其中曝光光为ArF准分子激光，将该遮光膜形成为单层或者由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，远离该衬底的一侧的遮光膜的对于该曝光光的反射率为40％以下，在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，并且在该遮光膜为多层的情况下，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离...

【技术特征摘要】
2017.06.29 JP 2017-1276371.光掩模坯料，包括：透明衬底；和包含钼、硅和氮的遮光膜，其中曝光光为ArF准分子激光，将该遮光膜形成为单层或者由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，远离该衬底的一侧的遮光膜的对于该曝光光的反射率为40％以下，在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，并且在该遮光膜为多层的情况下，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的折射率n中，最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，并且在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的消光系数k中，最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下。2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成的单层，该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为由在厚度方向上组成连续变化的组成梯度层组成的单层，在该遮光膜中，该衬底侧的表面处的折射率n低于远离该衬底的一侧的表面处的折射率n，并且该衬底侧的表面处的消光系数k高于远离该衬底的一侧的表面处的消光系数k。4.根据权利要求3所述的光掩模坯料，其中该遮光膜对于该曝光光的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泽良兼，高坂卓郎，稻月判臣，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP