量子点及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点的制备方法，包括：至少使一种以上第一金属源、两种以上不同活性的第二金属源、溶剂及磷源反应形成作为核的纳米颗粒，之后至少在所述纳米颗粒上包覆壳层，形成所述的量子点；所述第一金属源为铟源，所述第二金属源为锌源。较之现有技术，本发明专利技术公开的量子点的制备方法，通过两种或者多种不同活性的锌源前驱体，对量子点进行修饰，从而提高量子点发光质量。使用钝性的配体前驱体修饰量子点，将钝性修补，改善或修复缺陷，提高量子点纳米粒子的各项同性，提升量子点的发光质量。

Quantum dots and their preparation methods

The invention discloses a preparation method of quantum dots, which includes: at least one first metal source, two or more different active second metal sources, solvents and phosphorus sources react to form nanoparticles as nuclei, and then coat at least the nanoparticles to form the quantum dots; the first metal source is indium source, and the second metal source is zinc source. Compared with the prior art, the preparation method of the quantum dots disclosed in the present invention modifies the quantum dots by two or more different active zinc source precursors, thereby improving the luminescence quality of the quantum dots. Using blunt ligand precursors to modify quantum dots can repair bluntness, improve or repair defects, improve the isotropy of quantum dots nanoparticles, and enhance the luminescence quality of quantum dots.

【技术实现步骤摘要】
量子点及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料制备
，具体涉及一种量子点及其制备方法。
技术介绍
量子点是由若干原子组成的一种的半导体晶体，因其具有量子局域效应，使其具有良好的发光性能。相对于其他的发光材料其可应用在显示、照明、生物、太阳能电池等。量子点本质是一个晶体，其与其他晶体一样存在内部缺陷和外部缺陷。内部缺陷主要是在合成过程中结晶性欠缺，出现层错、孪晶或者位点缺失等。外部缺陷主要是表面原子悬键。晶体中所有的原子都有固定的配位数，但是表面的原子的配位数又达不到需求，导致缺少配位的部分产生悬键。能级结构是以具有完美结晶性的晶体计算出来的，但是缺陷的存在就会破坏晶体原子的周期性，产生缺陷能级且缺陷能级的位置具有不固定性，难以控制。在体相半导体中，由于表面原子占据晶体原子一定数量，因此表面缺陷带来的副作用远大于内部缺陷。因此量子点在合成过程中需要严格减少缺陷。在制备量子点的过程中，在单一活性配体前驱体溶液中，会导致纳米粒子的各向异性明显增加，且在随着反应温度的提升，各向异性表现的更加明显。简单的说，在灵敏度高容易生长的位置更加容易生长，反之在非灵敏处更加难以生长。因此，如何提高量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点的制备方法，其特征在于包括：至少使一种以上第一金属源、两种以上不同活性的第二金属源、溶剂及磷源反应形成作为核的纳米颗粒，之后至少在所述纳米颗粒上包覆壳层，形成所述的量子点；所述第一金属源为铟源，所述第二金属源为锌源。

【技术特征摘要】
1.一种量子点的制备方法，其特征在于包括：至少使一种以上第一金属源、两种以上不同活性的第二金属源、溶剂及磷源反应形成作为核的纳米颗粒，之后至少在所述纳米颗粒上包覆壳层，形成所述的量子点；所述第一金属源为铟源，所述第二金属源为锌源。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)至少使第一金属源、两种以上不同活性的第二金属源、配位型溶剂和/或非配位型溶剂在第一温度下混合，形成第一混合液；(2)将所述混合液的温度调节至第二温度，并加入磷源，反应形成第二混合物，所述混合物包含作为核的纳米颗粒；(3)将所述第二混合液的温度调节至第三温度，并加入硒源，反应形成第三混合物，所述第三混合物包含表面包覆有过渡层的纳米颗粒；(4)将所述第三混合液的温度调节至第四温度，并加入硫源，反应形成量子点，所述量子点包括核及依次包覆于核上的过渡层和壳层。3.根据权利要求2所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述第一温度为80～150℃；和/或，所述第二温度为100～200℃。4.根据权利要求2所述的量子点的制备方法，其特征在于，所第三温度为200～250℃；和/或，所述过渡层为ZnSe过渡层；和/或，所述第四温度为250～320℃；和/或，所述壳层为ZnS壳层。5.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于：所述铟源与锌源的摩尔比为0.01∶1～1∶0.01；和/或，所述铟源与磷源的摩尔比为0.01∶1～1∶1；和/或，所述作为核的纳米颗粒为In(Zn)P量子点。6.根据权利要求2所述的量子点的制备方法，其特征在于：所述锌源与硒源的摩尔比为1∶0.01～1∶1；和/或，所述锌源与硫源的摩尔比为1∶0.01～1∶1。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珊，
申请(专利权)人：嘉兴纳鼎光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33