半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，在基板的表面配置有第三上侧以及第三马达继电器。另外，在基板的背面配置有第三分流电阻以及第三下侧。在基板设置有将布线和布线电连接的导通孔。由此，第三上侧的源极电极以及第三马达继电器的漏极电极与第三下侧的源极电极之间通过导通孔电连接。

Semiconductor Device

A semiconductor device is provided with a third upper side and a third motor relay on the surface of the substrate. In addition, a third shunt resistance and a third lower side are arranged on the back of the base plate. A through hole for connecting wiring and wiring is arranged on the base plate. Thus, the source electrode on the third upper side and the drain electrode of the third motor relay are electrically connected with the source electrode on the third lower side through a through hole.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请主张于2007年6月15日提出的日本专利申请2017-117719号的优先权，并在此引用其全部内容。
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
电动助力转向装置具有作为辅助力的产生源的马达。马达例如被驱动电路驱动。驱动电路通过配置于基板上的生成三相交流电的开关元件组构成。另外，在日本特开2010－195219号公报所示的驱动电路中，作为各相(U相、V相、W相)的驱动电路的构成要素的场效应晶体管(FET)配置在基板上。在基板上配置FET的情况下，通常在基板的一个面配置为各相的驱动电路相邻(参照作为比较例的图6)。该情况下，例如从电池供给的电力通过U相的驱动电路传递到马达后，通过W相的驱动电路传递到接地。在这样的路径中，电流流经的路径长度(布线回路)最大，对于该布线回路的交链磁通也变大。而且，若驱动电路的交链磁通变大，则开关中的浪涌电压变大。另外，转矩波动也变大。因此，寻求减小驱动电路的交链磁通的方法。此外，并不限于布线回路最大时，对于例如从电池供给的电力通过U相的驱动电路传递到马达后，通过V相的驱动电路传递到接地这样的情况，减小交链磁通也有意义。是因为该情况下也能够减小开关中的浪涌电压。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供能够进一步减小交链磁通的半导体装置。本专利技术的一个方式的半导体装置的结构特征在于，具有：基板；以及多个半桥，配置于上述基板，与电源连接的上侧开关元件和被接地的下侧开关元件串联连接而成，上述多个半桥被并联配置，在上述的半导体装置中，在上述基板的第一面配置有至少一个上述上侧开关元件，在上述基板的与上述第一面相反侧的第二面配置有上述下侧开关元件，在上述基板设置有将属于同一上述半桥的上述上侧开关元件和上述下侧开关元件电连接的路径，上述路径具有贯通上述基板的部分。附图说明通过以下参照附图对本专利技术的优选实施方式进行的详细描述，本专利技术的上述和其它特征、构成要素、过程、步骤、特性及优点会变得更加清楚，其中，相同的附图标记表示相同的元件，其中：图1是表示使用第一实施方式的驱动电路的车辆用驱动装置的概略结构的电路图。图2A是表示从基板的表面观察第一实施方式的驱动电路时的概略结构的结构图。图2B是表示图2A中W相驱动电路的概略剖面的剖视图。图3A是对配置于基板的上侧MOS与下侧MOS的位置关系进行说明的图。图3B作为比较例，是对配置于基板的下侧MOS与分流电阻的位置关系进行说明的图。图4A是表示第一实施方式的驱动电路的开关元件的概略构成的结构图。图4B是表示其他的实施方式的驱动电路的开关元件的概略构成的结构图。图4C是表示其他的实施方式的驱动电路的开关元件的概略构成的结构图。图5A是表示在第一实施方式的驱动电路中，导通孔附近的下侧MOS对基板的安装结构的结构图。图5B是表示在其他的实施方式的驱动电路中，导通孔附近的下侧MOS对基板的安装结构的结构图。图6是用于对比较例的驱动电路，说明驱动电路中产生的交链磁通的大小的俯视图。图7A是对第一实施方式的驱动电路，说明驱动电路中产生的交链磁通的大小的俯视图。图7B是局部地表示沿着图7A的7b－7b剖面线的U相驱动电路以及W相驱动电路的示意剖视图。图8A是表示从基板的表面观察第二实施方式的驱动电路时的概略构成的结构图。图8B是表示图8A中W相驱动电路的概略剖面的剖视图。图9A是表示从基板的表面观察其他的实施方式的驱动电路时的概略构成的结构图。图9B是表示图9A中W相驱动电路的概略剖面的剖视图。具体实施方式以下，对将作为半导体装置的驱动电路应用于车辆用的驱动装置的第一实施方式进行说明。图1所示的驱动装置1是用于向用于对车辆的转向操纵系统赋予辅助力的马达2(供电对象)供给电力的装置。作为马达2，采用了3相(U相、V相、W相)的无刷马达。