The invention discloses a resistive random access memory, which comprises a bottom electrode, a resistance conversion layer, a top electrode, a metal layer and a barrier layer. The resistance conversion layer is arranged on the bottom electrode. The top electrode is arranged on the resistance conversion layer. The metal layer is arranged on the top electrode. The barrier layer covers the metal layer. The barrier layer surrounds the metal layer and the top electrode.
【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储器及其制造方法
本专利技术属于随机存取存储器领域，涉及一种包括阻挡层的电阻式随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
电阻式随机存取存储器(Resistiverandom-accessmemory，ReRAM)是一种具有称作「忆阻器(memristor)」(存储器电阻的缩写)的元件的存储器。电阻式随机存取存储器的电阻随着所施加的电压不同而改变。电阻式随机存取存储器则通过改变忆阻器的电阻来作用，以储存数据。在制造电阻式随机存取存储器的期间，可进行后端工艺(back-endprocess)，例如是形成金属间介电质层(inter-metaldielectriclayer，IMDlayer)、金属层、及保护层(passivation)的工艺。然而，这些后端工艺可能会产生一些气体(例如是氢气(H)、氨气(NH3)、硅烷(SiH4)而造成电阻式随机存取存储器在数据保存上的损失。因此，目前仍须开发一种防止电阻式随机存取存储器的保存数据损失的方法，并制造出具有优异结构可靠度的电阻式随机存取存储器。
技术实现思路
本专利技术有关于一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此...
【技术保护点】
1.一种电阻式随机存取存储器，包括：一底电极；一电阻转换层，配置于该底电极上；一顶电极，配置于该电阻转换层上；一金属层，配置于该顶电极上；以及一阻挡层，覆盖该金属层，其中该阻挡层环绕该金属层及该顶电极。
【技术特征摘要】
1.一种电阻式随机存取存储器，包括：一底电极；一电阻转换层，配置于该底电极上；一顶电极，配置于该电阻转换层上；一金属层，配置于该顶电极上；以及一阻挡层，覆盖该金属层，其中该阻挡层环绕该金属层及该顶电极。2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，该阻挡层包括一氮氧化物材料。3.根据权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其中，该氮氧化物材料是氮氧化硅(SiON)、氮氧化钛(TiON)或氮氧化钛硅(TiSiON)。4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中，该阻挡层的厚度是在50埃(angstrom)至1000埃的范围中。5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，还包括：一基板，其中该底电极配置于该基板之上；一介电层，配置于该基板上；以及一导电连接结构，配置于该基板上且穿过该介电层，其中该介电层具有一顶表面，该阻挡层连续性地覆盖该顶表面及该金属层。6.一种电阻式随机存取存储器的制造方法，包括：形成一开口于一绝缘层中；沉积一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岱萤，吴昭谊，林榆瑄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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