频率补偿电路和频率控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种频率补偿电路和频率控制电路，频率补偿电路包括：电压采样电路、开关单元和频率补偿单元；所述电压采样电路的第一端用于输入电压信号，电压采样电路的第二端通过开关单元连接频率补偿单元的第一端；频率补偿单元的第二端用于连接频率设定电路；开关单元用于根据电压信号开启或关闭，频率补偿单元用于在开关单元开启或关闭时输出相应的频率补偿信号至频率设定电路。通过上述的频率补偿电路，可以通过输入的电压信号来改变输出频率值，从而来改变电路的开关频率，减少了对电路器件的损耗。另外，使用方便，操作简单。

【技术实现步骤摘要】
频率补偿电路和频率控制电路
本技术涉及补偿电路
，特别是涉及一种频率补偿电路和一种频率控制电路。
技术介绍
一些拓扑结构电路(例如反激电路、单级PFC电路等)存在一个现象：当电路在非固定导通时间模式且在相同的负载条件下，电路导通时间随输入电压的减小而增大，即导通时间与输入电压成反比，从而导致在输入低压时电路开关频率高，在输入高压时开关频率低。由于输入电压与输出频率不匹配的问题，常常容易对电路器件造成损耗，例如在输入低压时初级峰值电压大，容易造成磁芯饱和、变压器升温；输入高压时，容易对开关器件造成损耗。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有的拓扑结构电路输入电压与输出频率不匹配容易造成电路损伤的问题，提供一种频率补偿电路。一种频率补偿电路，包括：电压采样电路、开关单元和频率补偿单元；所述电压采样电路的第一端用于输入电压信号，所述电压采样电路的第二端通过所述开关单元连接所述频率补偿单元的第一端；所述频率补偿单元的第二端用于连接频率设定电路；所述开关单元用于根据所述电压信号开启或关闭，所述频率补偿单元用于在所述开关单元开启或关闭时输出相应的频率补偿信号至所述频率设定电路。上述的频率补偿电路，包括电压采样电路、开关单元和频率补偿单元，其中电压采样电路的第一端用于输入电压信号，电压采样电路的第二端通过开关单元连接频率补偿单元的第一端；频率补偿单元的第二端用于连接频率设定电路；开关单元用于根据电压信号开启或关闭，频率补偿单元用于在开关单元开启或关闭时输出相应的频率补偿信号至频率设定电路。通过上述的频率补偿电路，可以通过输入的电压信号来改变输出频率值，从而来改变电路的开关频率，减少了对电路器件的损耗。另外，使用方便，操作简单。在其中一个实施例中，所述电压采样电路包括第一电阻、第一电容和第二电阻；所述第一电阻的第一端连接所述电压输入端，所述第一电阻的第二端连接所述开关单元；所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端分别连接所述开关单元，所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第二端分别接地。在其中一个实施例中，所述电压采样电路还包括：第三电阻；所述第一电阻的第二端通过所述第三电阻连接所述开关单元。在其中一个实施例中，所述开关单元包括第一NMOS管；所述第一NMOS管的栅极分别连接所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端，所述第一NMOS管的漏极连接所述频率补偿单元的第一端连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地。在其中一个实施例中，所述开关单元包括NPN型三极管；所述NPN型三极管的基极分别连接所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端，所述NPN型三极管的集电极连接所述频率补偿单元的第一端，所述NPN型三极管的射极接地。在其中一个实施例中，所述频率补偿单元包括第二电容；所述第二电容的第一端连接所述第一NMOS的漏极，所述第二电容的第二端连接所述补偿设定电路。根据上述的频率补偿电路，本技术实施例中还提供了一种频率控制电路。一种频率控制电路，包括频率设定电路和所述的频率补偿电路，其中，所述频率设定电路包括低电平维持电路和关断控制电路；所述低电平维持电路的第一端和所述关断控制电路的第一端分别连接所述频率补偿单元的第二端；所述低电平维持电路的第二端用于连接PWM芯片的驱动引脚，所述关断控制电路的第二端用于连接PWM芯片的电压电流检测引脚；所述低电平维持电路用于根据所述频率补偿信号输出低电平维持时间至所述关断控制电路，所述关断控制电路用于根据所述低电平维持时间控制电路开关频率。上述的频率控制电路由于采用了上述的频率补偿电路，如此，也具有频率补偿电路相应的有益效果，即可以通过输入的电压信号来改变输出频率值，从而来改变电路的开关频率，减少了对电路器件的损耗。另外，使用方便，操作简单。在其中一个实施例中，所述低电平维持电路包括第四电阻、第五电阻、第六电阻和第二NMOS管；所述第四电阻的第一端连接所述第二NMOS管的栅极，且通过所述第五电阻接地，所述第四电阻的第二端用于连接所述PWM芯片的驱动引脚；所述第六电阻的第一端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第六电阻的第二端连接所述频率补偿单元的第二端；所述第二NMOS管的源极接地。