屏蔽罩悬挂式真空灭弧室制造技术

提供一种屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，在瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ为圆筒状结构且位于瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ之间的固定环与瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ固定连接，所述瓷壳Ⅱ内部的触头外侧设有屏蔽罩且屏蔽罩上端与固定环固定连接。本实用新型专利技术通过将屏蔽罩上端与固定环钎焊固连为一体，去掉传统瓷壳的内台阶，将屏蔽罩与瓷壳的连接方式设计为悬挂式结构，解决了因屏蔽电极的电子束释放引起电子雪崩而使得瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ表面带电的现象，保证瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ沿面耐压水平，在保证屏蔽罩和电极之间有效距离的情况下，最大化的缩小了瓷壳Ⅱ与屏蔽罩之间的距离，从而缩小了真空灭弧室的外径，解决了瓷壳Ⅱ因内台阶引发的内应力问题而导致瓷壳Ⅱ开裂报废的现象，提高了产品的合格率。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽罩悬挂式真空灭弧室
本技术属于真空开关
，具体涉及一种屏蔽罩悬挂式真空灭弧室。
技术介绍
在真空灭弧室中，屏蔽罩不仅具有均压作用，更为重要的是吸收动、静触头在开断过程及弧后产生的金属蒸汽作用。保证弧后介质强度的恢复及瓷壳免受金属蒸汽的沉积污染，使真空灭弧室在经历多次短路电流开断后，仍能保持良好的绝缘性能，通常真空灭弧室屏蔽罩与动、静触头绝缘，其电位是悬浮的，而且有屏蔽罩相对于动、静触头的固定分布电容分布，在真空度较低时，屏蔽罩和触头电极之间就会发生放电现象。在较高真空度下，真空灭弧室运行的电极与屏蔽罩之间的等离子浓度很低，因此可以认为离子在扩散向屏蔽罩的过程中，不会发生碰撞和复合，当真空度下降时屏蔽罩与动、静触头之间的带电离子的扩散运动在一定程度上受影响，带电离子不易扩散和消失，容易在屏蔽罩和电极之间形成间歇的贯穿通道，放电进入非自持状态，由于触头与屏蔽罩之间是非均匀电场，而且真空灭弧室内最大的电场强度出现在触头表面边缘，随着真空度的降低，气体分子的增多，气体分子在强场区爆发的电离过程，在电场作用下，电子在其奔向阳极的过程中得到加速，动能增加，同时电子在其运动过程中又不断地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，具有瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)，其特征在于：所述瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)为圆筒状结构且位于瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)之间的固定环(4)与瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)固定连接，所述瓷壳Ⅱ(6)内部的触头(2)外侧设有屏蔽罩(3)且屏蔽罩(3)上端与固定环(4)固定连接。

【技术特征摘要】
1.屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，具有瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)，其特征在于：所述瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)为圆筒状结构且位于瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)之间的固定环(4)与瓷壳Ⅰ(5)和瓷壳Ⅱ(6)固定连接，所述瓷壳Ⅱ(6)内部的触头(2)外侧设有屏蔽罩(3)且屏蔽罩(3)上端与固定环(4)固定连接。2.根据权利要求1所述的屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，其特征在于：所述固定环(4)的截面为横置的L形结构，所述固定环(4)下端置于瓷壳Ⅱ(6)内且固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金洲，寇峰，
申请(专利权)人：宝鸡市晨光真空电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61