显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。

Display Device and Its Manufacturing Method

A display device and a manufacturing method thereof are provided. The display device comprises a first insulating layer on the first gate electrode, an active pattern on the first insulating layer and a NMOS region and a PMOS region, a PMOS region superimposed on the first gate electrode, and a second insulating layer on the active pattern. The active pattern includes the NMOS region and the PMOS region, and the PMOS region overlaps with the first gate electrode. In addition, the second gate electrode is located on the second insulating layer and superimposed on the NMOS region. The active protection pattern is located in the same layer as the second gate electrode and passes through the second insulating layer to contact the PMOS region. The third insulating layer is located on the active protection pattern and the second gate electrode. The data metal electrode passes through the third insulating layer and contacts the active protection pattern.

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
这里描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置以及一种用于制造显示装置的方法。
技术介绍
已经开发了各种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光显示器。这些显示器的像素包括薄膜晶体管。用于这些薄膜晶体管的沟道的材料包括非晶硅、多晶硅(polycrystallinesilicon，polysilicon)或氧化物半导体。多晶硅具有相对高的载流子迁移率，并且用于基于载流子电荷或掺杂剂形成PMOS晶体管或NMOS晶体管。一直试图通过增加布线的集成度并减小薄膜晶体管的尺寸来增加屏幕分辨率。此外，已经提出互补金属氧化物(CMOS)技术的使用。
技术实现思路
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：第一栅电极；第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上，并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层位于有源图案上；第二栅电极，位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置；有源保护图案，与第二栅电极位于同一层中，并穿过第二绝缘层并接触PMOS区域；第三绝缘层，位于有源保护图案和第二栅电极上；数据金属电极，穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。PMOS区域可以包括p沟道区域、第一p掺杂区域和与第一p掺杂区域间隔开的第二p掺杂区域，有源保护图案可以包括与第一p掺杂区域接触的第一有源保护图案以及与第二p掺杂区域接触的第二有源保护图案。显示装置可以包括沟道保护图案，沟道保护图案位于第一有源保护图案和第二有源保护图案之间，并且与p沟道区域叠置。显示装置可以包括：漏电极，连接到PMOS区域或NMOS区域；有机发光二极管，电连接到漏电极。显示装置可以包括：下电容器电极，与第一栅电极位于同一层中；上电容器电极，与下电容器电极叠置，并且与第二栅电极位于同一层中。下电容器电极可以电连接到漏电极，上电容器电极可以电连接到第二栅电极。下电容器电极可以电连接到第一栅电极，上电容器电极可以电连接到漏电极。第三绝缘层的厚度可以大于第一绝缘层和第二绝缘层的总厚度。有源保护图案可以包括具有比数据金属电极的逸出功高的逸出功的材料。有源保护图案可以包括银、镍、钨、铜、铬和钼中的至少一种。数据金属电极可以包括镁、钽、钛和铝中的至少一种。根据一个或更多个其它实施例，用于制造显示装置的方法包括：形成包括第一栅电极的下栅极金属图案；在下栅极金属图案上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体图案，半导体图案包括第一有源区域和与第一有源区域间隔开的第二有源区域，第一有源区域与第一栅电极叠置；在半导体图案上形成第二绝缘层；通过掺杂第一有源区域形成PMOS区域；通过掺杂第二有源区域形成NMOS区域；在第二绝缘层上形成上栅极金属图案，上栅极金属图案包括第二栅电极和与PMOS区域接触的有源保护图案，第二栅电极与NMOS区域叠置；在第二栅电极和有源保护图案上形成第三绝缘层；形成数据金属图案，数据金属图案包括数据金属电极，数据金属电极穿过第三绝缘层以接触有源保护图案。形成PMOS区域的步骤可以包括：在第二绝缘层上形成第一光致抗蚀剂层；通过利用第一光致抗蚀剂层作为掩模来对第二绝缘层进行蚀刻，以部分地暴露第一有源区域；向第一有源区域的暴露部分提供p型杂质。形成NMOS区域的步骤可以包括：在第二绝缘层上形成上栅极金属层；在上栅极金属层上形成第二光致抗蚀剂层；通过利用第二光致抗蚀剂层作为掩模来对上栅极金属层进行蚀刻，以部分地暴露第二绝缘层；穿过第二绝缘层向第二有源区域的一部分提供n型杂质。形成上栅极金属图案的步骤可以包括：在剩余的上栅极金属层上形成第三光致抗蚀剂层；利用第三光致抗蚀剂层作为掩模来对剩余的上栅极金属层进行蚀刻，以形成有源保护图案，有源保护图案包括第一有源保护图案和与第一有源保护图案间隔开的第二有源保护图案。下栅极金属图案可以包括下电容器电极，上栅极金属图案可以包括与下电容器电极叠置的上电容器电极。下电容器电极可以电连接到第一栅电极。上电容器电极可以电连接到第二栅电极。有源保护图案可以包括具有比数据金属电极的逸出功高的逸出功的材料。有源保护图案可以包括银、镍、钨、铜、铬和钼中的至少一种，数据金属电极包括镁、钽、钛和铝中的至少一种。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得明显，在附图中：图1示出了像素的实施例；图2至图15示出了用于制造显示装置的方法的实施例的各个阶段；并且图16和图17示出了显示装置的实施例。具体实施方式参照附图描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式来实施，且不应被解释为限制于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把示例性实施方式传达给本领域技术人员。实施例(或其部分)可以结合而形成另外的实施例。在附图中，为了示出的清楚性，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底上时，该层或元件可以直接“在”所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下面”时，该层可以直接在所述另一层的下面，或者在它们之间也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终指示同样的元件。当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到所述另一元件，或者间接连接或结合到所述另一元件并且一个或更多个中间元件介于它们之间。另外，当元件被称作“包括”组件时，除非有不同的公开，否则这意指该元件还可以包括另一组件而不排除包括另一组件。图1示出了显示装置的像素PX的电路实施例，显示装置例如可以是有机发光显示装置。像素PX可以代表显示装置的像素的阵列的电路结构。参照图1，像素PX可以包括有机发光二极管OLED、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器Cst。有机发光二极管OLED可以基于驱动电流来发光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。有机发光二极管OLED的第二端子可以接收第二电源电压ELVSS。在示例性实施例中，第一端子可以是阳极，第二端子可以是阴极。第一晶体管TR1可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第一晶体管TR1的第一端子可以连接到第二晶体管TR2。第一晶体管TR1的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管TR1的栅极端子可以连接到第三晶体管TR3。第一晶体管TR1可以基于施加到其的第一电源电压ELVDD来产生驱动电流。在示例性实施例中，可以基于提供到有机发光二极管OLED的驱动电流的量来实现灰阶。在一个示例性实施例中，可以例如基于在一帧内向有机发光二极管OLED提供驱动电流的时间总和来实现光的灰阶值。第二晶体管TR2可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。栅极端子可以接收发射信号EM。第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。在发射信号EM的激活时段期间，第二晶体管TR2可以向第一晶体管TR1的第一端子提供第一电源电压ELVDD。在发射信号EM的非激活时段期间，第二晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：第一栅电极；第一绝缘层，位于所述第一栅电极上；有源图案，位于所述第一绝缘层上，并且包括NMOS区域和PMOS区域，所述PMOS区域与所述第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于所述有源图案上；第二栅电极，位于所述第二绝缘层上，并与所述NMOS区域叠置；有源保护图案，与所述第二栅电极位于同一层中，并且穿过所述第二绝缘层并与所述PMOS区域接触；第三绝缘层，位于所述有源保护图案和所述第二栅电极上；以及数据金属电极，穿过所述第三绝缘层并与所述有源保护图案接触。