驱动装置1具备向马达2供给电力的驱动电路3和控制驱动电路3的动作的微型计算机4(微型计算机)。驱动电路3具有多个开关元件。驱动电路3通过将多个开关元件接通或者断开，来将来自车载的电池11的直流电力转换成三相交流电。此外，作为开关元件，采用了MOS－FET(场效应晶体管：metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistor)。驱动电路3具有连接于电池侧的第一～第三上侧MOS12Hu、12Hv、12Hw以及连接于接地侧的第一～第三下侧MOS12Lu、12Lv、12Lw。驱动电路3通过以2个开关元件为1组的第一～第三开关臂13u、13v、13w并联连接而形成。第一开关臂13u将第一上侧MOS12Hu和第一下侧MOS12Lu串联连接而成。第二开关臂13v将第二上侧MOS12Hv和第二下侧MOS12Lv串联连接而成。第三开关臂13w将第三上侧MOS12Hw和第三下侧MOS12Lw串联连接而成。第一～第三上侧MOS12Hu、12Hv、12Hw的漏极电极de分别经由漏极布线15u、15v、15w与电池11连接。第一～第三下侧MOS12Lu、12Lv、12Lw的源极电极se分别经由源极布线16u、16v、16w与接地连接。另外，第一～第三上侧MOS12Hu、12Hv、12Hw的源极电极se和第一～第三下侧MOS12Lu、12Lv、12Lw的漏极电极de经由中间布线17u、17v、17w相互连接。而且，中间布线17u、17v、17w(第一～第三开关臂13u、13v、13w的中点)分别经由动力线18u、18v、18w与各相的马达线圈2u、2v、2w连接。微型计算机4分别经由栅极布线19u、19v、19w、22u、22v、22w与第一～第三上侧MOS12Hu、12Hv、12Hw以及第一～第三下侧MOS12Lu、12Lv、12Lw的栅电极ge连接。微型计算机4获取例如由车载的各种传感器检测到的转向操纵转矩、马达2的旋转角等状态量，并基于这些状态量生成马达控制信号(电压信号)。然后，微型计算机4通过对各栅电极ge施加马达控制信号，来控制第一～第三上侧MOS12Hu、12Hv、12Hw以及第一～第三下侧MOS12Lu、12Lv、12Lw的导通截止。第一～第三上侧MOS12Hu、12Hv、12Hw以及第一～第三下侧MOS12Lu、12Lv、12Lw根据马达控制信号导通截止。由此，电池11的直流电力被转换成3相交流电力。该转换后的3相交流电力经由动力线18u、18v、18w供给到马达2。另外，在驱动电路3设置有第一～第三马达继电器14u、14v、14w。第一～第三马达继电器14u、14v、14w设置于动力线18u、18v、18w的中途。作为第一～第三马达继电器14u、14v、14w，例如采用了MOS－FET。此外，第一～第三马达继电器14u、14v、14w通常维持在导通状态。这些第一～第三马达继电器14u、14v、14w例如在驱动电路3中产生断线故障或短路故障等的情况下切换到截止状态。驱动电路3与马达2之间的供电路径(动力线18u、18v、18w)被切断，从而从驱动电路3向马达2的供电被切断。第一～第三马达继电器14u、14v、14w的栅电极ge分别经由栅极布线20u、20v、20w与微型计算机4连接。微型计算机4通过施加或者停止电压信号，来控制第一～第三马达继电器14u、14v、14w的导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具有：基板；以及多个半桥，它们配置于上述基板，将与电源连接的上侧开关元件和接地的下侧开关元件串联连接，上述多个半桥并联地配置，在上述基板的第一面配置有至少一个上述上侧开关元件，在上述基板的与上述第一面相反侧的第二面配置有上述下侧开关元件，在上述基板设置有将属于同一上述半桥的上述上侧开关元件和上述下侧开关元件电连接的路径，上述路径具有贯通上述基板的部分。

【技术特征摘要】
2017.06.15 JP 2017-1177191.一种半导体装置，其中，具有：基板；以及多个半桥，它们配置于上述基板，将与电源连接的上侧开关元件和接地的下侧开关元件串联连接，上述多个半桥并联地配置，在上述基板的第一面配置有至少一个上述上侧开关元件，在上述基板的与上述第一面相反侧的第二面配置有上述下侧开关元件，在上述基板设置有将属于同一上述半桥的上述上侧开关元件和上述下侧开关元件电连接的路径，上述路径具有贯通上述基板的部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，属于同一上述半桥的上述上侧开关元件和上述下侧开关元件在与上述多个半桥排列的方向正交的方向上并排配置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述上侧开关元件的源极电极和漏极电极以及上述下侧开关元件的源极电极和漏极电极的排列方向与上述半桥的在上述上侧开关元件与上述下侧开关元件之间的布线的延伸方向一致。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上述上侧开关元件的源极电极和漏极电极的排列方向以及上述下侧开关元件的源极电极和漏极电极的排列方向与上述半桥的在上述上侧开关元件与上述下侧开关元件之间的布线的延伸方向一致。5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村宣孝，
申请(专利权)人：株式会社捷太格特，
类型：发明
国别省市：日本,JP