显示设备及制造该显示设备的方法技术

提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT；以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极；以及第一电极，设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极；以及第二电极，设置在与第二导电层的水平相同的水平处。

Display equipment and method of manufacturing the display equipment

A display device and a method for manufacturing the display device are provided. The display device includes: a substrate, which defines a first region, a second region spaced from the first region and a bending region between the first region and the second region and bent along the bending axis; a first thin film transistor (\TFT\) and a second TFT; and a first conductive layer and a second conductive layer. The first TFT includes: the first active layer, including polycrystalline silicon; the first gate electrode; and the first electrode at the same level as the first conductive layer; the second TFT includes the second active layer, including oxide semiconductor; the second gate electrode; and the second electrode at the same level as the second conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
显示设备及制造该显示设备的方法本申请要求于2017年6月16日提交的第10-2017-0076821号韩国专利申请的优先权和由此产生的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种显示设备和一种制造该显示设备的方法，更具体地，涉及一种由包括多晶硅的薄膜晶体管(“TFT”)和包括氧化物半导体的TFT驱动的显示设备，以及一种制造该显示设备的方法。
技术介绍
显示设备通常包括显示装置和用于驱动显示装置的驱动电路。驱动电路可以包括薄膜晶体管(“TFT”)和电容器。近来，包括多晶硅的TFT已经被广泛用于实现具有高分辨率的显示设备。一般来说，显示设备在基底上具有显示区域。近来，已经对通过弯曲显示设备的至少一部分来改善各种角度下的可视性或减小非显示区域的尺寸进行了研究。
技术实现思路
在包括多晶硅的薄膜晶体管(“TFT”)中，会发生泄漏电流，使得包括这样的TFT的显示设备的功耗会增大。在包括含有弯曲区域以改善各种角度下的可视性或减小非显示区域的尺寸的基底的显示设备中，弯曲区域的结构会是复杂的，以防止由于施加到弯曲区域的拉应力而导致布线断开，因此显示设备的制造成本会提高。一个或更多个实施例涉及一种具有低功耗和高分辨率的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。一个或更多个实施例涉及一种其中包括多晶硅的有源层和接触有源层的导电层之间的接触电阻大幅减小或最小化的显示设备。一个或更多个实施例涉及一种通过使在显示设备的制造过程期间使用的掩模的数量最小化而具有降低的制造成本的显示设备。根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域以及在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基底上的第一区域中；第二TFT，设置在基底上的第一区域中；第一导电层，从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域；第二导电层，从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域，其中，第一导电层和第二导电层设置在彼此不同的水平处。在这样的实施例中，第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极，与第一有源层绝缘；以及第一电极，连接到第一有源层并设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极，与第二有源层绝缘；以及第二电极，连接到第二有源层并设置在与第二导电层的水平相同的水平处。在实施例中，显示设备还可以包括由第一TFT和第二TFT驱动的显示装置，其中，第一TFT是将驱动电流传输到显示装置的驱动TFT。在实施例中，显示设备还可以包括设置在基底上以覆盖第一栅电极的第一层间绝缘层，其中，第二有源层设置在第一层间绝缘层上。在实施例中，显示设备还可以包括设置在第一层间绝缘层上以覆盖第二栅电极的第二层间绝缘层，其中，第一电极设置在第二层间绝缘层上。在实施例中，显示设备还可以包括设置在第二层间绝缘层上以覆盖第一电极的平坦化层，其中，第二电极设置在平坦化层上。在实施例中，显示设备还可以包括电连接到第一电极并设置在与第二电极的水平相同的水平处的连接电极。在实施例中，第一导电层和第二导电层可以彼此电连接，并且可以被构造为将驱动信号传输到第一TFT和第二TFT中的至少一个。在实施例中，在第一导电层和第二导电层中的每个中可以限定有多个通孔。在实施例中，第一导电层、第二导电层、第一电极和第二电极中的每个可以包括铝(Al)。在实施例中，显示设备还可以包括设置在基底和第一导电层之间的弯曲有机层，其中，弯曲有机层的至少一部分设置在弯曲区域中。在实施例中，显示设备还可以包括设置在第一栅电极上以面对第一栅电极的电容器电极，其中，第二有源层设置在电容器电极之上。根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域；第一TFT，设置在基底上的显示区域中，并且包括含有多晶硅的第一有源层、与第一有源层绝缘的第一栅电极和连接到第一有源层的第一电极；第二TFT，设置在基底上的显示区域中，并且包括含有氧化物半导体的第二有源层、与第二有源层绝缘的第二栅电极和连接到第二有源层的第二电极；第一层间绝缘层，设置在第一栅电极和第二有源层之间；第二层间绝缘层，设置在第二栅电极和第一电极之间；以及平坦化层，设置在第一电极和第二电极之间。在实施例中，基底还可以包括弯曲区域，显示设备还可以包括：第一导电层，在与第一电极的水平相同的水平处设置在弯曲区域中；以及第二导电层，在与第二电极的水平相同的水平处设置在弯曲区域中。根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法，所述显示设备包括：基底，包括第一区域；第一TFT，包括第一有源层、第一栅电极和第一电极；以及第二TFT，包括第二有源层、第二栅电极和第二电极，所述方法包括以下步骤：在基底上的第一区域中设置第一有源层，其中，第一有源层包括多晶硅；在第一有源层上将第一栅电极设置为与第一有源层绝缘；在第一栅电极上设置第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上设置第二有源层，其中，第二有源层包括氧化物半导体；在第二有源层上设置与第二有源层绝缘的第二栅电极；在第二栅电极上设置第二层间绝缘层；在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中形成接触孔，第一有源层的一部分通过接触孔被暴露；在第二层间绝缘层上设置填充在接触孔中并与第一有源层接触的第一电极；在第二层间绝缘层中形成第一开口，第二有源层的一部分通过第一开口被暴露；在第二层间绝缘层上设置第一平坦化层以覆盖第一电极；在第一平坦化层中形成第二开口以与第一开口叠置；以及在第一平坦化层上设置填充在第一开口和第二开口中并与第二有源层接触的第二电极。在实施例中，基底还可以包括第二区域以及在第一区域和第二区域之间的弯曲区域，并且所述方法还可以包括以下步骤：在弯曲区域中设置第一导电层；以及在第一导电层上设置第二导电层。在实施例中，设置第一导电层的步骤和设置第一电极的步骤可以彼此同时执行，并且设置第二导电层的步骤和设置第二电极的步骤可以彼此同时执行。在实施例中，第一导电层和第二导电层可以彼此电连接。在实施例中，第一导电层、第二导电层、第一电极和第二电极中的每个可以包括铝(Al)。在实施例中，所述方法还可以包括以下步骤：在第一平坦化层上设置第二平坦化层以覆盖第二电极；以及在第二平坦化层上设置由第一TFT和第二TFT驱动的显示装置。在实施例中，第一TFT可以将驱动电流传输到显示装置。在实施例中，所述方法还可以包括以下步骤：设置电连接到第一电极的连接电极，其中，设置连接电极的步骤和设置第二电极的步骤可以彼此同时执行。在实施例中，所述方法还可以包括以下步骤：在设置第一栅电极的步骤和设置第二有源层的步骤之间，在第一栅电极上设置与第一栅电极绝缘的电容器电极。在实施例中，所述方法还可以包括以下步骤：在形成接触孔的步骤之后，对第一有源层执行热处理；以及在执行热处理的步骤之后，清洁第一有源层的表面。附图说明通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它特征将变得清楚且更容易理解，在附图中：图1是根据实施例的显示设备的透视图；图2是示出图1的显示设备的一部分的剖视图；图3A是根据可选实施例的显示设备的剖视图；图3B是图3A的圈出部分A的放大图；图4A至图4O是示出制造图3A的显示设备的方法的实施例的剖视图；图5是示出根据实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与所述第一区域间隔开的第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管，设置在所述第一区域中；第二薄膜晶体管，设置在所述第一区域中；第一导电层，从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域；以及第二导电层，从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域，其中，所述第一导电层和所述第二导电层设置在彼此不同的水平处，其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极，与所述第一有源层绝缘；以及第一电极，连接到所述第一有源层并设置在与所述第一导电层的水平相同的水平处，并且所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极，与所述第二有源层绝缘；以及第二电极，连接到所述第二有源层并设置在与所述第二导电层的水平相同的水平处。

