双侧电路制造技术

本公开提供了电路和用于制造电路的方法。电路可以包括具有第一表面、第二表面、外围的绝缘体，布置在第一表面上的电路元件的第一子集，布置在第二表面上的电路的第二子集，以及布置在所述外围上的至少一个导电侧壁，其中所述导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双侧电路
本公开的一些方面通常涉及无线通信装置，并且更特别地涉及双面电路。
技术介绍
无线通信装置常规地包括大量电路，其例如包括一个或多个多路复用器。通常，多路复用器可以将输入信号或输出信号分离成多个相异的频带。例如，无线通信装置可以包括将输入信号或输出信号分离成与不同带宽相关的两个频带的多路复用器。不同的带宽可以分别居中在例如第一频率和第二频率上，其中第一频率高于第二频率。这些带宽可以分别称作高频带和低频带。每个电路可以包括无源部件，例如电容器和电感器。在多路复用器中，例如，无源部件可以被配置用于将输入信号或输出信号分离成高频分量(也即在高频带内的信号分量)和低频分量(也即在低频带内的信号分量)。无线通信装置可以包括多个多路复用器，例如用于无线局域网(WLAN)连接性(例如根据Wi-Fi连接协议)的第一多路复用器以及用于无线广域网(WWAN)连接性(例如根据长期演进或LTE连接协议)的第二多路复用器。在无线通信装置的领域存在对于趋向于具有大型无源部件(诸如，例如，电感器)的更小电路尤其是多路复用器的需求。也需要提高电路的性能。例如，在一些现有的多路复用器配置中，两个电感器的相对邻近可以引起串扰，由此当信号穿过多路复用器时使信号失真。
技术实现思路
在一个方面中，本公开提供了一种电路设备。电路设备可以包括具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体，布置在第一表面上的电路元件的第一子集，布置在第二表面上的电路元件的第二子集，以及布置在外围上的至少一个导电侧壁，其中导电侧壁将电路元件的第一子集电耦合至电路元件的第二子集。在另一方面中，本公开提供了一种制造电路设备的方法。方法可以包括：提供具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体，在第一表面上布置电路元件的第一子集，在第二表面上布置电路元件的第二子集，以及在外围上布置至少一个导电侧壁，其中导电侧壁将电路元件的第一子集电耦合至电路元件的第二子集。附图说明当通过参考结合单纯为了说明而非限制本专利技术所展示的附图考虑以下详细说明书而使得本公开的一些方面和许多附图变得更好理解时，更易于获得对其的更完整理解，以及其中：图1一般地说明了根据本公开的一些方面的多路复用器的示意图。图2一般地说明了用于实施多路复用器的常规平面电路布局。图3A一般地说明了用于实施根据本公开的一些方面的多路复用器的双面电路布局的顶部立体视图。图3B一般地说明了图3A的双面电路布局的顶视图。图3C一般地说明了图3A-图3B的双面电路布局的底面立体视图。图3D一般地说明了图3A-图3C的双面电路布局的底视图。图4一般地说明了用于实施根据本公开另一些方面的多路复用器电路的双面电路布局的侧视图。图5一般地说明了用于实施根据本公开的又一些方面的多路复用器电路的双面电路布局的侧视图。图6一般地说明了用于制造具有根据本公开的又一些方面的双面电路布局的多路复用器的流程图。图7一般地说明了示出其中可以有利地采用本公开的一些方面的示例性无线通信系统的方框图。图8一般地说明了示出用于所公开半导体IC封装的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的方框图。具体实施方式在涉及本公开具体一些方面的以下说明书和相关附图中公开了本公开的一些方面。可以设计备选一些方面而并未脱离本专利技术的范围。额外地，将不会详细描述或将省略本专利技术的广泛已知要素以便于不模糊本专利技术的相关细节。在此使用词语“示例性”和/或“示例”以意味着“用作示例、实例或说明”。在此描述为“示例性”和/或“示例”的任何一些方面不必构造为在其他一些方面之上优选或有利的。同样，术语“本公开的一些方面”并未要求本专利技术的所有方面包括所公开的特征、优点或操作模式。如在此所使用的，术语“垂直”通常相对于其上形成了半导体封装的衬底或载板的表面而定义。衬底或载板将通常定义“水平”平面，以及垂直方向近似于粗略地正交于水平面的方向。图1一般地说明了根据本公开的一些方面的电路100的示意图。电路100可以例如是多路复用器。电路100可以包括电路元件的第一子集111a-111e(可以统称为电路元件的第一子集111)和电路元件的第二子集121a-121g(可以统称为电路元件的第二子集121)。电路元件的第一子集111和电路元件的第二子集121可以均包括经由导电迹线相互耦合的多个无源电部件(例如电容器和电感器)。导电迹线可以被配置为在电路100的各个部件之间形成直接电耦合。电路100可以进一步包括多个端子131a-131e(可以统称为电路元件的第一子集111)。如图1中所示，多个端子131可以包括LB端子131a(其中“LB”代表低频带)，HB端子131b(其中“HB”代表高频带)，以及天线端子131c。多个端子131可以进一步包括一个或多个接地端子，例如，第一接地端子131d和第二接地端子131e。如图1中所示，LB端子131a可以经由电路元件的第一子集111而耦合至天线端子131c和一个或多个接地端子。具体而言，LB端子131a可以经由导电迹线耦合至第一LB电容器111a、第一LB电感器111b和第二LB电容器111c。第一LB电容器111a可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子，例如，第二接地端子131e。第一LB电感器111b和第二LB电容器111c可以并联布置并且可以经由导电迹线耦合至第三LB电感器111d和第二LB电感器111e。第三LB电感器111d可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子，例如，第一接地端子131d。第二LB电感器111e可以经由导电迹线耦合至天线端子131c。应该理解，尽管电路元件的第一子集111可以包括第一LB电容器111a、第一LB电感器111b、第二LB电容器111c、第三LB电容器111d以及第三LB电感器111e中的一个或多个，如图1中所示，但是电路元件的第一子集111可以包括比图1中出现的更少的部件，或者除了所列出那些之外更多的部件。