具有连接到PMOSFET接头的源极和漏极的阻抗元件的电路制造技术

一种生成电路实例以包括多个pMOSFET实例的方法，其中每个pMOSFET实例具有连接到一个或多个供电轨实例的源极端子实例。电路实例包括阻抗元件实例，其中每个阻抗元件实例连接到对应pMOSFET实例的源极端子实例和漏极端子实例。取决于一组要求，阻抗元件实例中的一个或多个处于高阻抗状态或低阻抗状态。

Circuits with impedance elements connected to the source and drain poles of PMOSFET connectors

A method of generating circuit instances to include multiple pMOSFET instances, where each pMOSFET instance has a source terminal sub-instance connected to one or more supply rail instances. Circuit examples include impedance element instances, where each impedance element instance is connected to the source and drain sub-instances of the corresponding pMOSFET instance. Depending on a set of requirements, one or more of the impedance element instances are in high impedance or low impedance states.

【技术实现步骤摘要】
具有连接到PMOSFET接头的源极和漏极的阻抗元件的电路
技术介绍
为了降低功耗，电路可以在功率门控模块中采用接头pMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，由此在不操作时可以将功率减小到电路的各个子块。然而，当各个驱动子块动态地接通和切断时，在接头pMOSFET上可能存在不需要的IR(电流-电阻乘积)电压降。附图说明本文参考附图描述各种技术的实现。然而，应该理解的是，附图仅示出了本文描述的各种实现，并不意味着限制本文描述的各种技术的实现。图1示出了根据本文描述的各种实现的具有功率门控和功率去耦的电路。图2示出了根据本文描述的各种实现的功率门控模块。图3示出了根据本文描述的各种实现的功率去耦模块。图4示出了根据本文描述的各种实现的功率门控模块或功率去耦模块。图5示出了根据本文描述的各种实现的功率门控模块或功率去耦模块。图6示出了根据本文描述的各种实现的存储器电路。图7示出了根据本文描述的各种实现的用于设计和制造集成电路的流程图。图8示出了根据本文描述的各种实现的用于设计和制造集成电路的流程图。图9示出了用于实现根据本文描述的各种实现的方法的计算平台。具体实施方式在下面的描述中，术语“一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：生成电路实例以包括多个pMOSFET实例，其中每个pMOSFET实例具有连接到一个或多个供电轨实例的源极端子实例；生成所述电路实例以包括阻抗元件实例，其中每个阻抗元件实例连接到对应pMOSFET实例的源极端子实例和漏极端子实例；取决于一组要求，生成所述电路实例以指示所述阻抗元件实例中的一个或多个处于高阻抗状态或低阻抗状态；以及根据所述生成的电路实例制造一个或多个掩模。

【技术特征摘要】
2017.06.28 US 15/636,4281.一种方法，包括：生成电路实例以包括多个pMOSFET实例，其中每个pMOSFET实例具有连接到一个或多个供电轨实例的源极端子实例；生成所述电路实例以包括阻抗元件实例，其中每个阻抗元件实例连接到对应pMOSFET实例的源极端子实例和漏极端子实例；取决于一组要求，生成所述电路实例以指示所述阻抗元件实例中的一个或多个处于高阻抗状态或低阻抗状态；以及根据所述生成的电路实例制造一个或多个掩模。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：生成所述电路实例以包括耦合到那些pMOSFET实例的栅极端子的控制器实例，其对应阻抗元件实例处于高阻抗状态；以及生成电路实例以指示那些pMOSFET实例的栅极端子上的低电压，其对应阻抗元件实例处于低阻抗状态。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电路实例包括存储器实例。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述存储器实例包括字驱动器实例，其中连接到所述字驱动器实例的是所述pMOSFET实例中的至少一个。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述存储器实例包括多个列多路复用器实例，其中连接到每个列多路复用器实例的是所述pMOSFET实例中的至少一个。6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述存储器实例包括多个输入/输出实例，其中连接到每个输入/输出实例的是所述pMOSFET实例中的至少一个。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所有所述阻抗元件实例都被指示为具有高阻抗或低阻抗。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻抗元件实例中的至少一个是熔丝元件实例。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻抗元件实例中的至少一个是互连件实例。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻抗元件实例中的至少一个是可编程电阻器实例。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电路实例由存储在计算机存储器中的数据结构表示。12.一种方法，包括：生成电路实例以包括多个pMOSFET实例，其中每个pMOSFET实例具有连接到一个或多个供电轨实例的源极端子实例；生成所述电路实例以包括阻抗元件实例，其中每个阻抗元件实例连接到对应pMOSFET实例的源极端子实例和漏极端子实例；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈·安迪·旺坤，庄耀功，李逸聪，陈欣宇，西瑞姆·迪亚加拉简，
申请(专利权)人：ARM有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB