一种用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于降解土霉素废水的g‑C3N4‑PANI复合光催化材料的制备方法，属于复合光催化材料的合成技术领域。本发明专利技术的技术方案要点为：将g‑C3N4加入到硫酸溶液中并超声混合均匀得到溶液A；在冰浴条件下向溶液A中加入苯胺，搅拌混合均匀得到溶液B；继续在冰浴条件下向溶液B中加入(NH4)2S2O8，在冰浴条件下继续搅拌反应8h得到溶液C；将溶液C进行抽滤，再用水和酒精反复洗涤三次，然后置于真空干燥箱中于40℃干燥24h后研磨得到g‑C3N4‑PANI复合光催化材料。本发明专利技术制得的复合光催化材料具有较好的性能和光吸收性能，而且具有可见光响应的光催化性能，在模拟太阳光条件下具有高效降解土霉素废水的性能。

Preparation of g-C3N4-PANI composite photocatalytic material for degradation of oxytetracycline wastewater

The invention discloses a preparation method of g_C3N4_PANI composite photocatalytic material for degrading oxytetracycline wastewater, belonging to the synthetic technology field of Composite Photocatalytic material. The main points of the technical scheme of the invention are as follows: adding g_C3N4 into sulphuric acid solution and evenly mixing it with ultrasound to obtain solution A; adding aniline to solution A under ice bath condition, stirring and mixing evenly to obtain solution B; continuing to add (NH4) 2S2O8 to solution B under ice bath condition, stirring and reacting for 8 hours to obtain solution C under ice bath condition; pumping and filtering solution C, and repeating water and alcohol. The composite photocatalytic material g_ C3N4_ PANI was prepared by washing three times, then drying in a vacuum drying chamber at 40 C for 24 hours and grinding. The composite photocatalytic material prepared by the invention has good performance and light absorption performance, and has photocatalytic performance of visible light response, and has high performance of degrading oxytetracycline wastewater under simulated sunlight conditions.

【技术实现步骤摘要】
一种用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法
本专利技术属于复合光催化材料的合成
，具体涉及一种用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法。
技术介绍
目前，水污染是环境污染中最重要的一部分，而且造成水污染的物质有很多，有机氯农药，多环芳烃，染料废水，抗生素废水等等，其中，抗生素废水因其在自然界存在较多难降解而被熟知，常规的物理吸附，化学沉淀，生物降解对于抗生素废水的降解都不是很理想。20世纪80年代，纳米科技越来越引起国内外的关注，成为研究的热点，尤其是其在难降解有机污染物方面表现了良好的应用前景。g-C3N4作为一种常见的光催化剂，具有制备方法简单，光催化性能较好的优点，但其由于其比表面积较小，并且自身比表面积较小，使其具有吸附性能较差的缺点，因此，限制了g-C3N4的应用。本研究中与导电聚合物PANI偶联的方法来降低e–和h+重组率，它们的离域π-π共轭结构有利于快速电荷分离，更重要的是，具有扩展的π-π共轭电子系统的导电聚合物在从可见光到近红外区域的宽范围内具有高吸收系数，与太阳光谱匹配良好。作为光敏剂，导电聚合物优于有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于降解土霉素废水的g‑C3N4‑PANI复合光催化材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：步骤S1：将2.0925g g‑C3N4加入到100mL摩尔浓度为0.5mol/L的硫酸溶液中并超声混合均匀得到溶液A；步骤S2：在冰浴条件下向步骤S1得到的溶液A中加入63.4‑512.9μL苯胺，搅拌混合均匀得到溶液B；步骤S3：继续在冰浴条件下向步骤S2得到的溶液B中以3‑5s每滴的速率加入350‑2813μL摩尔浓度为2mol/L的(NH4)2S2O8，在冰浴条件下继续搅拌反应8h得到溶液C；步骤S4：将步骤S3得到的溶液C进行抽滤，再用水和酒精反复洗涤三次，然后置于真空干燥箱中于40℃干...

【技术特征摘要】
1.一种用于降解土霉素废水的g-C3N4-PANI复合光催化材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：步骤S1：将2.0925gg-C3N4加入到100mL摩尔浓度为0.5mol/L的硫酸溶液中并超声混合均匀得到溶液A；步骤S2：在冰浴条件下向步骤S1得到的溶液A中加入63.4-512.9μL苯胺，搅拌混合均匀得到溶液B；步骤S3：继续在冰浴条件下向步骤S2得到的溶液B中以3-5s每滴的速率加入350-2813μL摩尔浓度为2mol/L的(NH4)2S2O8，在冰浴条件下继续搅拌反应8h得到溶液C；步骤S4：将步骤S3得到的溶液C进行抽滤，再用水和酒精反复洗涤三次，然后置于真空干燥箱中于40℃干燥24h后研磨得到g-C3N4-PANI复合光催化材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙剑辉，谭露，董淑英，王淼，
申请(专利权)人：河南师范大学，
类型：发明
国别省市：河南,41