HB端子131b可以经由电路元件的第二子集121耦合至天线端子131c和一个或多个接地端子。具体而言，HB端子131b可以经由导电迹线耦合至第一HB电容器121a、第一HB电感器121b、和第二HB电容器121c。第一HB电容器121a可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子，例如第一接地端子131d。第一HB电感器121b和第二HB电容器121c可以并联布置，并且可以经由导电迹线耦合至第三HB电容器121d、第二HB电感器121e、以及第四HB电容器121f。第三HB电容器121d和第二HB电感器121e可以并联布置并可以经由导电迹线耦合至第五HB电容器121g。第五HB电容器121g可以耦合至一个或多个接地端子，例如，第二接地端子131e。第四HB电容器121f可以经由导电迹线耦合至天线端子131c。应该理解，尽管电路元件的第二子集121可以包括第一HB电容器121a、第一HB电感器121b、第二HB电容器121c、第三HB电容器121d、第二HB电感器121e、第四HB电容器121f和第五HB电容器121g中的一个或多个，如图1中所示，但是电路元件的第二子集121可以包括比图1中出现的更少的部件，或者除了所列出的那些之外更多的部件。在一些实施方式中，电路元件的第一子集111可以被配置为对从LB端子131a或天线端子131c接收本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路设备，包括：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围；电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上；电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上；以及至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.20 US 15/161,1381.一种电路设备，包括：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围；电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上；电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上；以及至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集。2.根据权利要求1所述的电路设备，其中：所述绝缘体包括玻璃；以及所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。3.根据权利要求1所述的电路设备，其中，所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。4.根据权利要求1所述的电路设备，其中：所述电路元件的第一子集包括第一电感器和第一电容器；以及所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。5.根据权利要求4所述的电路设备，其中，所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。6.根据权利要求4所述的电路设备，其中，所述电路设备进一步包括在所述绝缘体的所述第一表面上的第一中间绝缘体以及在所述绝缘体的所述第二表面上的第二中间绝缘体，以及其中：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层；以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。7.根据权利要求4所述的电路设备，其中：所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层；以及所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。8.根据权利要求7所述的电路设备，其中，所述电路设备进一步包括在所述绝缘体的所述第一表面上的第一中间绝缘体以及在所述绝缘体的所述第二表面上的第二中间绝缘体，所述第一电容器嵌入在所述第一中间绝缘体中并且所述第二电容器嵌入在所述第二中间绝缘体中，其中：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层；以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。9.根据权利要求8所述的电路设备，进一步包括：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器；以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。10.根据权利要求1所述的电路设备，其中，所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集；高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集；以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。11.一种制造电路设备的方法，所述方法包括：提供具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体；在所述第一表面上布置电路元件的第一子集；在所述第二表面上布置电路元...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·H·芸，D·F·伯迪，左丞杰，D·D·金，金钟海，M·F·维勒兹，N·S·穆达卡特，R·P·米库尔卡，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US