一种低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置，所述的低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置包括进料真空室，待熔料柱，熔炼真空室，水冷铜坩埚，吸氧剂放置装置，电子束铸锭熔池，真空抽口，所述的电子束铸锭熔池设置在水冷铜坩埚的中心，所述的吸氧剂放置装置设置在电子束铸锭熔池和真空抽口之间，所述的吸氧剂放置装置内放置有吸氧剂颗粒，且所述的吸氧剂放置装置四周设置有通气小孔。本实用新型专利技术能够在熔炼环境中放置镁、钙、锂等夺氧能力比钛更强的吸氧剂，熔炼过程中捕收钛本体及真空环境中的氧，阻止氧与钛反应，从而减少高纯钛锭中的氧含量，显著提升高纯钛锭产品品质。

An Electron Beam Melting Device for Low Oxygen and High Purity Titanium Ingot

The utility model discloses an electron beam melting device for low oxygen and high purity titanium ingots. The electron beam melting device for low oxygen and high purity titanium ingots includes a feeding vacuum chamber, a column to be melted, a melting vacuum chamber, a water-cooled copper crucible, an oxygen absorbent placement device, an electron beam ingot melting pool and a vacuum suction port. The electron beam ingot melting pool is located in the center of the water-cooled copper crucible. The placement device is arranged between the molten pool of the electron beam ingot and the vacuum suction port. The oxygen absorber placement device is equipped with oxygen absorber particles, and the oxygen absorber placement device is surrounded by ventilation holes. The utility model can place magnesium, calcium, lithium and other oxygen absorbents with stronger oxygen capture ability than titanium in the smelting environment, collect oxygen in the titanium body and vacuum environment during the smelting process, prevent oxygen from reacting with titanium, thereby reducing oxygen content in high purity titanium ingots, and significantly improving the product quality of high purity titanium ingots.

【技术实现步骤摘要】
一种低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置
本技术属于高熔点金属提纯加工
，进一步属于电子束熔炼
，具体涉及一种低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置。
技术介绍
随着电子工业和航空航天工业的蓬勃发展，对高纯钛的需求与日剧增。所谓高纯钛是指杂质含量较低、纯度为99.99%的钛材，纯度在99.995%以上的称为超高纯钛。由于微电子行业的特殊用途，需要氧等间隙杂质元素尽可能低，因为含氧量增加，会使用高纯钛制备的集成电路电阻明显增大，线路变脆、变硬，发生短路、断路，导致集成电路失效、报废。在高纯钛的制备工艺流程中，每个环节都可能增氧，均需要严格的工艺控制条件。目前高纯钛的制备方法有很多，传统的碘化法、熔盐电解法、电子束精练、电子束区域精炼仍是工业高纯钛的主要生产方法。制备高纯钛的各种方法中，去除杂质元素的能力各不相同，电子束熔练法产品呈铸锭，该法除铝、锌、锰等元素效果好，但除铁、镍等重金属和氧等间隙元素效果差；碘化法、熔盐电解法产品呈枝晶状，该法除铁、镍和氧效果好。其他方法还处于实验室摸索阶段，尚不成熟。随着半导体器件对重金属、碱金属、放射性元素、间隙杂质含量提出了愈来愈高的要求，开发应用复合工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置，其特征在于包括进料真空室（1），待熔料柱（2），熔炼真空室（3），水冷铜坩埚（4），吸氧剂放置装置（5），电子束铸锭熔池（6），真空抽口（13），所述的电子束铸锭熔池（6）设置在水冷铜坩埚（4）的中心，所述的吸氧剂放置装置（5）设置在电子束铸锭熔池（6）和真空抽口（13）之间，所述的吸氧剂放置装置（5）内放置有吸氧剂颗粒（11），且所述的吸氧剂放置装置（5）四周设置有通气小孔（14）。

【技术特征摘要】
1.一种低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置，其特征在于包括进料真空室（1），待熔料柱（2），熔炼真空室（3），水冷铜坩埚（4），吸氧剂放置装置（5），电子束铸锭熔池（6），真空抽口（13），所述的电子束铸锭熔池（6）设置在水冷铜坩埚（4）的中心，所述的吸氧剂放置装置（5）设置在电子束铸锭熔池（6）和真空抽口（13）之间，所述的吸氧剂放置装置（5）内放置有吸氧剂颗粒（11），且所述的吸氧剂放置装置（5）四周设置有通气小孔（14）。2.根据权利要求1所述的低氧高纯钛锭的电子束熔炼装置，其特征在于所述的吸氧剂放置装置（5）通过支撑板（8）、压盘螺栓（7）固接在水冷铜坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：方树铭，杨芃，辜锋，杜波，李俊，李玉章，梁智，王应武，田明东，
申请(专利权)人：昆明冶金研究院，
类型：新型
国别省市：云南,53