在其中一个实施例中，所述关断控制电路包括第三电容、第四电容、二极管、第七电阻、第八电阻和第三NMOS管；所述第三电容的第一端连接所述频率补偿单元的第二端，所述第三电容的第二端接地；所述第四电容和所述第七电阻分别连接在所述第三NMOS管的栅极和源极之间，且所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接所述PWM芯片的电压电流检测引脚；所述二极管的正极连接所述第三NMOS管的栅极，所述二极管的负极分别连接所述频率补偿单元的第二端和所述第八电阻的第一端，所述第八电阻的第二端外接电源。在其中一个实施例中，所述二极管为肖特基二极管。附图说明图1为一个实施例中频率补偿电路的结构示意图；图2为一个实施例中频率补偿电路的结构示意图；图3为一个实施例中频率控制电路的结构示意图；图4为一个实施例中频率控制电路的结构示意图；图5为一个实施例中频率控制电路的工作电压波形结构示意图。具体实施方式下面将结合较佳实施例及附图对本技术的内容作进一步详细描述。显然，下文所描述的实施例仅解释本技术，而非对本技术的限定。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应当说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部内容。为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本进行更全面的描述。需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“一端”、“另一端”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本
的技术人员通常理解的含义相同。本文中说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。另外，本文中“第一”、“第二”、“第三”、“第四”只是为了区分所描述的对象，并不是对对象的限定。一种频率补偿电路，如图1所示，包括：电压采样电路10、开关单元20和频率补偿单元30；电压采样电路10的第一端(如图1中的VG)用于输入电压信号，电压采样电路10的第二端通过开关单元20连接频率补偿单元30的第一端；频率补偿单元30的第二端(如图1中的TOFF)用于连接频率设定电路200；开关单元20用于根据电压信号开启或关闭，频率补偿单元30用于在开关单元开启或关闭时输出相应的频率补偿信号至频率设定电路200。具体地，VG用于输入电压信号，电压信号通常为市电整流后的电压信号，即一般是90-264VAC整流后的电压，波形为脉动的直流电压，称为馒头波。电压采样电路10接收VG输入的电压信号，并将电压信号发送至开关单元20，开关单元20根据电压信号打开或关闭(导通或截止)，频率补偿单元30在开关单元20打开或关闭时，输出相应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种频率补偿电路，其特征在于，包括：电压采样电路、开关单元和频率补偿单元；所述电压采样电路的第一端用于输入电压信号，所述电压采样电路的第二端通过所述开关单元连接所述频率补偿单元的第一端；所述频率补偿单元的第二端用于连接频率设定电路；所述开关单元用于根据所述电压信号开启或关闭，所述频率补偿单元用于在所述开关单元开启或关闭时输出相应的频率补偿信号至所述频率设定电路。

【技术特征摘要】
1.一种频率补偿电路，其特征在于，包括：电压采样电路、开关单元和频率补偿单元；所述电压采样电路的第一端用于输入电压信号，所述电压采样电路的第二端通过所述开关单元连接所述频率补偿单元的第一端；所述频率补偿单元的第二端用于连接频率设定电路；所述开关单元用于根据所述电压信号开启或关闭，所述频率补偿单元用于在所述开关单元开启或关闭时输出相应的频率补偿信号至所述频率设定电路。2.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述电压采样电路包括第一电阻、第一电容和第二电阻；所述第一电阻的第一端用于输入所述电压信号，所述第一电阻的第二端连接所述开关单元；所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端分别连接所述开关单元，所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第二端分别接地。3.根据权利要求2所述的频率补偿电路，其特征在于，所述电压采样电路还包括：第三电阻；所述第一电阻的第二端通过所述第三电阻连接所述开关单元。4.根据权利要求3所述的频率补偿电路，其特征在于，所述开关单元包括第一NMOS管；所述第一NMOS管的栅极分别连接所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端，所述第一NMOS管的漏极连接所述频率补偿单元的第一端连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地。5.根据权利要求3所述的频率补偿电路，其特征在于，所述开关单元包括NPN型三极管；所述NPN型三极管的基极分别连接所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端，所述NPN型三极管的集电极连接所述频率补偿单元的第一端，所述NPN型三极管的射极接地。6.根据权利要求4所述的频率补偿电路，其特征在于，所述频率补偿单元包括第二电容；所述第二电容的第一端连接所述第一NMOS的漏极，所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44