一种磷酸基蚀刻液及其配制方法技术

本发明专利技术涉及一种高蚀刻选择比磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种高选择比磷酸基蚀刻液，其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑90%的磷酸、0.005‑1%的含硅化合物、0.005‑1%的含氟化合物、0.005‑1%的氟稳定剂、0.005‑5%的表面活性剂、余量为水。本发明专利技术通过使用新型的添加剂与稳定剂的成分及类型。明显降低了蚀刻液对SiO2层的蚀刻并提高了对Si3N4层的蚀刻速率。显著提高了Si3N4/SiO2的蚀刻选择比。

A Phosphoric Acid-based Etching Solution and Its Preparation Method

The invention relates to a phosphoric acid based etching solution with high etching selectivity ratio and a preparation method thereof. A high selectivity phosphoric acid-based etching solution is composed of phosphoric acid, 0.005 1% silicon compound, 0.005 1% fluorine compound, 0.005 1% fluorine stabilizer, 0.005 5% surfactant and water. The invention uses the composition and type of the new additive and stabilizer. The etching rate of Si3N4 layer was increased and the etching rate of SiO2 layer was significantly reduced. The etching selectivity ratio of Si3N4/SiO2 was significantly increased.

【技术实现步骤摘要】
一种磷酸基蚀刻液及其配制方法
本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种高蚀刻选择比磷酸基蚀刻液及其配制方法。
技术介绍
随着技术的发展，我们产生数据的途径发生了很大的转变。在2000年以前，互联网是数据的主要来源，而在2017年以后，物联网、智能汽车、游戏以及VR等智能时代将会产生大量的数据，据《数据时代2025》预测，2025年全球的数据量将达到163ZB，是目前的10倍之多。数据需要被存储器储存起来，而平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3DNAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，相较于平面结构的NAND储存容量成倍增加，进而带来很大的成本节约、能耗降低。平面结构的NAND制造工艺中，Si3N4层覆盖在SiO2层之上，蚀刻时磷酸先接触Si3N4层，待Si3N4层被完全蚀刻后SiO2层才会与磷酸接触，且磷酸对SiO2的蚀刻速率很慢。所以只要控制好蚀刻时间，磷酸对SiO2层的影响可以忽略。但在3DNAND工艺中Si3N4层与SiO2层是交替层叠结构，磷酸从侧面进行蚀刻，Si3N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷酸基蚀刻液，其特征在于，蚀刻液为电子级产品，该磷酸基蚀刻液主要成分包括占蚀刻液总重量50‑90%的磷酸、0.005‑1%的含硅化合物、0.005‑1%的含氟化合物、0.005‑1%的氟稳定剂、0.005‑5%的表面活性剂、余量为水。

【技术特征摘要】
1.一种磷酸基蚀刻液，其特征在于，蚀刻液为电子级产品，该磷酸基蚀刻液主要成分包括占蚀刻液总重量50-90%的磷酸、0.005-1%的含硅化合物、0.005-1%的含氟化合物、0.005-1%的氟稳定剂、0.005-5%的表面活性剂、余量为水。2.根据权利要求1所述的磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述磷酸为电子级磷酸，金属离子含量≤20ppb。3.根据权利要求1所述的磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述含硅化合物为硅氧烷、硅醇、硅酸酯、二氧化硅、氮化硅、原硅酸、硅酸和氟硅酸中的一种或几种的混合物。4.根据权利要求1所述的磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述含氟化合物为氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、全氟辛酸、四丁基氟化铵和氟硅酸中的一种或几种的混合物。5.根据权利要求1所述的磷酸基蚀刻液，其特征在于：所述氟稳定剂为四氢呋喃、吡咯、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李少平，冯凯，贺兆波，张庭，尹印，王书萍，姜飞，张永萍，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42