【技术特征摘要】
2017.06.16 KR 10-2017-00767681.一种显示装置，所述显示装置包括：第一栅电极；第一绝缘层，位于所述第一栅电极上；有源图案，位于所述第一绝缘层上，并且包括NMOS区域和PMOS区域，所述PMOS区域与所述第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于所述有源图案上；第二栅电极，位于所述第二绝缘层上，并与所述NMOS区域叠置；有源保护图案，与所述第二栅电极位于同一层中，并且穿过所述第二绝缘层并与所述PMOS区域接触；第三绝缘层，位于所述有源保护图案和所述第二栅电极上；以及数据金属电极，穿过所述第三绝缘层并与所述有源保护图案接触。2.如权利要求1所述的显示装置，其中：所述PMOS区域包括p沟道区域、第一p掺杂区域和第二p掺杂区域，所述第二p掺杂区域与所述第一p掺杂区域间隔开，并且所述有源保护图案包括与所述第一p掺杂区域接触的第一有源保护图案以及与所述第二p掺杂区域接触的第二有源保护图案。3.如权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：沟道保护图案，位于所述第一有源保护图案与所述第二有源保护图案之间并且与所述p沟道区域叠置。4.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：漏电极，电连接到所述PMOS区域或所述NMOS区域；以及有机发光二极管，电连接到所述漏电极。5.如权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：下电容器电极，与所述第一栅电极位于同一层中；以及上电容器电极，与所述下电容器电极叠置，并且与所述第二栅电极位于同一层中。6.如权利要求5所述的显示装置，其中：所述下电容器电极电连接到所述漏电极，并且所述上电容器电极电连接到所述第二栅电极。7.如权利要求5所述的显示装置，其中：所述下电容器电极电连接到所述第一栅电极，并且所述上电容器电极电连接到所述漏电极。8.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的总厚度。9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述有源保护图案包括具有高于所述数据金属电极的逸出功的逸出功的材料。10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述有源保护图案包括银、镍、钨、铜、铬和钼中的至少一种。11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述数据金属电极包括镁、钽、钛和铝中的至少一种。12.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：形成包括第一栅电极的下栅极金属图案；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗璨，梁泰勳，郑雄喜，李京垣，李镕守，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR