【技术实现步骤摘要】
无损同步吸收电路、升压和降压开关电源电路
本专利技术涉及开关电源
，特别涉及一种无损同步吸收电路、升压开关电源电路和降压开关电源电路。
技术介绍
在开关电源
中，开关电源的主要元器件为开关器件，由于开关器件在电源回路中需要通过导线与其它元器件电路连接，而导线、甚至开关器件的引脚存在寄生电感，则在开关器件的连接回路中导线的长度和宽度均影响寄生电感的大小，同时导线在印刷电路板中布局走线方式影响了寄生电感的大小。图1是开关器件输出回路的简易原理图。请参考图1，开关器件Q1通过导线与电容C1构成电流回路，由于导线及开关器件Q1的引脚、甚至电容C1的引脚存在寄生电感。图2为开关器件输出回路寄生电感的等效电路原理图，在开关器件Q1的串联回路中包括寄生电感Ls1和Ls2，并接在开关器件Q1两端的为开关器件Q1的寄生电容Coss，则在开关器件Q1截止时，根据寄生电感Ls1和Ls2两端的电流不能突变的特性，则寄生电感的电流i对开关器件Q1的寄生电容Coss进行充电，充电后就会在开关器件Q1的输出端引起尖峰电压，当较高的尖峰电压超过开关器件Q1的额定电压时，会导致开关器件...
【技术保护点】
1.一种无损同步吸收电路，其特征在于，包括与开关器件串联的第一二极管、总线电容、第二二极管，所述第一二极管的阴极和总线电容的公共交点与第二二极管的阳极和总线电容的公共交点之间连接有吸收电容，所述开关器件的接通或者断开由脉冲驱动信号控制；在开关器件断开时，所述第一二极管、吸收电容和第二二极管构成充电回路，用于使吸收电容通过第一二极管和第二二极管吸收开关器件产生的尖峰电压能量；所述吸收电容和总线电容构成放电回路，用于在吸收电容吸收的电压高于总线电容的电压时，对总线电容进行放电，以使吸收电容的电压能量反馈到总线电容上，实现电压能量的无损吸收。
【技术特征摘要】
1.一种无损同步吸收电路，其特征在于，包括与开关器件串联的第一二极管、总线电容、第二二极管，所述第一二极管的阴极和总线电容的公共交点与第二二极管的阳极和总线电容的公共交点之间连接有吸收电容，所述开关器件的接通或者断开由脉冲驱动信号控制；在开关器件断开时，所述第一二极管、吸收电容和第二二极管构成充电回路，用于使吸收电容通过第一二极管和第二二极管吸收开关器件产生的尖峰电压能量；所述吸收电容和总线电容构成放电回路，用于在吸收电容吸收的电压高于总线电容的电压时，对总线电容进行放电，以使吸收电容的电压能量反馈到总线电容上，实现电压能量的无损吸收。2.如权利要求1所述的无损同步吸收电路，其特征在于，所述放电回路中串联有电阻和/或电感。3.如权利要求1所述的无损同步吸收电路，其特征在于，所述充电回路串联有开关器件。4.如权利要求1或3所述的无损同步吸收电路，其特征在于，所述开关器件为结型场效应晶体管、双极型晶体管、绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽场效应晶体管、二极管、变压器、晶闸管或光电耦合器。5.如权利要求4所述的无损同步吸收电路，其特征在于，所述充电回路中的至少一个二极管采用结型场效应晶体管、双极型晶体管、绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或V型槽场效应晶体管替代，当替代充电回路中的至少一个二极管时，所述结型场效应晶体管、双极型晶体管、绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或V型槽场效应晶体管的导通方向与充电回路的电流方向相同。6.如权利要求5所述的无损同步吸收电路，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管集成有二极管。7.如权利要求6所述的无损同步吸收电路，其特征在于，所述充电回路中的至少一个二极管采用集成有二极管的绝缘栅双极型晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁媛，李跃松，张迪，李佳航，
申请(专利权)人：宁波市北仑临宇电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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