一种防辐射打底裤的拼接方法技术

技术编号:20090041 阅读:29 留言:0更新日期:2019-01-15 09:10
本发明专利技术公开了一种防辐射打底裤的拼接方法,具体步骤包括:1)预留第一拼接口在制作时保留一半纬线,所述预留第二拼接口保留经线剔除纬线;2)24小时预缩处理;3)第一预留拼接口、第二预留拼接口平铺,并将防辐射面料和机织面料末端固定;4)第一预留拼接口和第二预留拼接口进行拼接;5)对第一预留拼接口和第二预留拼接口的接口处进行纳米银喷涂。本发明专利技术具有的优点:抑菌效果优良,防辐射;2.电吸附能保持预留拼接口的平整,取代人工整平,高效快捷;3.无缝拼接,利于保暖和美观。

【技术实现步骤摘要】
一种防辐射打底裤的拼接方法
本专利技术涉及一种拼接工艺,具体涉及一种防辐射打底裤的拼接方法。
技术介绍
防辐射主要是通过导电纤维在电磁辐射的作用下产生感应电流,而该感应电流产生电磁波,抵抗辐射源,进而阻止辐射透入导电纤维层。防辐射服采用金属纤维与纺织纤维混织,把金属抽成细丝,在面料内部形成网状结构。现有防辐射打底裤通常的做法是在托腹打底裤的托腹处增加一层防辐射材料,这种简单的拼接方法有如下缺陷:1.若防辐射布料过少不能完全包覆胎儿;2.若防辐射布料全包覆,会由于防辐射材料的不可伸缩性造成严重褶皱,从而影响舒适度;3.常用的平缝拼接通常留有缝线或拼接头,造成不适。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种防辐射打底裤的拼接方法,能实现本专利技术采用如下技术方案:一种防辐射打底裤的拼接方法,具体为防辐射面料和机织面料的拼接,具体步骤如下:1)对防辐射面料拼接前预留第一拼接口,所述预留第一拼接口在制作时保留一半纬线,对机织面料拼接前预留第二拼接口,所述预留第二拼接口保留经线剔除纬线;2)对第一预留拼接口、第二预留拼接口进行24小时预缩处理;3)第一预留拼接口、第二预留拼接口平铺,并将防辐射面料和机织面料末端固定;4)第一预留拼接口和第二预留拼接口进行拼接,拼接方法为将第二预留拼接口的经线穿插入到第二预留拼接口的纬线中,拼接过程中边加湿边压烫,压烫处理后自然冷却;5)对第一预留拼接口和第二预留拼接口的接口处进行纳米银喷涂。进一步地,所述防辐射面料为纳米银材料和纺织纤维混织。进一步地,步骤2中所述预缩处理指温水浸轧或喷蒸汽后,在松弛状态下缓缓烘干,使织物经、纬向都发生收缩。进一步地,步骤4中将防辐射面料除第一预留拼接口部分平铺于电极板上,对电极板通电,使之带负电,对防辐射面料进行吸附,拼接过程保持平整。本专利技术具有的优点:1.极少的纳米银可产生强大的杀菌作用,拼接材料同时带来优良的杀菌效果;2.电吸附能保持预留拼接口的平整,取代人工整平,高效快捷;3.无缝拼接,利于保暖和美观。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。附图标记说明:1.第一预留拼接口、2.第二预留拼接口、3.电极板。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细阐述,以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。一种防辐射打底裤的拼接方法,具体为防辐射面料和机织面料的拼接,具体步骤如下:6)对防辐射面料拼接前预留第一拼接口,所述预留第一拼接口在制作时保留一半纬线,对机织面料拼接前预留第二拼接口,所述预留第二拼接口保留经线剔除纬线;7)对第一预留拼接口、第二预留拼接口进行24小时预缩处理;8)第一预留拼接口、第二预留拼接口平铺,并将防辐射面料和机织面料末端固定;9)第一预留拼接口和第二预留拼接口进行拼接,拼接方法为将第二预留拼接口的经线穿插入到第二预留拼接口的纬线中,拼接过程中边加湿边压烫,压烫处理后自然冷却;10)对第一预留拼接口和第二预留拼接口的接口处进行纳米银喷涂。进一步地,所述防辐射面料为纳米银材料和纺织纤维混织。进一步地,步骤2中所述预缩处理指温水浸轧或喷蒸汽后,在松弛状态下缓缓烘干,使织物经、纬向都发生收缩。进一步地,步骤4中将防辐射面料除第一预留拼接口部分平铺于电极板上,对电极板通电,使之带负电,对防辐射面料进行吸附,拼接过程保持平整。不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此,本专利技术的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防辐射打底裤的拼接方法,其特征在于,具体为防辐射面料和机织面料的拼接,具体步骤如下:1)对防辐射面料拼接前预留第一拼接口,所述预留第一拼接口在制作时保留一半纬线,对机织面料拼接前预留第二拼接口,所述预留第二拼接口保留经线剔除纬线;2)对第一预留拼接口、第二预留拼接口进行24小时预缩处理;3)第一预留拼接口、第二预留拼接口平铺,并将防辐射面料和机织面料末端固定;4)第一预留拼接口和第二预留拼接口进行拼接,拼接方法为将第二预留拼接口的经线穿插入到第二预留拼接口的纬线中,拼接过程中边加湿边压烫,压烫处理后自然冷却;5)对第一预留拼接口和第二预留拼接口的接口处进行纳米银喷涂。

【技术特征摘要】
1.一种防辐射打底裤的拼接方法,其特征在于,具体为防辐射面料和机织面料的拼接,具体步骤如下:1)对防辐射面料拼接前预留第一拼接口,所述预留第一拼接口在制作时保留一半纬线,对机织面料拼接前预留第二拼接口,所述预留第二拼接口保留经线剔除纬线;2)对第一预留拼接口、第二预留拼接口进行24小时预缩处理;3)第一预留拼接口、第二预留拼接口平铺,并将防辐射面料和机织面料末端固定;4)第一预留拼接口和第二预留拼接口进行拼接,拼接方法为将第二预留拼接口的经线穿插入到第二预留拼接口的纬线中,拼接过程中边加湿边压...

【专利技术属性】
技术研发人员:李加根李江
申请(专利权)人:江西辉鹏实业有限公司
类型:发明
国别省市:江西,36

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