半导体制造技术

本发明专利技术涉及包含一种式‑[Ar

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体本专利技术涉及包含式(I)重复单元的聚合物及其作为有机半导体的用途，其用于有机器件中，尤其是用于有机光伏器件和光电二极管中，或者用于含有二极管和/或有机场效晶体管的器件中。本专利技术聚合物可具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性。此外，当本专利技术聚合物用于有机场效晶体管、有机光伏器件和光电二极管中时，可观察到高能量转化效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。基于二酮基吡咯并吡咯(DPP)的聚合物和共聚物描述于例如US6451459、WO05/049695、WO08/000664、EP2075274A1、WO2010/049321、WO2010/049323、WO2010/108873、WO2010/115767、WO2010/136352、WO2011/144566和WO2011/144566中。基于异靛的聚合物和共聚物描述于例如WO2009/053291、PCT/IB2015/055118、US2014/0011973和PCT/EP2016/050801中。基于萘酰亚胺的聚合物和共聚物描述于例如WO2009098253中。基于苝酰亚胺的聚合物和共聚物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚合物，其包含下式的重复单元：‑[Ar3]c‑[Ar2]b‑[Ar1]a‑Y(R1)n1(R2)n2‑[Ar1’]a’‑[Ar2’]b’‑[Ar3’]c’‑(I)其中：a为0、1、2或3，a’为0、1、2或3；b为0、1、2或3；b’为0、1、2或3；c为0、1、2或3；c’为0、1、2或3；n1为1或2，n2为1或2，Y为可任选取代的二价杂环基或环体系，Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3及Ar3’彼此独立地为可任选取代的C6‑C24亚芳基或可任选取代的C2‑C20亚杂芳基；R1及R2在每次出现时彼此独立地为氢、C5‑C12环烷基、COR38、C1‑C50烷基、C3‑C50烯基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.25 EP 16171347.41.一种聚合物，其包含下式的重复单元：-[Ar3]c-[Ar2]b-[Ar1]a-Y(R1)n1(R2)n2-[Ar1’]a’-[Ar2’]b’-[Ar3’]c’-(I)其中：a为0、1、2或3，a’为0、1、2或3；b为0、1、2或3；b’为0、1、2或3；c为0、1、2或3；c’为0、1、2或3；n1为1或2，n2为1或2，Y为可任选取代的二价杂环基或环体系，Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3及Ar3’彼此独立地为可任选取代的C6-C24亚芳基或可任选取代的C2-C20亚杂芳基；R1及R2在每次出现时彼此独立地为氢、C5-C12环烷基、COR38、C1-C50烷基、C3-C50烯基或C3-C50炔基，其可任选被以下基团取代一或多次：C1-C12烷氧基、卤素、C5-C8环烷基、氰基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或甲硅烷基；和/或可任选进一步被一个或多个以下基团间隔：-O-、-S-、-NR39-、-CONR39-、-NR39CO-、-COO-、-CO-或-OCO-，或者为下式的基团：i为1-18的整数，R70、R71及R72彼此独立地为氢、C1-C50烷基、C5-C12环烷基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、C2-C50烯基或C2-C50炔基，其可任选被以下基团取代一或多次：C1-C12烷氧基、卤素(尤其是F)、C5-C8环烷基、氰基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或甲硅烷基；和/或可任选进一步被一个或多个以下基团间隔：-O-、-S-、-NR39-、-CONR39-、-NR39CO-、-COO-、-CO-或-OCO-；条件是取代基R70、R71及R72中的至少一个不同于氢；R38为C1-C50烷基、C2-C50烯基、C2-C50炔基或C1-C50烷氧基，其可任选被以下基团取代一或多次：C1-C12烷氧基、卤素、C5-C8环烷基、氰基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或甲硅烷基；和/或可任选进一步被一个或多个以下基团间隔：-O-、-S-、-NR39-、-CONR39-、-NR39CO-、-COO-、-CO-或-OCO-，且R39为氢、C1-C25烷基、C1-C18卤代烷基、C7-C25芳烷基或C1-C18酰基，条件是R1及R2中的至少一个为式(II)基团。2.根据权利要求1的聚合物，其中-Y(R1)n1(R2)n2-为下式的基团：其可任选被取代，其中R1及R2如权利要求1所定义且R1’及R2’具有R1的含义，条件是在-Y(R1)n1(R2)n2-为式基团的情况下，a和a‘不为0。3.根据权利要求1或2的聚合物，其中Ar1及Ar1’彼此独立地为下式的基团：其中：R3及R3’彼此独立地为氢、卤素、卤代C1-C25烷基，尤其为CF3、氰基、可任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其为C3-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；R4、R4’、R5、R5’、R6及R6’彼此独立地为氢、卤素、卤代C1-C25烷基，尤其为CF3、氰基、可任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其为C3-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；R7、R7’、R9及R9’彼此独立地为氢、可任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其为C3-C25烷基；或C7-C25芳烷基，R8及R8’彼此独立地为氢、C6-C18芳基；被C1-C25烷基或C1-C25烷氧基取代的C6-C18芳基；或可任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其为C3-C25烷基；或C7-C25芳烷基，R11及R11’彼此独立地为C1-C25烷基，尤其为C1-C8烷基、C7-C25芳烷基或苯基，其可被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次；R12及R12’彼此独立地为氢、卤素、氰基、可任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其为C3-C25烷基；C1-C25烷氧基、C7-C25芳烷基或其中：R13为C1-C10烷基或三(C1-C8烷基)甲硅烷基；R103'为可任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其为C3-C25烷基，且R114及R114’彼此独立地为氢、氰基、COOR103'、C1-C25烷基或C6-C14芳基或C2-C20杂芳基。4.根据权利要求1-3中任一项的聚合物，其中Ar2、Ar2’、Ar3及Ar3’彼此独立地具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·哈约兹，D·克尔布莱因，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE