一种电池充电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电池充电装置。一种电池充电装置包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二电阻和电池。利用本发明专利技术提供的电池充电装置一方面温度系数小，另一方面元器件种类少，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种电池充电装置
本专利技术涉及电子
，尤其涉及到电池充电装置。
技术介绍
电池充电电流随温度的变化越小，充电装置的稳定性越高；同时对于充电装置来说，元器件用的种类越多，制造成本越高。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种温度系数小和元器件种类少的电池充电装置。一种电池充电装置，包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二电阻和电池：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NMOS管的源极，源极接所述第一PMOS管的源极；所述第一PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管的源极；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第二电阻的一端接所述第三PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。所述第三NMOS管和所述第一PMOS管都处于线性状态，通过调节宽长比来调节沟道电阻，同时利用NMOS管的阈值电压、NMOS管的沟道电阻和PMOS管的沟道电阻的温度特性，即：NMOS管的阈值电压呈负温度系数，NMOS管的沟道电阻呈正温度系数，PMOS管的沟道电阻呈负温度系数；通过调节这三个的温度系数来达到低温度系数的充电电流，在所述第三NMOS管和所述第一PMOS管上电流通过所述第二PMOS管镜像给所述第三PMOS管对所述电池进行充电；所述第二电阻起到限流作用。附图说明图1为本专利技术的电池充电装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种电池充电装置，如图1所示，包括第一电阻101、第一NMOS管102、第二NMOS管103、第三NMOS管104、第一PMOS管105、第二PMOS管106、第三PMOS管107、第二电阻108和电池109：所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第二NMOS管103的栅极；所述第一NMOS管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第二NMOS管103的栅极，源极接地；所述第二NMOS管103的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极，漏极接所述第二PMOS管106的栅极和漏极和所述第三PMOS管107的栅极，源极接所述第三NMOS管104的漏极；所述第三NMOS管104的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NMOS管103的源极，源极接所述第一PMOS管105的源极；所述第一PMOS管105的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管104的源极；所述第二PMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管103的漏极和所述第三PMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管107的栅极接所述第二NMOS管103的漏极和所述第二PMOS管106的栅极和漏极，漏极接所述第二电阻108的一端，源极接电源电压VCC；所述第二电阻108的一端接所述第三PMOS管107的漏极，另一端接所述电池109的正极；所述电池109的正极接所述第二电阻108的一端，负极接地。所述第三NMOS管104和所述第一PMOS管105都处于线性状态，通过调节宽长比来调节沟道电阻，同时利用NMOS管的阈值电压、NMOS管的沟道电阻和PMOS管的沟道电阻的温度特性，即：NMOS管的阈值电压呈负温度系数，NMOS管的沟道电阻呈正温度系数，PMOS管的沟道电阻呈负温度系数；通过调节这三个的温度系数来达到低温度系数的充电电流，在所述第三NMOS管104和所述第一PMOS管105上电流通过所述第二PMOS管106镜像给所述第三PMOS管对所述电池109进行充电；所述第二电阻108起到限流作用。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池充电装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二电阻和电池；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NMOS管的源极，源极接所述第一PMOS管的源极；所述第一PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管的源极；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第二电阻的一端接所述第三PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种电池充电装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二电阻和电池；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆生，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33