继电器驱动装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种继电器驱动装置。继电器驱动装置包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NPN管、第二NPN管和继电器KA。利用本发明专利技术可以限制继电器驱动电流，对继电器进行保护，电路结构简单，易于实现。

【技术实现步骤摘要】
继电器驱动装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到继电器驱动装置。
技术介绍
现有技术对驱动电流的限制电路复杂，占芯片面积大，功耗高，针对这些方面设计了一种利用PMOS管的阈值电压来限制驱动电流的继电器驱动装置。
技术实现思路
继电器驱动装置，包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NPN管、第二NPN管和继电器KA：所述第一PMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，漏极接所述第一电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极，另一端接地；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第三电阻的一端和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第三电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述继电器KA的线圈部分的一端，发射极接地；所述继电器KA的线圈部分的一端接所述第二NPN管的集电极，另一端接电源电压VCC。所述第二电阻、所述第三电阻和所述第一NPN管从电源到地之间构成通路产生电流，通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管驱动所述继电器KA；所述第二电阻两端的电压受到所述第一PMOS管的阈值电压所限制，也即是所述第二电阻上的电流等于所述第一PMOS管的阈值电压除以所述第二电阻的电阻值，这样就限制了驱动继电器的电流。附图说明图1为本专利技术的继电器驱动装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种继电器驱动装置，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一电阻102、第二电阻103、第三电阻104、第一NPN管105、第二NPN管106和继电器KA：所述第一PMOS管101的栅极接所述第二电阻103的一端和所述第三电阻104的一端，漏极接所述第一电阻102的一端，源极接电源电压VCC；所述第一电阻102的一端接所述第一PMOS管101的漏极，另一端接地；所述第二电阻103的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻104的一端和所述第一PMOS管101的栅极；所述第三电阻104的一端接所述第二电阻103的一端和所述第一PMOS管101的栅极，另一端接所述第一NPN管105的基极和集电极和所述第二NPN管106的基极；所述第一NPN管105的基极和集电极接在一起再接所述第三电阻104的一端和所述第二NPN管106的基极，发射极接地；所述第二NPN管106的基极接所述第三电阻104的一端和所述第一NPN管105的基极和集电极，集电极接所述继电器KA的线圈部分的一端，发射极接地；所述继电器KA的线圈部分的一端接所述第二NPN管106的集电极，另一端接电源电压VCC。所述第二电阻103、所述第三电阻104和所述第一NPN管105从电源到地之间构成通路产生电流，通过所述第一NPN管105镜像给所述第二NPN管106驱动所述继电器KA；所述第二电阻103两端的电压受到所述第一PMOS管101的阈值电压所限制，也即是所述第二电阻103上的电流等于所述第一PMOS管101的阈值电压除以所述第二电阻103的电阻值，这样就限制了驱动继电器的电流。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.继电器驱动装置，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NPN管、第二NPN管和继电器KA；所述第一PMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，漏极接所述第一电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极，另一端接地；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第三电阻的一端和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第三电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述继电器KA的线圈部分的一端，发射极接地；所述继电器KA的线圈部分的一端接所述第二NPN管的集电极，另一端接电源电压VCC。

【技术特征摘要】
1.继电器驱动装置，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NPN管、第二NPN管和继电器KA；所述第一PMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，漏极接所述第一电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极，另一端接地；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极；所述第三电阻的一端接所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文建，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33