一种超低压降的隔离电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超低压降的隔离电路，设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间，隔离电路包括MOSFET隔离电路和第一二极管，电池的输出端与MOSFET隔离电路的输入端连接，MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接，外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与电源输出端连接。采用超低导通压降的MOSFET隔离电路作为电池的输出隔离器件，以减少电池在输出隔离器件上的输出电压损耗，从而延长电池的使用寿命。

An Isolation Circuit for Ultra Low Drop

The utility model discloses an ultra-low voltage drop isolation circuit, which is arranged between the input end of the battery and the external DC power supply and the output end of the power supply. The isolation circuit includes the MOSFET isolation circuit and the first diode. The output end of the battery is connected with the input end of the MOSFET isolation circuit. The output end of the MOSFET isolation circuit is connected with the positive end of the first diode and the output end of the power supply respectively, and the external DC power supply is connected. The input end is connected with the positive pole of the first diode, and the negative pole of the first diode is connected with the output end of the power supply. The MOSFET isolation circuit with ultra-low conduction voltage drop is used as the output isolation device of the battery to reduce the output voltage loss of the battery on the output isolation device and prolong the service life of the battery.

【技术实现步骤摘要】
一种超低压降的隔离电路
本技术涉及电池隔离领域，尤其是一种超低压降的隔离电路。
技术介绍
带充电电池的电子产品，通常会在充电电池输出端加一个隔离二极管，以确保在外接DC电源供电期间充电电池不向电路供电。但是由于二极管的压降较大，通常在0.3V(SS14肖特基二极管)～0.7V(普通整流二极管)，会导致去掉DC外接电源切换到由充电电池供电模式后，充电电池的有效输出电压下降，进而减少充电电池的使用时间。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种超低压降的隔离电路，采用超低导通压降的MOSFET隔离电路作为电池的输出隔离器件，以减少电池在输出隔离器件上的输出电压损耗，从而延长电池的使用寿命。本技术所采用的技术方案是：一种超低压降的隔离电路，所述隔离电路设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间，所述隔离电路包括MOSFET隔离电路和第一二极管，所述电池的输出端与MOSFET隔离电路的输入端连接，所述MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接，所述外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与电源输出端连接。进一步地，所述MOSFET隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超低压降的隔离电路，其特征在于，所述隔离电路设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间，所述隔离电路包括P沟道MOSFET隔离电路和第一二极管，所述电池的输出端与P沟道MOSFET隔离电路的输入端连接，所述P沟道MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接，所述外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与电源输出端连接，所述外接DC电源输入端用于实现外部DC电源的输入，所述外部DC电源的电压大于所述电池的电压。

【技术特征摘要】
1.一种超低压降的隔离电路，其特征在于，所述隔离电路设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间，所述隔离电路包括P沟道MOSFET隔离电路和第一二极管，所述电池的输出端与P沟道MOSFET隔离电路的输入端连接，所述P沟道MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接，所述外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与电源输出端连接，所述外接DC电源输入端用于实现外部DC电源的输入，所述外部DC电源的电压大于所述电池的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宝军，安飞虎，祁珊珊，
申请(专利权)人：深圳飞安瑞科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44