The invention relates to an absorption-enhanced Photodetector Based on Schottky barrier, which comprises a substrate layer with a first electrode layer arranged above the substrate layer, an organic material arranged above the first electrode layer, a metal particle layer distributed on the upper surface of the organic material, a transparent conductive film arranged above the metal particle layer, and both the first electrode layer and the transparent conductive film are connected with the outside. The detector has the problem of low absorptivity of incident light, which leads to the inadequate detection sensitivity. By setting metal particle layer and conductive film above the organic material, the metal particle layer can enhance the absorption of incident light, thus affecting the carrier distribution in the organic material, and then making Xiao Xiao. The change of Schottky barrier makes it more sensitive and fast to detect the optical characteristics by detecting the change of Schottky barrier, which is more conducive to the detection of incident light.
【技术实现步骤摘要】
一种基于肖特基势垒的吸收增强型的光检测器
本专利技术涉及光电探测器
,具体涉及一种基于肖特基势垒的吸收增强型的光检测器。
技术介绍
光电探测器的物理效应通常分为光子效应和光热效应,对应的探测器分别称为光子型探测器和光热型探测器。各种光子型探测器的共同特征是采用半导体能带材料,光子能量对探测材料中光电子的产生起直接作用,故光子型探测器存在截止响应频率或波长,且光谱响应限于某一波段,因此不同的材料体系决定了探测器具有不同的响应波长范围,一般难以用于宽谱或多谱段探测。对于光热型探测器,在吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,从而引起探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化,故光热效应与光子能量的大小没有直接关系,光热型探测器原则上对频率没有选择性。由于红外波段特别是中长波红外以上波段的光热效应相比紫外和可见光更明显,故光热探测器通常用于中长波光学辐射的探测,典型的光热型探测器包括微测辐射热计、热释电探测器和热偶探测器等种类。由于温度升高是热积累的作用,基于光热效应的热探测器一般响应速度较慢,在毫秒量级。采用金属-半导体势垒(称为肖特基势垒)代替p-n结的半导体器件已经被开发以将入射光转换成电能。在肖特基势垒光检测器中,硅经常被用作半导体材料,其中所述光检测器工作在电磁能量谱的IR部分。在其最传统的方式中,一个硅基肖特基势垒光电二极管包括一薄的金属膜(比如硅化物膜),其设置在一硅层上。入射光垂直地(即,″呈直角″)施加至此结构,过相对较薄的金属膜,其中膜仅吸收一小部分光,因此导致极低的外 ...
【技术保护点】
1.一种基于肖特基势垒的吸收增强型的光检测器,包括衬底层(1),所述衬底层(1)的上方设置有第一电极层(2),所述第一电极层(2)的上方设置有有机材料(3),其特征在于:所述有机材料(3)的上表面分布有金属颗粒层(4),所述金属颗粒层(4)的上方设置有透光导电薄膜(5),所述第一电极层(2)、透光导电薄膜(5)均与外接电源的电极电连接。
【技术特征摘要】
1.一种基于肖特基势垒的吸收增强型的光检测器,包括衬底层(1),所述衬底层(1)的上方设置有第一电极层(2),所述第一电极层(2)的上方设置有有机材料(3),其特征在于:所述有机材料(3)的上表面分布有金属颗粒层(4),所述金属颗粒层(4)的上方设置有透光导电薄膜(5),所述第一电极层(2)、透光导电薄膜(5)均与外接电源的电极电连接。2.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的吸收增强型的光检测器,其特征在于:所述透光导电薄膜(5)为石墨烯透光导电薄膜或金属氧化物透光导电薄膜。3.如权利要求2所述的一种基于肖特基势垒的吸收增强型的光检测器,其特征在于:所述金属氧化物透光导电薄膜为ITO、FTO、ZAO中的任意一种。4.如权利要求1所述的一种基...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:中山科立特光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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