【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】脱模膜
本专利技术涉及脱模膜。
技术介绍
近年来,随着电子设备的小型化发展,要求半导体元件表面的高密度搭载技术的进一步提高。因此,近年来,采用多段层叠有多个半导体元件的、所谓的堆栈封装型的半导体装置。在这样的堆栈封装型的半导体装置中,半导体元件以集成的状态配置,因此可能产生由外部噪声引起的问题(电磁波障碍)。这样的噪声问题随着电子设备的数字化、高速化和高频化发展而变得显著。因此,为了抑制由噪声带来的影响,提出了将用于屏蔽电磁波的电磁波屏蔽片形成于对半导体元件进行密封的密封材上的技术(例如,参照专利文献1)。作为电磁波屏蔽片的形成方法,例如已知专利文献2中记载的半导体装置的制造方法。该制造方法中,在通过使用了上模和下模的传递成型并利用密封材对半导体元件进行密封的工序中,在配置于上模的离型膜(releasefilm)(载体膜)涂布用于形成电磁波屏蔽片的材料,将该材料转印至密封材上并使其固化,从而形成电磁波屏蔽片。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4133637号公报专利文献2:日本特开2007-287937号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而,在专利文献 ...
【技术保护点】
1.一种脱模膜,其包含支撑体以及电磁波屏蔽片,所述支撑体包含基材和配置于所述基材上的粘着层,所述电磁波屏蔽片配置于所述支撑体的所述粘着层上,并且所述粘着层与所述电磁波屏蔽片之间的剥离力为0.10N/50mm~2.00N/50mm。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.20 JP 2016-1018211.一种脱模膜,其包含支撑体以及电磁波屏蔽片,所述支撑体包含基材和配置于所述基材上的粘着层,所述电磁波屏蔽片配置于所述支撑体的所述粘着层上,并且所述粘着层与所述电磁波屏蔽片之间的剥离力为0.10N/50mm~2.00N/50mm。2.根据权利要求1所述的脱模膜,所述电磁波屏...
【专利技术属性】
技术研发人员:石岛英明,柳田裕贵,
申请(专利权)人:日立化成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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