【技术特征摘要】
2017.06.16 KR 10-2017-00768211.一种显示设备，所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与所述第一区域间隔开的第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管，设置在所述第一区域中；第二薄膜晶体管，设置在所述第一区域中；第一导电层，从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域；以及第二导电层，从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域，其中，所述第一导电层和所述第二导电层设置在彼此不同的水平处，其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极，与所述第一有源层绝缘；以及第一电极，连接到所述第一有源层并设置在与所述第一导电层的水平相同的水平处，并且所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极，与所述第二有源层绝缘；以及第二电极，连接到所述第二有源层并设置在与所述第二导电层的水平相同的水平处。2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：显示装置，由所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管驱动，其中，所述第一薄膜晶体管是将驱动电流传输到所述显示装置的驱动薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：第一层间绝缘层，设置在所述基底上以覆盖所述第一栅电极，其中，所述第二有源层设置在所述第一层间绝缘层上。4.根据权利要求3所述的显示设备，所述显示设备还包括：第二层间绝缘层，设置在所述第一层间绝缘层上以覆盖所述第二栅电极，其中，所述第一电极设置在所述第二层间绝缘层上。5.根据权利要求4所述的显示设备，所述显示设备还包括：平坦化层，设置在所述第二层间绝缘层上以覆盖所述第一电极，其中，所述第二电极设置在所述平坦化层上。6.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：连接电极，电连接到所述第一电极并设置在与所述第二电极的水平相同的水平处。7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层和所述第二导电层彼此电连接，并且所述第一导电层和所述第二导电层中的每个将驱动信号传输到所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的至少一个。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，在所述第一导电层和所述第二导电层中的每个中限定有多个通孔。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层、所述第二导电层、所述第一电极和所述第二电极中的每个包括铝。10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：弯曲有机层，设置在所述基底和所述第一导电层之间，其中，所述弯曲有机层的至少一部分设置在所述弯曲区域中。11.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：电容器电极，设置在所述第一栅电极上以面对所述第一栅电极，其中，所述第二有源层设置在所述电容器电极之上。12.一种显示设备，所述显示设备包括：基底，包括显示区域；第一薄膜晶体管，设置在所述基底上的所述显示区域中，其中，所述第一薄膜晶体管包括含有多晶硅的第一有源层、与所述第一有源层绝缘的第一栅电极和连接到所述第一有源层的第一电极；第二薄膜晶体管，设置在所述基底上的所述显示区域中，其中，所述第二薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的第二有源层、与所述第二有源层绝缘的第二栅电极和连接到所述第二有源层的第二电极；第一层间绝缘层，设置在所述第一栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙暻锡，金亿洙，金宰范，林俊亨，林志勋，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR